用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的制作方法

本实用新型属于X射线平板探测器设计领域，特别是涉及一种用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料。

背景技术：

近年来，照相平板印刷和微电子技术领域的不断进步，使集成基于TFT阵列读出装置的大面积X射线探测器的应用越来越普及。基于TFT的平板系统的电荷收集和读出电子元件紧贴与X射线发生交互作用的材料层，使X光的探测器的结构紧凑，并能实时转化为数字影像，因此X射线探测器正成为医疗辐射成像，工业探伤和安检的中坚力量。

X射线平板探测器的成像过程需要经历X射线到可见光，然后电荷图像到数字图像的成像转换过程，通常也被称作间接转换型平板探测器，是一种以非晶硅光电二极管阵列为核心的X射线影像探测器。在X射线照射下探测器的闪烁体或荧光体层将X射线光子转换为可见光，而后由具有光电二极管作用的非晶硅阵列变为图像电信号，通过外围电路积分读出及A/D变换，从而获得数字化图像。非晶硅平板探测器具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率，高信噪比，直接数字输出等显著优点。

然而，X射线平板探测器设备的自动化程度高，各种转动部件所使用的电机产生的电磁干扰可能会影响图像质量，从而影响客户体验。

现有的平板探测器通常采用密度低的镁铝合金作为结构件，用以减轻探测的重量。然而，镁铝合金的抗电磁干扰能力弱，并不能为X射线平板探测器提供很好的电磁防护能力。

基于以上所述，提供一种能够有效提高平板探测器中TFT电路正面的抗干扰能力的结构件实属必要。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料，用于解决现有技术中镁铝合金的抗电磁干扰能力弱，并不能为X射线平板探测器提供很好的电磁防护能力的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料，所述电磁屏蔽复合材料包括：镁铝结构件，包括相对的第一表面以及第二表面；以及铁镍合金层，覆盖于所述镁铝结构件的至少一个表面上。

作为本实用新型的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的一种优选方案，所述铁镍合金层为经过退火处理的电镀铁镍合金层。

作为本实用新型的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的一种优选方案，所述镁铝结构件的第一表面以及第二表面均覆盖有铁镍合金层。

作为本实用新型的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的一种优选方案，所述铁镍合金层直接与所述镁铝结构件的表面接触。

作为本实用新型的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的一种优选方案，所述铁镍合金层中的合金晶粒的尺寸范围为1～10微米。

作为本实用新型的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的一种优选方案，所述铁镍合金层的厚度范围为5～20微米。

作为本实用新型的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的一种优选方案，所述镁铝结构件的厚度范围为1～10毫米。

如上所述，本实用新型的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料，具有以下有益效果：

1、本实用新型在镁铝合金结构件表面制作铁镍合金层，使得原本不具防护电磁干扰能力的镁铝合金结构件能够防护电磁干扰，扩展了其应用范围。

2、通过电镀后进行激光退火的工艺，可以快速对铁镍合金层进行表面处理。使电镀出来的铁镍合金晶粒长大至1～10微米，大大提高了铁镍合金层的电磁屏蔽效果。

3、本实用新型的电磁屏蔽复合材料，在电磁防护领域尤其是X射线平板探测器设计领域具有广泛的应用前景。

附图说明

图1～图3显示为本实用新型实施例1中的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的制备方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图3显示为本实用新型实施例1中的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的结构示意图。

图4～图6显示为本实用新型实施例2中的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的制备方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图6显示为本实用新型实施例2中的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的结构示意图。

元件标号说明

101 镁铝结构件

102 电镀的铁镍合金层

103 退火后的铁镍合金层

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1～图6。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例1

如图3所示，本实施例提供一种用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料，所述电磁屏蔽复合材料包括：镁铝结构件101，包括相对的第一表面以及第二表面；以及铁镍合金层103，覆盖于所述镁铝结构件101的第一表面上。

作为示例，所述铁镍合金层103为经过退火处理的电镀铁镍合金层。

作为示例，所述铁镍合金层103直接与所述镁铝结构件101的表面接触。

作为示例，所述铁镍合金层103中的合金晶粒的尺寸范围为1～10微米。在本实施例中，所述铁镍合金层103中的合金晶粒的尺寸范围为4～8微米。

作为示例，所述铁镍合金层103的厚度范围为5～20微米。在本实施例中，所述铁镍合金层103的厚度范围10微米。

作为示例，所述镁铝结构件101的厚度范围为1～10毫米。在本实施例中，所述镁铝结构件101的厚度为5毫米。

作为示例，所述用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料用于承载X射线探测器的电路板，同时支撑TFT平板，例如，所述电磁屏蔽复合材料为盒状结构，所述TFT平板被支撑于所述盒状结构的上表面，所述电路板则设置于所述盒状结构内，这种结构可以有效通过本实用新型的电磁屏蔽复合材料对电路板进行电磁防护，以增强其抗干扰能力。

如图1～图3所示，本实施例还提供一种用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的制备方法，包括步骤：

如图1所示，首先进行步骤1)，提供一镁铝结构件101，至少去除所述镁铝结构件101第一表面的氧化层；

如图2所示，然后进行步骤2)，在所述镁铝结构件101的第一表面电镀铁镍合金层102，所述铁镍合金层102的厚度范围为5～10微米左右；

如图3所示，接着进行步骤3)，电镀出来的铁镍合金晶粒尺寸较小，对铁镍合金层表面进行激光退火形成退火后的铁镍合金层103，使得铁镍合金晶粒的尺寸长大至4～8微米，同时消除所述铁镍合金层的表面缺陷；

最后进行步骤4)，将表面处理好的带有铁镍合金层103的镁铝结构件101用于平板探测器的装配。

实施例2

如图6所示，本实施例提供一种用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料，所述电磁屏蔽复合材料包括：镁铝结构件101，包括相对的第一表面以及第二表面；以及铁镍合金层103，覆盖于所述镁铝结构件101的第一表面以及第二表面上。

作为示例，所述铁镍合金层103为经过退火处理的电镀铁镍合金层。

作为示例，所述铁镍合金层103直接与所述镁铝结构件101的表面接触。

作为示例，所述铁镍合金层103中的合金晶粒的尺寸范围为1～10微米。在本实施例中，所述铁镍合金层103中的合金晶粒的尺寸范围为4～8微米。

作为示例，所述铁镍合金层103的厚度范围为5～20微米。在本实施例中，所述铁镍合金层103的厚度范围10微米。

作为示例，所述镁铝结构件101的厚度范围为1～10毫米。在本实施例中，所述镁铝结构件101的厚度为5毫米。

作为示例，所述用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料用于承载X射线探测器的电路板，同时支撑TFT平板，例如，所述电磁屏蔽复合材料为盒状结构，所述TFT平板被支撑于所述盒状结构的上表面，所述电路板则设置于所述盒状结构内，这种结构可以有效通过本实用新型的电磁屏蔽复合材料对电路板进行电磁防护，以增强其抗干扰能力。

如图4～图6所示，本实施例还提供一种用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料的制备方法，包括步骤：

如图4所示，首先进行步骤1)，提供一镁铝结构件101，并去除所述镁铝结构件101第一表面以及第二表面的氧化层；

如图5所示，然后进行步骤2)，在所述镁铝结构件101的第一表面以及第二表面电镀铁镍合金层102，所述铁镍合金层102的厚度范围为5～10微米左右；

如图6所示，接着进行步骤3)，电镀出来的铁镍合金晶粒尺寸较小，对铁镍合金层表面进行激光退火形成退火后的铁镍合金层103，使得铁镍合金晶粒的尺寸长大至4～8微米，同时消除所述铁镍合金层的表面缺陷；

最后进行步骤4)，将表面处理好的带有铁镍合金层103的镁铝结构件101用于平板探测器的装配。

如上所述，本实用新型的用于平板探测器的电磁屏蔽复合材料，具有以下有益效果：

1、本实用新型在镁铝合金结构件表面制作铁镍合金层，使得原本不具防护电磁干扰能力的镁铝合金结构件能够防护电磁干扰，扩展了其应用范围。

2、通过电镀后进行激光退火的工艺，可以快速对铁镍合金层进行表面处理。使电镀出来的铁镍合金晶粒长大至1～10微米，大大提高了铁镍合金层的电磁屏蔽效果。

3、本实用新型的电磁屏蔽复合材料，在电磁防护领域尤其是X射线平板探测器设计领域具有广泛的应用前景。

所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。