1.一种W波段及太赫兹频率低端倍频器，其特征在于：包括肖特基二极管倍频电路（1）、第一至第三5880基板电路、第一至第二石英滤波电路以及一个电容（7），所述第一5880基板电路（2）的输入端与K型接头连接，用于引入输入射频信号，所述第一5880基板电路（2）的输出端与所述肖特基二极管倍频电路（1）的输入端连接，所述第二至第三5880基板电路的输入端连接有SMA接头，用于引入肖特基二极管倍频电路的直流偏置信号，所述第二5880基板电路（3）的输出端与所述第一石英滤波电路（5）的输入端连接，所述第一石英滤波电路（5）的输出端为直流偏置信号输出端，当所述肖特基二极管倍频电路（1）中的GaAs太赫兹倍频二极管（108）为反向串联连接时，第一石英滤波电路（5）的输出端与所述肖特基二极管倍频电路（1）的直流偏置信号输入端连接；所述第三5880基板电路（4）的输出端与所述第二石英滤波电路（6）的输入端连接，所述第二石英滤波电路（6）的输出端为直流偏置信号输出端，当所述肖特基二极管倍频电路中的GaAs太赫兹倍频二极管（108）为同向串联连接时，第二石英滤波电路（6）的输出端经所述电容（7）与所述肖特基二极管倍频电路（1）的直流偏置信号输入端连接。
2.如权利要求1所述的W波段及太赫兹频率低端倍频器，其特征在于：所述肖特基二极管倍频电路（1）包括第一石英基板（101），第一传输微带线（102）的一端为所述倍频电路的射频信号输入端，第一传输微带线（102）的另一端与第一低通滤波器（103）的一端连接，第一低通滤波器（103）的另一端依次经第一石英电路（104）、输入射频匹配微带线（105）、GaAs太赫兹倍频二极管（108）与输出射频匹配微带线（109）的一端连接，输出射频匹配微带线（109）的另一端经第二石英电路（110）与射频输出过度微带线（111）的一端连接，所述第一传输微带线（102）、第一低通滤波器（103）、第一石英电路（104）、输入射频匹配微带线（105）、GaAs太赫兹倍频二极管（108）、输出射频匹配微带线（109）、第二石英电路（110）以及射频输出过度微带线（111）固定在第一石英基板上，所述射频输出过度微带线（111）横跨在射频输出波导（112）上。
3.如权利要求2所述的W波段及太赫兹频率低端倍频器，其特征在于：所述GaAs太赫兹倍频二极管（108）为4阳极结同向串联肖特基二极管、6阳极结同向串联肖特基二极管、4阳极结反向串联肖特基二极管或6阳极结反向串联肖特基二极管。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的W波段及太赫兹频率低端倍频器，其特征在于：所述第一5880基板电路（2）包括第一5880基板（201）和位于第二5880基板（201）上的第一50欧姆微带线（202），所述第一50欧姆微带线（202）的一端为射频信号输入端，另一端通过金丝跳线（8）与所述肖特基二极管倍频电路（1）的射频信号输入端连接。
5.如权利要求4所述的W波段及太赫兹频率低端倍频器，其特征在于：所述K型接头通过焊接射频绝缘子焊接在第一50欧姆微带线（202）上。
6.如权利要求1-3中任意一项所述的W波段及太赫兹频率低端倍频器，其特征在于：所述第二5880基板电路（3）包括第二5880基板（301）和位于第二5880基板（301）上的第二50欧姆微带线（302），所述第二50欧姆微带线（302）的一端为直流偏置信号输入端，另一端通过金丝跳线（8）与所述第一石英滤波电路（5）的输入端连接。
7.如权利要求1-3中任意一项所述的W波段及太赫兹频率低端倍频器，其特征在于：所述第三5880基板电路（4）包括第三5880基板（401）和位于第三5880基板（401）上的第三50欧姆微带线（402），所述第三50欧姆微带线（402）的一端为直流偏置信号输入端，另一端通过金丝跳线（8）与所述第二石英滤波电路（6）的输入端连接。
8.如权利要求6所述的W波段及太赫兹频率低端倍频器，其特征在于：所述SMA接头通过射频绝缘子焊接在第二50欧姆微带线（302）上。
9.如权利要求2或3所述的W波段及太赫兹频率低端倍频器，其特征在于：所述第一石英滤波电路（5）包括第二石英基板（501）以及位于第二石英基板（501）上的第一中频滤波器电路（502），所述第一中频滤波器电路（502）的两端各连接一个50欧姆微带线，所述第一石英滤波电路（5）的输出端通过金丝跳线（8）与所述肖特基二极管倍频电路（1）上的输入射频匹配微带线（105）连接，用于将直流偏置信号引入所述GaAs太赫兹倍频二极管（108），此时，所述GaAs太赫兹倍频二极管（108）为反向串联连接，位于最外侧的两个二极管的阴极接地。
10.如权利要求2或3所述的W波段及太赫兹频率低端倍频器，其特征在于：所述第二石英滤波电路（6）包括第三石英基板（601）以及位于第三石英基板（601）上的第二中频滤波器电路（602），所述第二中频滤波器电路（602）的两端各连接一个50欧姆微带线，所述第二石英滤波电路（6）的输出端通过金丝跳线（8）与电容（7）的一端连接，电容（7）的另一端与所述GaAs太赫兹倍频二极管（108）位于外侧的一个二极管的阳极连接，所述GaAs太赫兹倍频二极管（108）位于外侧的另一个二极管的阴极接地，此时，所述GaAs太赫兹倍频二极管（108）为反向串联连接。