一种熔丝调节电路的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种熔丝调节电路，包括MOS管（203）、偏置电流（204）、熔丝F1（201）和熔丝F2（202），MOS管（203）的源极连接偏置电流（204），在MOS管（203）的栅极接有两级分别由MOS管MP1（207）和MOS管MN1（208）、MOS管MP2（209）和MOS管MN2（210）组成的反相器；在所述MOS管MP1（207）和MOS管MN1（208）组成的反相器之前接有熔丝调节MOS管（211），最后熔丝调节MOS管（211）的栅极通过熔丝F1（201）和熔丝F2（202）分别连接至电源和地，熔丝调节MOS管（211）的源极接有电流偏置（206）。熔丝调节MOS管（211）尺寸小于MOS管（203）。
【专利说明】—种熔丝调节电路
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及集成电路领域，尤其涉及用于模拟集成电路中的一种熔丝调节电路。【背景技术】
[0002]在集成电路的中，为了降低芯片的成本，提高芯片的灵活度和成品率。通常要在芯片的设计过程中设置有熔丝。在芯片的测试中，根据测试结果或者芯片设置的参数要求，通过熔丝对电路进行调节，从而可以达到不重新制造芯片也可以对芯片的不同设置的结果。
[0003]目前，常用的熔丝设置电路如图1所示，通过将熔丝直接设置在要调节的MOS管的栅极上，从而实现电路的调节功能。
[0004]这样的方案主要存在以下缺陷:
因为要调节的MOS管可能是功率MOS管。通常功率MOS管尺寸特别大，因此它的寄生电容电阻特别大，源漏电流很大。如果它的栅极直接通过熔丝连接电源或地，可能造成功率MOS管的工作状态不稳定，会给整个芯片引入不必要的噪声。
【发明内容】
[0005]为解决传统熔丝调节电路工作状态不稳定的问题，本发明提供一种新的熔丝调节电路，抗干扰能力强，且实现简单。 [0006]本发明的解决方案如下:
一种熔丝调节电路，包括MOS管(203)、偏置电流(204)、熔丝Fl(201)和熔丝F2(202)，MOS管(203)的源极连接偏置电流(204);在MOS管(203)的栅极接有两级分别由MOS管MPl (207)和 MOS 管 MNl (208)、MOS 管 MP2 (209)和 MOS 管 MN2 (210)组成的反相器；在所述MOS管MPl (207)和MOS 管丽I (208)组成的反相器之前接有熔丝调节MOS管(211)，最后熔丝调节MOS管(211)的栅极通过熔丝Fl (201)和熔丝F2 (202)分别连接至电源和地，熔丝调节MOS管(211)的源极接有电流偏置(206 )。
[0007]熔丝调节MOS管(211)尺寸小于MOS管(203)。
[0008]本发明具有以下优点:
熔丝可以很可靠的控制尺寸很大的功率MOS管，且基本不会引入额外的噪声。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为传统熔丝调节电路示意图。
[0010]图2为本发明熔丝调节电路示意图。
【具体实施方式】
[0011]传统熔丝调节电路如图1所示，功率MOS管MP3的栅极通过熔丝Fl和F2分别连接至电源和地。功率MOS管MP3的源极接电流偏置Ibias，漏极输出。通常，因为要调节的MOS管是功率MOS管。通常功率MOS管尺寸特别大，因此它的寄生电容电阻特别大，源漏电流很大。如果它的栅极直接通过熔丝连接电源或地，可能造成功率MOS管的工作状态不稳定，会给整个芯片引入不必要的噪声。
[0012]本发明熔丝调节电路如图2所示，功率MOS管MP3源极接有电流偏置Ibias，MOS管MP3的栅极前接有两级分别由丽I和MPl、丽2和MP2组成的反相器。在丽I和MPl组成的反相器之前接有熔丝调节MOS管MN，最后熔丝调节MOS管MN的栅极通过熔丝Fl和F2分别连接至电源和地。熔丝调节MOS管MN的源极接有电流偏置Ibias。
[0013]功率MOS管MP3的尺寸很大，丽I和MPl、丽2和MP2组成的反相器尺寸依次变大，这两级反相器作为缓冲对大尺寸的MP3进行控制。而熔丝直接连接的MOS管尺寸相对于MP3可以做的很小。这样。熔丝可以很可靠的控制尺寸很大的功率MOS管MP3，而基本不会引入额外的噪声。
【权利要求】
1.一种熔丝调节电路，包括MOS管(203)、偏置电流(204)、熔丝Fl (201)和熔丝F2(202),MOS管(203)的源极连接偏置电流(204)，其特征在于:在MOS管(203)的栅极接有两级分别由 MOS 管 MPl (207)和 MOS 管 MNl (208),MOS 管 MP2 (209)和 MOS 管 MN2 (210)组成的反相器；在所述MOS管MPl (207)和MOS管MNl (208)组成的反相器之前接有熔丝调节MOS管(211)，最后熔丝调节MOS管(211)的栅极通过熔丝Fl (201)和熔丝F2 (202)分别连接至电源和地，熔丝调节MOS管(211)的源极接有电流偏置(206 )。
2.根据权利要求1所述的一种熔丝调节电路，其特征在于:熔丝调节MOS管(211)尺寸小于MOS管(203)。
【文档编号】H03K19/094GK104038212SQ201310624397
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2013年11月30日 优先权日:2013年11月30日
【发明者】张俊 申请人:陕西易阳科技有限公司