1.一种微弱信号接收前端，其特征在于，包括频率拓展电路，所述频率拓展电路包括放大器、第一源跟随器、共源放大器、第二源跟随器和第一电阻；
所述放大器的输出端连接所述第一源跟随器的输入端，所述第一源跟随器的输出端连接所述共源放大器的输入端，所述共源放大器的输出端连接所述第二源跟随器的输入端，所述第一电阻的一端连接所述放大器的输出端，所述第一电阻的另一端连接所述共源放大器的输出端；
所述放大器的输入端输入电流信号或电压信号，所述放大器输出第一级频带拓展信号到所述第一源跟随器和所述第一电阻的一端，所述第一源跟随器输出第二级频带拓展信号到所述共源放大器，所述共源放大器输出第三级频带拓展信号到所述第二源跟随器和所述第一电阻的另一端，所述第二源跟随器输出第四级频带拓展信号。
2.根据权利要求1所述的微弱信号接收前端，其特征在于，还包括通断控制单元，所述通断控制单元的输出端连接所述放大器的第一输入端。
3.根据权利要求2所述的微弱信号接收前端，其特征在于，还包括低噪声差分放大器，所述低噪声差分放大器的输出端连接所述放大器的第二输入端。
4.根据权利要求3所述的微弱信号接收前端，其特征在于，所述放大器包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、第一有源电感单元和第二电阻；
所述第一输入端分别连接所述第一MOS晶体管的漏极、所述第二MOS晶体管的栅极和所述第三MOS晶体管的源极，所述第二输入端连接所述第一MOS晶体管的栅极，所述第一MOS晶体管的源极和所述第二MOS晶体管的源极接地，所述第二MOS晶体管的漏极分别连接所述第二电阻的一端和所述第三MOS晶体管的栅极，所述第二电阻的另一端连接电源，所述第三MOS晶体管的漏极分别连接所述第一有源电感单元的一端和所述放大器的输出端，所述第一有源电感单元的另一端连接所述电源。
5.根据权利要求4所述的微弱信号接收前端，其特征在于，所述第一有源电感单元包括第四MOS晶体管、第三电阻和第一电容；
所述第四MOS晶体管的源极分别连接所述第一电容的一端、所述第三MOS晶体管的漏极和所述放大器的输出端，所述第一电容的另一端分别连接所述第四MOS晶体管的栅极和所述第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端分别连接所述第四MOS晶体管的漏极和所述电源。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的微弱信号接收前端，其特征在于，所述第一源跟随器包括第五MOS晶体管和第四电阻；
所述第五MOS晶体管的栅极分别连接所述放大器的输出端和所述第一电阻的一端，所述第五MOS晶体管的漏极连接所述电源，所述第五MOS晶体管的源极分别连接所述第一源跟随器的输出端和所述第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端接地。
7.根据权利要求6所述的微弱信号接收前端，其特征在于，所述共源放大器包括第六MOS晶体管和第二有源电感单元；
所述第六MOS晶体管的源极接地，所述第六MOS晶体管的栅极连接所述第一源跟随器的输出端，所述第六MOS晶体管的漏极分别连接所述第二有源电感单元的一端和所述共源放大器的输出端，所述第二有源电感单元的另一端连接所述电源。
8.根据权利要求7所述的微弱信号接收前端，其特征在于，所述第二有源电感单元包括第七MOS晶体管、第五电阻和第二电容；
所述第七MOS晶体管的源极分别连接所述第二电容的一端、所述第六MOS晶体管的漏极和所述共源放大器的输出端，所述第二电容的另一端分别连接所述第七MOS晶体管的栅极和所述第五电阻的一端，所述第五电阻的另一端分别连接所述第七MOS晶体管的漏极和所述电源。
9.根据权利要求8所述的微弱信号接收前端，其特征在于，所述第二源跟随器包括第八MOS晶体管和第六电阻；
所述第八MOS晶体管的栅极分别连接所述共源放大器的输出端和所述第一电阻的另一端，所述第八MOS晶体管的漏极连接所述电源，所述第八MOS晶体管的源极分别连接第二源跟随器的输出端和所述第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端接地。
10.一种基于权利要求1至9中任意一项所述的微弱信号接收前端的微弱信号接收方法，其特征在于，包括以下步骤：
所述放大器输入电流信号或电压信号；
所述放大器根据所述电流信号或电压信号输出第一级频带拓展信号到所述第一源跟随器和所述第一电阻的一端；
所述第一源跟随器根据所述第一级频带拓展信号输出第二级频带拓展信号到所述共源放大器；
所述共源放大器根据所述第二级频带拓展信号输出第三级频带拓展信号到所述第二源跟随器和所述第一电阻的另一端；
所述第二源跟随器根据所述第三级频带拓展信号输出第四级频带拓展信号。