专利名称：一种基于单片集成电路的功率放大器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种功率放大器，尤其涉及一种基于单片集成电路的功率放大器。
背景技术：
目前，对现代舰载雷达的要求有:提高目标探测距离、雷达抗干扰能力、数据跟新率、工作可靠性和缩短开机时间。而雷达天线发射和接收的垂直方向宽波束存在空间选择性差；不能测量目标仰角；因为直射无线电波和海面反射无线电波之间的干涉而在雷达探测区域内存在方向图零点；用于舰载天线的放大器；高仰角飞行目标检测性能差；抗干扰能力差；这样就需要借助天线对其信号接收与发送，而天线信号从在抗干扰，所以要求对其信号放大进行接收与发送。但是，目前用于接收与发送的天线信号放大器，抗干扰能力差，不能够准确的对信号的放大。
实用新型内容本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种基于单片集成电路的功率放大器。本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:本实用新型包括直流电源、电流表、电压表、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、二极管、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器、第六电阻器、第七电阻器、第八电阻器、第九电阻器和第十电阻器，所述直流电源的正极输出端分别与所述第三电阻器的第一端、所述二极管的正极和所述第二电阻器的第一端连 接，所述第三电阻器的第二端与所述第二晶体管的发射极连接，所述第二电阻器的第二端与所述第一晶体管的发射极连接，所述第一晶体管的基极分别与所述二极管的负极、所述第四电阻器的第一端和所述第二晶体管的基极连接，所述第一晶体管的集电极分别与所述第三晶体管的发射极、所述第四晶体管的发射极、所述第五晶体管的集电极、所述第六晶体管的集电极连接，所述第三晶体管的基极分别与所述第一电容器的第一端和所述第一电阻器的第一端连接，所述第一电容器的第二端串联所述电流表后与所述直流电源的负极输出端连接，所述第三晶体管的集电极分别与所述第五晶体管的基极和所述第九电阻器的第一端连接，所述第四晶体管的集电极分别与所述第六晶体管的基极和所述第十电阻器的第一端连接，所述第九电阻器的第二端分别与所述第五晶体管的发射极、所述第八晶体管的基极和所述第九晶体管的集电极连接，所述第十电阻器的第二端分别与所述第六晶体管的发射极、所述第九晶体管的基极、所述第十晶体管的基极和所述第十晶体管的集电极连接，所述第四晶体管的基极分别与所述第五电阻器的第一端、所述第二电容器的第一端和所述第六电阻器的第一端连接，所述第六电阻器的第二端与所述第三电容器的第一端连接，所述第五电阻器的第二端分别与所述第二电容器的第二端、所述第七电阻器的第一端、所述电压表的第一端和所述第八电阻器的第一端连接，所述第七电阻器的第二端分别与所述第七晶体管的基极和所述第八晶体管的集电极连接，所述第七晶体管的发射极与所述第二晶体管的集电极连接，所述第九晶体管的集电极分别与所述第十晶体管的发射极、所述第八晶体管的发射极、所述第七晶体管的集电极和所述直流电源的负极输出端连接，所述第一电阻器的第二端、所述第四电阻器的第二端、所述第三电容器的第二端、所述电压表的第二端和所述第八电阻器的第二端均与所述直流电源的负极输出端连接。本实用新型的有益效果在于:本实用新型通过采用集成电路使功率放大器抗干扰能力强；本实用新型具有电路结构简单、抗干扰能力较强和使用寿命较长的优点。
图1是本实用新型所述的一种基于单片集成电路的功率放大器的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明:如图1所示，本实用新型包括直流电源、电流表、电压表V、第一晶体管VT1、第二晶体管VT2、第三晶体管VT3、第四晶体管VT4、第五晶体管VT5、第六晶体管VT6、第七晶体管VT7、第八晶体管VT8、第九晶体管VT9、第十晶体管VT10、二极管VD、第一电容器Cl、第二电容器C2、第三电容器C3、第一电阻器R1、第二电阻器R2、第三电阻器R3、第四电阻器R4、第五电阻器R5、第六电阻器R6、第七电阻器R7、第八电阻器R8、第九电阻器R9和第十电阻器R10，直流电源的正极输出端分别与第三电阻器R3的第一端、二极管VD的正极和第二电阻器R2的第一端连接，第三电阻器R3的第二端与第二晶体管VT2的发射极连接，第二电阻器R2的第二端与第一晶体管VTl的发射极连接，第一晶体管VTl的基极分别与二极管VD的负极、第四电阻器R4的第一端和第二晶体管VT2的基极连接，第一晶体管VTl的集电极分别与第三晶体管VT3的发射极、第四晶体管VT4的发射极、第五晶体管VT5的集电极、第六晶体管VT6的集电极连接，第三晶体管VT3的基极分别与第一电容器Cl的第一端和第一电阻器Rl的第一端连接，第一电容器Cl的第二端串联电流表后与直流电源的负极输出端连接，第三晶体管VT3的集电极分别与第五晶体管VT5的基极和第九电阻器R9的第一端连接，第四晶体管VT4的集电极分别与第六晶体管VT6的基极和第十电阻器RlO的第一端连接，第九电阻器R9的第二端分别与第五晶体管VT5的发射极、第八晶体管VT8的基极和第九晶体管VT9的集电极连接，第十电阻器RlO的第二端分别与第六晶体管VT6的发射极、第九晶体管VT9的基极、第十晶体管VTlO的基极和第十晶体管VTlO的集电极连接，第四晶体管VT4的基极分别与第五电阻器R5的第一端、第二电容器C2的第一端和第六电阻器R6的第一端连接，第六电阻器R6的第二端与第三电容器C3的第一端连接，第五电阻器R5的第二端分别与第二电容器C2的第二端、第七电阻器R7的第一端、电压表V的第一端和第八电阻器R8的第一端连接，第七电阻器R7的第二端分别与第七晶体管VT7的基极和第八晶体管VT8的集电极连接，第七晶体管VT7的发射极与第二晶体管VT2的集电极连接，第九晶体管VT9的集电极分别与第十晶体管VTlO的发射极、第八晶体管VT8的发射极、第七晶体管VT7的集电极和直流电源的负极输出端连接，第一电阻器Rl的第二端、第四电阻器R4的第二端、第三电容器C3的第二端、电压表V的第二端和第八电阻器R8的第二端均与直流电源的负极输出端连接。
权利要求1. 一种基于单片集成电路的功率放大器，其特征在于:包括直流电源、电流表、电压表、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、二极管、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器、第六电阻器、第七电阻器、第八电阻器、第九电阻器和第十电阻器，所述直流电源的正极输出端分别与所述第三电阻器的第一端、所述二极管的正极和所述第二电阻器的第一端连接，所述第三电阻器的第二端与所述第二晶体管的发射极连接，所述第二电阻器的第二端与所述第一晶体管的发射极连接，所述第一晶体管的基极分别与所述二极管的负极、所述第四电阻器的第一端和所述第二晶体管的基极连接，所述第一晶体管的集电极分别与所述第三晶体管的发射极、所述第四晶体管的发射极、所述第五晶体管的集电极、所述第六晶体管的集电极连接，所述第三晶体管的基极分别与所述第一电容器的第一端和所述第一电阻器的第一端连接，所述第一电容器的第二端串联所述电流表后与所述直流电源的负极输出端连接，所述第三晶体管的集电极分别与所述第五晶体管的基极和所述第九电阻器的第一端连接，所述第四晶体管的集电极分别与所述第六晶体管的基极和所述第十电阻器的第一端连接，所述第九电阻器的第二端分别与所述第五晶体管的发射极、所述第八晶体管的基极和所述第九晶体管的集电极连接，所述第十电阻器的第二端分别与所述第六晶体管的发射极、所述第九晶体管的基极、所述第十晶体管的基极和所述第十晶体管的集电极连接，所述第四晶体管的基极分别与所述第五电阻器的第一端、所述第二电容器的第一端和所述第六电阻器的第一端连接，所述第六电阻器的第二端与所述第三电容器的第一端连接，所述第五电阻器的第二端分别与所述第二电容器的第二端、所述第七电阻器的第一端、所述电压表的第一端和所述第八电阻器的第一端连接，所述第七电阻器的第二端分别与所述第七晶体管的基极和所述第八晶体管的集电极连接，所述第七晶体管的发射极与所述第二晶体管的集电极连接，所述第九晶体管的集电极分别与所述第十晶体管的发射极、所述第八晶体管的发射极、所述第七晶体管的集电极和所述直流电源的负极输出端连接，所述第一电阻器的第二端、所述第四电阻器的第二端、所述第三电容器的第二端、所述电压表的第二端和所述第八电阻器的第二端均与所述直流电源的负极输出端连接。
专利摘要本实用新型公开了一种基于单片集成电路的功率放大器，包括直流电源、电流表、电压表、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、二极管、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器、第六电阻器、第七电阻器、第八电阻器、第九电阻器和第十电阻器。本实用新型通过采用集成电路使功率放大器抗干扰能力强；本实用新型具有电路结构简单、抗干扰能力较强和使用寿命较长的优点。
文档编号H03F3/20GK203166840SQ20132012137
公开日2013年8月28日 申请日期2013年3月18日 优先权日2013年3月18日
发明者樊勇 申请人:成都中远信电子科技有限公司