平衡滤波器的制造方法
【专利摘要】本发明构成能提高平衡侧与不平衡侧之间的耦合度、降低插入损耗的平衡滤波器。平衡滤波器(101A)包括一个不平衡端子(Pu)、第一平衡端子(Pb1)、第二平衡端子(Pb2)、接地端子(Pg)、不平衡侧耦合线圈(Lu)、与该不平衡侧耦合线圈(Lu)进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈(Lb)、及不平衡侧电容器(Cu)。由不平衡侧电容器(Cu)、不平衡侧耦合线圈(Lu)、及平衡侧耦合线圈(Lb)的一部分构成LC并联谐振电路。平衡侧耦合线圈(Lb)的第一端(TLb1)是与不平衡侧耦合线圈(Lu)的第一端(TLu1)相同极性的端子。而且，不平衡侧耦合线圈(Lu)的第二端(TLu2)与平衡侧耦合线圈(Lb)的第一端(TLb1)相连接。
【专利说明】平衡滤波器
【技术领域】
[0001]本发明涉及包括不平衡侧耦合线圈和平衡侧耦合线圈、并进行不平衡-平衡转换的平衡滤波器。
【背景技术】
[0002]例如，在专利文献I中公开了一种包括多个电介质层与电极层的层叠体的层叠平衡滤波器。
[0003]图13是专利文献I的层叠型平衡滤波器的分解立体图。图14是该层叠型平衡滤波器的等效电路图。如图13所示，该层叠平衡滤波器由将各自形成有规定的电极图案的多个电介质层251、242、241、271、211、201、221进行层叠而成的层叠体所构成。
[0004]如图14所示，层叠型平衡滤波器包括不平衡端子Pu、接地端子Pg、及平衡端子Pbl、Pb2。图14的线圈Lu相当于由图13所示的过孔电极151、152及不平衡侧线圈131所构成的不平衡侧线圈。图14的线圈Lb相当于图13所示的三个平衡侧线圈中的中央的线圈142。线圈LI相当于由图13所示的平衡侧线圈141及过孔电极153所构成的线圈。同样，线圈L2相当于由图13所示的平衡侧线圈143及过孔电极154所构成的线圈。
[0005]此外，图14的电容器Cu是电容器电极121与接地电极120之间产生的电容器。电容器Cl是电容器电极122与接地电极120之间产生的电容器。同样，电容器C2是电容器电极123与接地电极120之间产生的电容器。
[0006]由图14所示的线圈Lu和电容器Cu构成LC并联谐振器。由线圈L1、L2和电容器Cl、C2构成的电路起到阻抗匹配及阻抗转换的电路的作用。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1:日本专利特开2011-124880号公报
【发明内容】
[0010]发明所要解决的技术问题
[0011]专利文献I所示的平衡滤波器具有以下优点:即，能够通过与各平衡输出端子相连接的线圈L1、L2及电容器Cl、C2来容易地调整输出的阻抗，并且由于未使用1/2波长的线路,因此,能减小元件尺寸。
[0012]在包括专利文献I在内的通常的平衡滤波器中，不平衡侧的耦合线圈与平衡侧的耦合线圈进行电磁耦合，从而不平衡侧与平衡侧进行信号转换，耦合线圈之间的耦合度主要由耦合线圈之间的距离来确定。因此，在因制造上的限制而无法使耦合线圈之间的距离较小的情况下，或因制造偏差而使耦合线圈之间的距离分开的情况下，会产生耦合线圈之间的耦合度减小、平衡滤波器的插入损耗增大这样的问题。此外，为了提高耦合线圈之间的耦合度，增大卷绕直径是有效的，但为此必须大型化。
[0013]本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能提高平衡侧与不平衡侧之间的耦合度、并能降低插入损耗的平衡滤波器。
[0014]解决技术问题所采用的技术方案
[0015](I)本发明的平衡滤波器包括一个不平衡端子、第一平衡端子、第二平衡端子、接地端子、不平衡侧耦合线圈、与该不平衡侧耦合线圈进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈、及不平衡侧电容器，其特征在于，
[0016]所述不平衡侧耦合线圈的第一端与所述不平衡端子相连接，所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述接地端子相连接，
[0017]所述不平衡侧电容器的第一端与所述不平衡端子相连接，所述不平衡侧电容器的第二端与所述接地端子相连接，构成包含所述不平衡侧电容器、所述不平衡侧耦合线圈及所述平衡侧耦合线圈的LC并联谐振电路，
[0018]与所述不平衡侧耦合线圈的第一端相同极性的端子即所述平衡侧耦合线圈的第一端与所述第一平衡端子相连接，所述平衡侧耦合线圈的第二端与所述第二平衡端子相连接，
[0019]所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈相连接。
[0020]通过采用上述结构，平衡侧耦合线圈与不平衡侧耦合线圈的感应性耦合增强，因此，能降低插入损耗。
[0021](2)优选所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第一端相连接，或者与比所述平衡侧耦合线圈的中央更靠所述平衡侧耦合线圈的第一端的位置相连接。
[0022](3)本发明的平衡滤波器包括一个不平衡端子、第一平衡端子、第二平衡端子、接地端子、不平衡侧耦合线圈、与该不平衡侧耦合线圈进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈、及不平衡侧电容器，其特征在于，
[0023]所述不平衡侧耦合线圈的第一端与所述不平衡端子相连接，所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述接地端子相连接，
[0024]所述不平衡侧电容器的第一端与所述不平衡端子相连接，所述不平衡侧电容器的第二端与所述接地端子相连接，构成包含所述不平衡侧电容器、所述不平衡侧耦合线圈的LC并联谐振电路，
[0025]与所述不平衡侧耦合线圈的第一端相同极性的端子即所述平衡侧耦合线圈的第一端与所述第一平衡端子相连接，所述平衡侧耦合线圈的第二端与所述第二平衡端子相连接，
[0026]所述平衡侧耦合线圈在其中途与所述接地端子相连接，
[0027]所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第一端相连接，或者与比所述平衡侧耦合线圈的与接地端子相连接的位置更靠所述平衡侧耦合线圈的第一端的位置相连接。
[0028]通过采用上述结构，能容易地调整平衡输出的振幅差、相位差。
[0029](4)优选为以下结构:即，在上述(I)、(2)或(3)中，还包括第一平衡侧线圈、第二平衡侧线圈、第一平衡侧电容器、及第二平衡侧电容器，
[0030]第一平衡侧线圈的第一端与所述第一平衡端子相连接，第一平衡侧线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第一端相连接，[0031]第二平衡侧线圈的第一端与所述第二平衡端子相连接，第二平衡侧线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第二端相连接，
[0032]所述第一平衡侧电容器的第一端与所述第一平衡端子相连接，所述第一平衡侧电容器的第二端与所述接地端子相连接，
[0033]所述第二平衡侧电容器的第一端与所述第二平衡端子相连接，所述第二平衡侧电容器的第二端与所述接地端子相连接。
[0034]通过采用上述结构，能通过第一、第二平衡侧线圈及平衡侧电容器将平衡端子的输出阻抗确定为规定值。
[0035](5)优选在所述不平衡侧耦合线圈的第一端与所述不平衡端子之间插入有直流除去用的电容器。通过采用该结构，能施加DC馈电。
[0036](6)本发明的平衡滤波器包括多个电介质层、多个电极层、在所述电介质层的层叠方向上通过的多个纵向导通电极、一个不平衡端子、两个平衡端子、及接地端子，通过所述电极层，或者通过所述电极层及所述纵向导通电极，来构成接地电极、不平衡侧耦合线圈、与该不平衡侧耦合线圈进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈、及不平衡侧电容器电极，其特征在于，
[0037]所述接地电极与所述接地端子导通，
[0038]所述不平衡侧耦合线圈的第一端与所述不平衡端子导通，
[0039]所述不平衡侧电容器电极配置在与所述接地电极相对的位置上，并与所述不平衡端子导通，
[0040]与所述不平衡侧耦合线圈的第一端相同极性的端子即所述平衡侧耦合线圈的第一端与第一平衡端子导通， 所述平衡侧耦合线圈的第二端与第二平衡端子导通，
[0041 ] 所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈导通。
[0042]通过采用上述结构，平衡侧耦合线圈与不平衡侧耦合线圈的感应性耦合增强，因此，能降低插入损耗。
[0043](7)优选在￠)中，所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第一端导通，或者与比所述平衡侧耦合线圈的中央更靠所述平衡侧耦合线圈的第一端的位置导通。
[0044](8)本发明的平衡滤波器包括多个电介质层、多个电极层、在所述电介质层的层叠方向上通过的多个纵向导通电极、一个不平衡端子、两个平衡端子、及接地端子，通过所述电极层，或者通过所述电极层及所述纵向导通电极，来构成接地电极、不平衡侧耦合线圈、与该不平衡侧耦合线圈进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈、及不平衡侧电容器电极，其特征在于，
[0045]所述接地电极与所述接地端子导通，
[0046]所述不平衡侧耦合线圈的第一端与所述不平衡端子导通，
[0047]所述不平衡侧电容器电极配置在与所述接地电极相对的位置上，并与所述不平衡端子导通，
[0048]与所述不平衡侧耦合线圈的第一端相同极性的端子即所述平衡侧耦合线圈的第一端与第一平衡端子导通，所述平衡侧耦合线圈的第二端与第二平衡端子导通，
[0049]所述平衡侧耦合线圈在其中途与所述接地端子相连接，[0050]所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第一端导通，或者与比所述平衡侧耦合线圈的与接地端子相连接的位置更靠第一端的位置导通。
[0051]通过采用上述结构，能容易地调整平衡输出的振幅差、相位差。
[0052](9)优选在上述(6)、(7)或⑶中，所述不平衡侧耦合线圈具有由所述电极层及所述纵向导通电极形成的第一不平衡侧耦合线圈导体部、及第二不平衡侧耦合线圈导体部，
[0053]所述第一不平衡侧耦合线圈导体部和所述第二不平衡侧耦合线圈导体部形成在不同的电介质层上，
[0054]在层叠方向上，在所述第一不平衡侧耦合线圈导体部与所述第二不平衡侧耦合线圈导体部之间形成有所述平衡侧耦合线圈。
[0055]由此，通过由形成在不同的电介质层上的两个线圈导体部构成不平衡侧耦合线圈，从而能容易地调整各线圈部的线宽、长度，能在保持小型的同时，容易实现所希望的特性。
[0056](10)优选在(6)?(9)中的任一项中，通过所述电极层、或者通过所述电极层及所述纵向导通电极来构成第一平衡侧线圈及第二平衡侧线圈，通过所述电极层来构成第一平衡侧电容器电极及第二平衡侧电容器电极，
[0057]将所述接地电极配置在形成所述平衡侧耦合线圈及所述不平衡侧耦合线圈的电极层以外的电极层上的、夹着所述第一平衡侧电容器电极及所述第二平衡侧电容器电极的位置上。
[0058]通过采用上述结构，能降低电容器电极与线圈之间的干扰。
[0059]发明的效果
[0060]根据本发明，平衡侧耦合线圈与不平衡侧耦合线圈的耦合增强，因此，能降低插入损耗。
【专利附图】
【附图说明】
[0061]图1是实施方式I所涉及的平衡滤波器IOlA的电路图。
[0062]图2是实施方式I所涉及的另一平衡滤波器IOlB的电路图。
[0063]图3是实施方式I所涉及的又一平衡滤波器IOlC的电路图。
[0064]图4是使实施方式I所涉及的平衡滤波器IOlC构成为层叠体的情况的分解立体图。
[0065]图5是表示由电路仿真得到的反射特性及通过特性的图，实线是本发明的实施方式所涉及的平衡滤波器IOic的特性，虚线是图13所示的现有的平衡滤波器的特性。
[0066]图6是表示实测得到的通过特性的图，图6 (A)示出了频率0.27?5.3GHz时的插入损耗，图6 (B)示出了频率0.5?1.5GHz时的插入损耗。
[0067]图7是使实施方式2所涉及的平衡滤波器102构成为层叠体的情况的分解立体图。
[0068]图8是实施方式3所涉及的平衡滤波器103的等效电路图。
[0069]图9是使平衡滤波器103构成为层叠体的情况的分解立体图。
[0070]图10是实施方式4所涉及的平衡滤波器104A、104B的等效电路图。
[0071]图11是使平衡滤波器104A构成为层叠体的情况的分解立体图。[0072]图12是使实施方式5所涉及的平衡滤波器105构成为层叠体的情况的分解立体图。
[0073]图13是专利文献I的层叠型平衡滤波器的分解立体图。
[0074]图14是专利文献I的层叠型平衡滤波器的等效电路图。
【具体实施方式】
[0075]《实施方式I》
[0076]图1是实施方式I所涉及的平衡滤波器IOlA的电路图。该平衡滤波器IOlA包括一个不平衡端子Pu、第一平衡端子Pbl、第二平衡端子Pb2、接地端子Pg、不平衡侧耦合线圈Lu、与该不平衡侧耦合线圈Lu进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈Lb、及不平衡侧电容器Cu。
[0077]不平衡侧稱合线圈Lu的第一端TLul与不平衡端子Pu相连接,不平衡侧稱合线圈Lu的第二端TLu2与平衡侧耦合线圈Lb的第一端TLbl相连接。不平衡侧电容器Cu的第一端TCul与不平衡端子Pu相连接，不平衡侧电容器Cu的第二端TCu2与接地端子Pg相连接，由不平衡侧电容器Cu、不平衡侧耦合线圈Lu、及平衡侧耦合线圈Lb的一部分来构成LC并联谐振电路。
[0078]与不平衡侧耦合线圈Lu的第一端TLul相同极性的端子即平衡侧耦合线圈Lb的第一端TLbl与第一平衡端子Pbl相连接，平衡侧耦合线圈Lb的第二端TLb2与第二平衡端子Pb2相连接。
[0079]而且,不平衡侧稱合线圈Lu的第二端TLu2与平衡侧稱合线圈Lb的第一端TLbl相连接。
[0080]通过以上的结构，如图1所示的示例那样，在不平衡侧耦合线圈Lu中，当有电流从不平衡侧耦合线圈Lu的第一端TLul流向第二端TLu2时，在平衡侧耦合线圈Lb中，感应出从平衡侧耦合线圈Lb的第一端TLb I朝向第二端TLb2的方向的电流。该电流的方向与从不平衡侧耦合线圈Lu的第二端TLu2流向平衡侧耦合线圈Lb的第一端TLbl的电流的方向相同(相同极性)。因此，增强了平衡侧耦合线圈Lb与不平衡侧耦合线圈Lu的感应性耦合。其结果是，降低了不平衡端子Pu-平衡端子(Pbl、Pb2)之间的插入损耗。
[0081]图2是实施方式I所涉及的另一平衡滤波器IOlB的电路图。与图1所示的平衡滤波器IOlA不同，平衡侧耦合线圈Lb的中途接地。如图2所示的示例那样，在不平衡侧耦合线圈Lu中，当有电流从不平衡侧耦合线圈Lu的第一端TLul流向第二端TLu2时，在平衡侧耦合线圈Lb中，感应出从平衡侧耦合线圈Lb的第一端TLbl朝向第二端TLb2的方向的电流。该电流的方向与从不平衡侧耦合线圈Lu的第二端TLu2流向平衡侧耦合线圈Lb的第一端TLbl的电流的方向相同(相同极性)。从不平衡端子Pu流入的电流通过不平衡侧耦合线圈Lu，从平衡侧耦合线圈Lb的第一端TLbl流入，通过平衡侧耦合线圈Lb的一部分(处于接地与第一端TLbl之间的部分)流向接地。
[0082]在图1所示的平衡滤波器IOlA中，将平衡侧耦合线圈Lb的两端作为平衡端子PbU Pb2引出，因此,平衡侧耦合线圈Lb与不平衡侧耦合线圈Lu进行耦合,从而平衡侧耦合线圈Lb的中央起到假想的接地的作用。因此，图1所示的平衡滤波器IOlA与图2所示的平衡滤波器IOlB起到等效的相等的作用。
[0083]另外，在图2中，若将平衡侧耦合线圈Lb的上半部分(处于从接地连接点到平衡侧耦合线圈Lb的第一端TLbl之间的部分)与不平衡侧耦合线圈Lu之间的耦合度用Ml来表示，将平衡侧耦合线圈Lb的下半部分(处于从接地连接点到平衡侧耦合线圈Lb的第二端TLb2之间的部分)与不平衡侧耦合线圈Lu之间的耦合度用M2来表示，则成为Ml > M2的关系。这是由于流过不平衡侧耦合线圈Lu的电流也流过平衡侧耦合线圈Lb的上半部分的缘故。因此，适当确定平衡侧耦合线圈Lb的上半部分和下半部分的线路长度、与不平衡侧耦合线圈Lu并行的距离及间隔，以使输出到平衡端子Pbl、Pb2的平衡信号的振幅及相位均平衡。
[0084]图3是实施方式I所涉及的又一平衡滤波器IOlC的电路图。该平衡滤波器IOlC包括第一平衡侧线圈L1、第二平衡侧线圈L2、第一平衡侧电容器Cl、及第二平衡侧电容器C2，第一平衡侧线圈LI的第一端TLll与第一平衡端子Pbl相连接，第一平衡侧线圈LI的第二端TL12与平衡侧耦合线圈Lb的第一端TLbl相连接。此外，第二平衡侧线圈L2的第一端TL21与第二平衡端子Pb2相连接，第二平衡侧线圈L2的第二端TL22与平衡侧耦合线圈Lb的第二端TLb2相连接。
[0085]而且，第一平衡侧电容器Cl的第一端TCll与第一平衡端子Pbl相连接，第一平衡侧电容器Cl的第二端TC12进行接地。第二平衡侧电容器C2的第一端TC21与第二平衡端子Pb2相连接，第二平衡侧电容器C2的第二端TC22进行接地。
[0086]图4是使实施方式I所涉及的平衡滤波器IOlC构成为层叠体的情况的分解立体图。该平衡滤波器由将分别形成有规定的电极图案的多个电介质层SI?S9进行层叠而成的层叠体所构成。在通过烧成来构成层叠体时，将各自形成有电极图案的多个电介质生片进行层叠，并对其进行加压和烧成。因此，烧成后的电介质成为一体，并不一定呈现层的状态。不过，即使在此情况下，由于在电极层与电极层之间存在规定厚度的电介质，因此，可以说上述层叠体是将电介质层与电极层层叠而成的。这样的情况对下面所示的其他各实施方式也相同。
[0087]层叠体包括一个不平衡端子Pu、两个平衡端子Pbl、Pb2、及接地端子Pg，并形成有在电介质层的层叠方向上通过的多个纵向导通电极(过孔电极)。而且，通过电极层，或通过电极层及纵向导通电极，构成接地电极Gl、G2、不平衡侧耦合线圈Lu、与该不平衡侧耦合线圈Lu进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈Lb、及不平衡侧电容器电极Eu。此外，接地电极G1、G2与接地端子Pg导通。
[0088]不平衡侧电容器电极Eu配置在与接地电极Gl、G2相对的位置上，并与不平衡端子Pu导通。
[0089]第一平衡侧线圈导体L11、L12构成第一平衡侧线圈。第一平衡侧线圈导体L12的端部(第一平衡侧线圈的第一端)与第一平衡端子Pbl导通。第一平衡侧线圈导体L12的端部(第一平衡侧线圈的第二端)与平衡侧耦合线圈Lb的第一端导通。
[0090]第二平衡侧线圈导体L21、L22构成第二平衡侧线圈。第二平衡侧线圈导体L22的端部(第二平衡侧线圈的第一端)与第二平衡端子Pb2导通。第二平衡侧线圈导体L22的端部(第二平衡侧线圈的第二端)与平衡侧耦合线圈Lb的第二端导通。
[0091]不平衡侧耦合线圈Lu的第一端经由布线导体La与不平衡端子Pu导通。而且，不平衡侧耦合线圈Lu的第二端与平衡侧耦合线圈Lb的第一端导通。
[0092]如图4所示,若在形成有平衡侧稱合线圈Lb及不平衡侧稱合线圈Lu的电极层与形成有不平衡侧电容器电极Eu、第一平衡侧电容器电极El及第二平衡侧电容器电极E2的电极层之间配置接地电极G1，则能降低不平衡侧电容器电极Eu及平衡侧电容器电极E1、E2与各线圈之间的干扰。
[0093]图5是表示由电路仿真得到的反射特性及通过特性的图，实线是本发明的实施方式所涉及的平衡滤波器IOlC的特性，虚线是图13所示的现有的平衡滤波器的特性。此处，S21是从不平衡端子到平衡端子的插入损耗，Sll是不平衡端子的反射系数。
[0094]现有的平衡滤波器的情况下，通频带(仿真中所设定的通频带)的频率2.4GHz时的插入损耗为0.26 (dB), 2.5GHz时的插入损耗为0.30 (dB)，与此不同的是，本发明的实施方式所涉及的平衡滤波器中，通频带的频率2.4GHz时的插入损耗为0.17 (dB)，2.5GHz时的插入损耗为0.18 (dB) ο
[0095]图6是表示实测得到的通过特性的图，图6 (A)示出了频率0.27?5.3GHz时的插入损耗，图6 (B)示出了频率0.5?1.5GHz时的插入损耗。此处，S21(P)是图13所示的现有的平衡滤波器的特性，S21(E)是本发明的实施方式所涉及的平衡滤波器IOlC的特性。
[0096]现有的平衡滤波器的情况下，通频带(试制的平衡滤波器的通频带)的频率0.869GHz时的插入损耗为1.02(dB)，0.96GHz时的插入损耗为1.00 (dB)，与此不同的是，本发明的实施方式所涉及的平衡滤波器中，通频带的频率0.869GHz时的插入损耗为0.83 (dB)，0.96GHz 时的插入损耗为 0.79 (dB)。
[0097]由此可见，无论在仿真中还是实测中，插入损耗均改善了约0.2dB。
[0098]《实施方式2》
[0099]图7是使实施方式2所涉及的平衡滤波器102构成为层叠体的情况的分解立体图。该平衡滤波器102的等效电路与实施方式I中图3所示的相同。该平衡滤波器102由将各自形成有规定的电极图案的多个电介质层SI?S9进行层叠而成的层叠体所构成。
[0100]层叠体包括一个不平衡端子Pu、两个平衡端子Pbl、Pb2、及接地端子Pg，并形成有在电介质层的层叠方向上通过的多个纵向导通电极(过孔电极)。而且，通过电极层，或通过电极层及纵向导通电极，来构成接地电极G1、G2、构成不平衡侧耦合线圈的不平衡侧耦合线圈导体Lul、Lu2、与该不平衡侧耦合线圈进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈Lb、及不平衡侧电容器电极Eu。此外，接地电极G1、G2与接地端子Pg导通。不平衡侧耦合线圈Lu的第一端经由布线导体La与不平衡端子Pu导通。
[0101]不平衡侧电容器电极Eu配置在与接地电极G1、G2相对的位置上，并与不平衡端子Pu导通。
[0102]第一平衡侧线圈导体L11、L12构成第一平衡侧线圈。第一平衡侧线圈导体L12的端部(第一平衡侧线圈的第一端)与第一平衡端子Pbl导通。第一平衡侧线圈导体LU的端部(第一平衡侧线圈的第二端)与平衡侧耦合线圈Lb的第一端导通。
[0103]第二平衡侧线圈导体L21、L22构成第二平衡侧线圈。第二平衡侧线圈导体L22的端部(第二平衡侧线圈的第一端)与第二平衡端子Pb2导通。第二平衡侧线圈导体L21的端部(第二平衡侧线圈的第二端)与平衡侧耦合线圈Lb的第二端导通。
[0104]如上所述,不平衡侧稱合线圈导体Lul、Lu2构成不平衡侧稱合线圈。不平衡侧率禹合线圈导体Lul的端部(不平衡侧耦合线圈的第一端)经由布线导体La与不平衡端子Pu导通。而且，不平衡侧耦合线圈导体Lu2的端部(不平衡侧耦合线圈的第二端)与平衡侧耦合线圈Lb的第一端导通。
[0105]由此，也可以将构成不平衡侧耦合线圈的线圈导体部Lul和Lu2分在两个层上，并以夹着平衡侧耦合线圈Lb的方式进行配置。由此，通过由形成在不同的电介质层上的两个线圈导体部构成不平衡侧耦合线圈，能容易地调整各线圈部的线宽、长度，能在保持小型的同时，容易实现所希望的特性。
[0106]《实施方式3》
[0107]图8是实施方式3所涉及的平衡滤波器103的等效电路图。在该示例中，使不平衡侧耦合线圈Lu的第二端TLu2与比平衡侧耦合线圈Lb的第一端TLbl更靠中央(接地连接点)的位置相连接。
[0108]图9是使平衡滤波器103构成为层叠体的情况的分解立体图。该平衡滤波器103的等效电路与实施方式I中图3所示的相同。该平衡滤波器103由将各自形成有规定的电极图案的多个电介质层SI?SlO进行层叠而成的层叠体所构成。
[0109]该示例中，构成第一平衡侧线圈的线圈导体的一部分Lll形成在电介质层S3上。此外，构成平衡侧耦合线圈的线圈导体的一部分Lbl形成在该电介质层S3上，构成平衡侧耦合线圈的线圈导体的一部分Lb2形成在电介质层S4上。而且，构成不平衡侧耦合线圈的线圈导体的一部分Lu2形成在电介质层S3上。也可以将线圈导体Lbl看作是构成第一平衡侧线圈的线圈导体Lll的一部分。
[0110]其他的基本结构与实施方式2相同。由此，不平衡侧耦合线圈Lu的第二端并不限于与平衡侧耦合线圈Lb的第一端相连接，也可以与比平衡侧耦合线圈Lb的第一端更靠线圈的中央的位置相连接。
[0111]另外，本实施例中，由形成在电介质层S3上的构成不平衡侧耦合线圈的一部分的线圈导体Lu2和形成在电介质层S5上的构成不平衡侧耦合线圈的一部分的线圈导体Lul的一部分在电介质层的层叠方向上夹着形成在电介质层S4上的平衡侧耦合线圈Lb2，因此，能增强不平衡侧耦合线圈与平衡侧耦合线圈之间的电容性耦合。
[0112]《实施方式4》
[0113]图10是实施方式4所涉及的平衡滤波器104A、104B的等效电路图。平衡滤波器104A与图3所示的平衡滤波器IOlC不同，在不平衡侧耦合线圈Lu的第一端TLul与不平衡端子Pu之间插入有直流除去用的电容器Cd。此外，平衡滤波器104B具有DC偏置端子Pd，平衡侧耦合线圈Lb的中央未与接地端子Pg相连接，而是与DC偏置端子Pd相连接。
[0114]图11是使平衡滤波器104A构成为层叠体的情况的分解立体图。该平衡滤波器104A由将各自形成有规定的电极图案的多个电介质层SI?Sll进行层叠而成的层叠体所构成。由形成在电介质层S7上的电极Ed2和形成在电介质层S8上的电极Edl来构成图10(A)所示的直流除去用的电容器Cd。此外，由形成在电介质层S8上的电极Eu和形成在电介质层S9上的接地电极Gl来构成图1(KA)所示的不平衡侧电容器Cu。
[0115]在以上的结构中，不平衡端子Pu与平衡侧耦合线圈Lb成为直流绝缘状态，因此，平衡侧的电路不会受影响，能从外部电路对与不平衡端子Pu连接的电路施加直流偏置电压。
[0116]此外，如果如图10(B)所示地包括DC偏置端子Pd，则不会受到与不平衡端子相连接的电路的影响，能对与平衡端子Pbl、Pb2连接的平衡侧电路施加直流偏置电压。[0117]《实施方式5》
[0118]图12是使实施方式5所涉及的平衡滤波器105构成为层叠体的情况的分解立体图。该平衡滤波器105的等效电路与实施方式I中图3所示的相同。该平衡滤波器105由将各自形成有规定的电极图案的多个电介质层SI?S7进行层叠而成的层叠体所构成。由形成在电介质层S1、S2上的线圈导体L11、L12来构成第一平衡侧线圈LI。同样，由线圈导体L21、L22来构成第二平衡侧线圈L2。其他的基本结构与图4所示的相同。
[0119]由此，也可以将平衡侧的线圈L1、L2形成在相同的电介质层上。这样，能削减电介质层及电极层的层数，降低高度。
[0120]《其他实施方式》
[0121]以上示出的各实施方式中，对将不平衡端子用作输入端子、将平衡端子用作输出端子的情况进行了说明，但也可以将平衡端子用作输入端子，将不平衡端子用作输出端子。
[0122]标号说明
[0123]Cl…第一平衡侧电容器
[0124]C2...第二平衡侧电容器
[0125]Cd…直流除去用电容器
[0126]Cu…不平衡侧电容器
[0127]Fl…第一平衡侧电容器电极
[0128]E2…第二平衡侧电容器电极
[0129]Edl、Ed2 …电 极
[0130]Eu…不平衡侧电容器电极
[0131]G1、G2…接地电极
[0132]LI…第一平衡侧线圈
[0133]Lll、L12…第一平衡侧线圈导体
[0134]L2…第二平衡侧线圈
[0135]L21、L22…第二平衡侧线圈导体
[0136]La…布线导体
[0137]Lb…平衡侧耦合线圈
[0138]Lbl、Lb2...平衡侧耦合线圈的线圈导体
[0139]Lu…不平衡侧耦合线圈
[0140]Lul、Lu2...不平衡侧稱合线圈的线圈导体
[0141]PbL...第一平衡端子
[0142]Pb2…第二平衡端子
[0143]Pd…DC偏置端子
[0144]Pg…接地端子
[0145]Pu…不平衡端子
[0146]SI?Sll…电介质层
[0147]101A、101b、IOlC …平衡滤波器
[0148]102、103…平衡滤波器
[0149]104A、104B…平衡滤波器[0150] 105…平 衡滤波器。
【权利要求】
1.一种平衡滤波器，该平衡滤波器包括一个不平衡端子、第一平衡端子、第二平衡端子、接地端子、不平衡侧耦合线圈、与该不平衡侧耦合线圈进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈、及不平衡侧电容器，其特征在于， 所述不平衡侧耦合线圈的第一端与所述不平衡端子相连接，所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述接地端子相连接， 所述不平衡侧电容器的第一端与所述不平衡端子相连接，所述不平衡侧电容器的第二端与所述接地端子相连接，构成包含所述不平衡侧电容器、所述不平衡侧耦合线圈的LC并联谐振电路， 与所述不平衡侧耦合线圈的第一端相同极性的端子即所述平衡侧耦合线圈的第一端与所述第一平衡端子相连接，所述平衡侧耦合线圈的第二端与所述第二平衡端子相连接， 所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈相连接。
2.如权利要求1所述的平衡滤波器，其特征在于， 所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第一端相连接，或者与比所述平衡侧耦合线圈的中央更靠所述平衡侧耦合线圈的第一端的位置相连接。
3.一种平衡滤波 器，该平衡滤波器包括一个不平衡端子、第一平衡端子、第二平衡端子、接地端子、不平衡侧耦合线圈、与该不平衡侧耦合线圈进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈、及不平衡侧电容器，其特征在于， 所述不平衡侧耦合线圈的第一端与所述不平衡端子相连接，所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述接地端子相连接， 所述不平衡侧电容器的第一端与所述不平衡端子相连接，所述不平衡侧电容器的第二端与所述接地端子相连接，构成包含所述不平衡侧电容器、所述不平衡侧耦合线圈的LC并联谐振电路， 与所述不平衡侧耦合线圈的第一端相同极性的端子即所述平衡侧耦合线圈的第一端与所述第一平衡端子相连接，所述平衡侧耦合线圈的第二端与所述第二平衡端子相连接，所述平衡侧耦合线圈在其中途与所述接地端子相连接， 所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第一端相连接，或者与比所述平衡侧耦合线圈的与接地端子相连接的位置更靠所述平衡侧耦合线圈的第一端的位置相连接。
4.如权利要求1至3的任一项所述的平衡滤波器，其特征在于， 包括第一平衡侧线圈、第二平衡侧线圈、第一平衡侧电容器、及第二平衡侧电容器， 第一平衡侧线圈的第一端与所述第一平衡端子相连接，第一平衡侧线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第一端相连接， 第二平衡侧线圈的第一端与所述第二平衡端子相连接，第二平衡侧线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第二端相连接， 所述第一平衡侧电容器的第一端与所述第一平衡端子相连接，所述第一平衡侧电容器的第二端与所述接地端子相连接， 所述第二平衡侧电容器的第一端与所述第二平衡端子相连接，所述第二平衡侧电容器的第二端与所述接地端子相连接。
5.如权利要求1至4的任一项所述的平衡滤波器，其特征在于，在所述不平衡侧耦合线圈的第一端与所述不平衡端子之间插入有直流除去用的电容器。
6.一种平衡滤波器，该平衡滤波器包括多个电介质层、多个电极层、在所述电介质层的层叠方向上通过的多个纵向导通电极、一个不平衡端子、两个平衡端子、及接地端子，通过所述电极层，或者通过所述电极层及所述纵向导通电极，来构成接地电极、不平衡侧耦合线圈、与该不平衡侧耦合线圈进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈、及不平衡侧电容器电极，其特征在于， 所述接地电极与所述接地端子导通， 所述不平衡侧耦合线圈的第一端与所述不平衡端子导通， 所述不平衡侧电容器电极配置在与所述接地电极相对的位置上，并与所述不平衡端子导通， 与所述不平衡侧耦合线圈的第一端相同极性的端子即所述平衡侧耦合线圈的第一端与第一平衡端子导通，所述平衡侧耦合线圈的第二端与第二平衡端子导通， 所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈导通。
7.如权利要求6所述的平衡滤波器，其特征在于， 所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第一端导通，或者与比所述平衡侧耦合线圈的中央更靠所述平衡侧耦合线圈的第一端的位置导通。
8.一种平衡滤波器，该平衡滤波器包括多个电介质层、多个电极层、在所述电介质层的层叠方向上通过的多个纵向导通电极、一个不平衡端子、两个平衡端子、及接地端子，通过所述电极层，或者通过所述电极层及所述纵向导通电极，来构成接地电极、不平衡侧耦合线圈、与该不平衡侧耦合线圈 进行电磁耦合的平衡侧耦合线圈、及不平衡侧电容器电极，其特征在于， 所述接地电极与所述接地端子导通， 所述不平衡侧耦合线圈的第一端与所述不平衡端子导通， 所述不平衡侧电容器电极配置在与所述接地电极相对的位置，并与所述不平衡端子导通， 与所述不平衡侧耦合线圈的第一端相同极性的端子即所述平衡侧耦合线圈的第一端与第一平衡端子导通，所述平衡侧耦合线圈的第二端与第二平衡端子导通， 所述平衡侧耦合线圈在其中途与所述接地端子相连接， 所述不平衡侧耦合线圈的第二端与所述平衡侧耦合线圈的第一端导通，或者与比所述平衡侧耦合线圈的与接地端子相连接的位置更靠第一端的位置导通。
9.如权利要求6至8的任一项所示的平衡滤波器，其特征在于， 所述不平衡侧耦合线圈具有由所述电极层及所述纵向导通电极形成的第一不平衡侧耦合线圈导体部、及第二不平衡侧耦合线圈导体部， 所述第一不平衡侧耦合线圈导体部和所述第二不平衡侧耦合线圈导体部形成在不同的电介质层上， 在层叠方向上，在所述第一不平衡侧耦合线圈导体部与所述第二不平衡侧耦合线圈导体部之间形成有所述平衡侧耦合线圈。
10.如权利要求6至9的任一项所述的平衡滤波器，其特征在于，通过所述电极层、或者通过所述电极层及所述纵向导通电极来构成第一平衡侧线圈及第二平衡侧线圈，通过所述电极层来构成第一平衡侧电容器电极及第二平衡侧电容器电极， 将所述接地电极配置在形成所述平衡侧耦合线圈及所述不平衡侧耦合线圈的电极层以外的电极层上的、夹着所述第一平衡侧电容器电极及所述第二平衡侧电容器电极的位置上。.
【文档编号】H03H7/42GK103427784SQ201310180809
【公开日】2013年12月4日 申请日期:2013年5月16日 优先权日:2012年5月17日
【发明者】田中阳, 谷口哲夫 申请人:株式会社村田制作所