专利名称：一种稳定频率的薄型片式陶瓷基底的制作方法
技术领域：
本发明涉及片式无源声表面滤波器产品，特别涉及SMD (声表面贴装器件)3. 8X3. 8薄型片式陶瓷基底，具体为一种稳定频率的薄型片式陶瓷基底。
背景技术：
随着通信，电子等相关行业的发展，相关产品的外形尺寸越来越小、越做越簿，市场对片式无源声表面滤波器产品性能要求稳定的基础上，对于声表器件产品的整个封装厚度以及频率稳定的要求也越来越高，因此，迫切需要研发出一种厚度更小、频率更稳定的陶瓷基底，而目前SMD3. 8X3. 8产品薄型片式陶瓷基底，见图2，I为整体基底，其厚度为I. 4mm,2为整体基底中的第二层，厚度为O. 5 _，3为整体基底中的第三层，厚度为O. 3 _，这种薄型片式陶瓷基底已不能满足市场需求。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种稳定频率的薄型片式陶瓷基底，能够满足客户需求，适应市场发展。其技术方案是这样的其包括由至少四层平面型陶瓷基底结合而成的整体基底，其特征在于所述整体基底厚度为I. 2_，在所述整体基底的上表面设置有条状凸起。
其进一步特征在于所述整体基底中的第二层和第三层的厚度减少，所述第二层的厚度为O. 4mm，所述第三层的厚度为O. 2mm ;所述条状凸起的数量至少为两个，所述条状凸起与所述整体基底为一体结构；所述条状凸起在所述整体基底上对称分布，所述条状凸起的边缘为圆弧。本发明的有益效果是整个陶瓷基底厚度达到I. 2mm，厚度更小，满足了客户需求，在整体基底上设置条状凸起，能够调控粘结剂对芯片的拉伸应力，稳定芯片的弯曲形变，使产品频率更加稳定。而且整体基底的厚度减小是通过调整第二层和第三层厚度来实现的，因为经过试验，调整第二层和第三层的厚度是最安全的方法，调整其他层，尤其是外围层可能导致在封装过程中工艺无法实现，以及有造成频率不稳定等风险。
图I为本发明主视剖面 图2为现有陶瓷基底的局部剖视 图3为本发明陶瓷基底的局部剖视图。
具体实施例方式见图I、图3，本发明包括由至少四层平面型陶瓷基底结合而成的整体基底1，整体基底I厚度为I. 2mm,为实现整体基底I厚度从现有的I. 4 _降至I. 2 _，在制作整体基底I时将基底的第二层2的厚度由原有的O. 5 mm降至O. 4 mm，第三层3的厚度由原有的O. 3mm降至O. 2 mm，这样使得整体基底I 一共降低了 O. 2 mm，在整体基底I的上表面设置有条状凸起4,条状凸起4的数量至少为两个,条状凸起4与整体基底I为一体结构，条状凸起4在整体基底I上对称分布，条状凸起4的边缘为圆弧。条状凸起4 一方面抑制粘结剂热固化过程中的扩散，保持粘结剂厚度的均匀性，使芯片(图中未出画芯片)底面各处受到的向下拉伸力较均匀，从而使得芯片各处的拉伸形变一致性较好；另一方面，两个条状凸起4对于芯片起支撑作用，可以平衡凸起内外的拉伸形变，避免了芯片形变的异常。条状凸起 4这两方面的作用，维持了芯片材料晶格结构的稳定性，降低了由于芯片形变引起的频率偏移和信号传输失真，提高了滤波器的信号处理精度，为了避免锐化边缘对芯片的损伤，条状凸起4的边缘采用圆弧过渡。
权利要求
1.一种稳定频率的薄型片式陶瓷基底，其包括由至少四层平面型陶瓷基底结合而成的整体基底，其特征在于所述整体基底厚度为I. 2_，在所述整体基底的上表面设置有条状凸起。
2.根据权利要求I所述的一种稳定频率的薄型片式陶瓷基底，其特征在于所述整体基底中的第二层和第三层的厚度减少，所述第二层的厚度为0.4mm，所述第三层的厚度为0. 2mmo
3.根据权利要求I所述的一种稳定频率的薄型片式陶瓷基底，其特征在于所述条状凸起的数量至少为两个，所述条状凸起与所述整体基底为一体结构。
4.根据权利要求3所述的一种稳定频率的薄型片式陶瓷基底，其特征在于所述条状凸起在所述整体基底上对称分布，所述条状凸起的边缘为圆弧。
全文摘要
本发明提供了一种稳定频率的薄型片式陶瓷基底，能够满足客户需求，适应市场发展。其包括由至少四层平面型陶瓷基底结合而成的整体基底，其特征在于所述整体基底厚度为1.2mm，在所述整体基底的上表面设置有条状凸起。
文档编号H03H9/05GK102801399SQ20121029781
公开日2012年11月28日 申请日期2012年8月21日 优先权日2012年8月21日
发明者陈义同 申请人:爱普科斯科技(无锡)有限公司