1.一种分段电阻型IGBT驱动电路，其特征在于，包括驱动推挽电路、分段电阻驱动电路和IGBT门极钳位电路，
所述分段电阻驱动电路包括若干串联连接的分段电阻，每个分段电阻的两端均并联有旁路MOS管；各旁路MOS管的门极以及所述驱动推挽电路的控制输入端分别与驱动控制器连接；
所述IGBT门极钳位电路包括分别与IGBT门极连接的：IGBT门极稳压钳位电路及IGBT门极电源钳位电路；
所述IGBT的门极通过串联连接的分段电阻与驱动推挽电路的To端口连接，还通过IGBT门极电源钳位电路与驱动推挽电路的VSS端口连接。
2.根据权利要求1所述的分段电阻型IGBT驱动电路，其特征在于，所述IGBT门极电源钳位电路包括一个肖特基二极管和两个支撑电容，肖特基二极管的阳极与IGBT门极电连接，阴极通过并联连接的两支撑电容接地；肖特基二极管的阴极同时与驱动推挽电路的VSS端连接。
3.根据权利要求2所述的分段电阻型IGBT驱动电路，其特征在于，所述IGBT门极稳压钳位电路包括两个稳压二极管，其中一个稳压二极管的阴极与IGBT的门极电连接，阳极与另一稳压二极管的阳极连接，另一稳压二极管的阴极接地。
4.根据权利要求1所述的分段电阻型IGBT驱动电路，其特征在于，所述驱动控制器选用FPGA控制器。
5.采用权利要求1所述的分段电阻型IGBT驱动电路的控制方法，其特征在于，
IGBT开通时，当IGBT进入导通过程，将大于2/3数量的分段电阻接入IGBT门极，降低IGBT门极震荡；
当IGBT进入密勒平台时间，将接入IGBT门极的分段电阻数减少至1/3数量以下，缩短密勒平台时间，加快IGBT源极s与漏极d之间电压下降，减少IGBT开通损耗；
IGBT关断时，在IGBT门极g与漏极d之间电压下降到密勒平台结束的时间内，将1/3数量以下分段电阻接入IGBT门极，加快IGBT门极抽取电荷，减少IGBT门极开关时间；
在密勒平台电压逐渐降低到阈值电压时，IGBT进入关断过程，将1/2以上数量分段电阻接入IGBT门极，降低浪涌；
当浪涌结束进入拖尾电流时间后，将1/3数量以下分段电阻接入IGBT门极，减少拖尾电流时间。