声表面波谐振器电极传输结构的制作方法

本实用新型涉及声表面波谐振器，具体涉及一种声表面波谐振器电极传输结构。

背景技术：

声表面波(SAW，surface-acoustic-wave)谐振器属于声表面波元件，其主要作用原理是利用压电材料的压电特性，利用输入与输出换能器(Transducer)将电波的输入讯号转换成机械能，经过处理后，再把机械能转换成电的讯号，以达到过滤不必要的讯号及杂讯，提升收讯品质的目标。

声表面波滤波器是利用石英、铌酸锂、钛酸钡晶体具有压电效应的性质做成的。所谓压电效应，即是当晶体受到机械作用时，将产生与压力成正比的电场的现象。具有压电效应的晶体，在受到电信号的作用时，也会产生弹性形变而发出机械波(声波)，即可把电信号转为声信号。由于这种声波只在晶体表面传播，故称为声表面波。声表面波滤波器的英文缩写为SAWF，声表面波滤波器具有体积小，重量轻、性能可靠、不需要复杂调整的特性。声表面波滤波器的小型片式化，是移动通信和其他便携式产品提出的基本要求。

在现有技术中，为缩小声表面波滤波器的体积，通常采取三方面的措施，一是优化设计器件用芯片，使其做得更小；二是改进器件的封装形式，现已由传统的圆形金属壳封装改为方形或长方形扁平金属封装或LCCC(无引线陶瓷芯片载体)表面贴装；三是将不同功能的SAW滤波器封装在一起构成组合型器件以减小PCB面积。

图1是现有的常规技术的示意图。在现有的常规技术中，正常谐振器电极位如图1所示。谐振器电极2分布在换能器1的两侧，无形之间增大了器件的大小。这使得芯片体积比较大。

技术实现要素：

在现有技术的基础上，本实用新型公开了一种与现有技术原理不同，且可以有效的缩小声表面波谐振器体积的声表面波谐振器电极传输结构。

本实用新型的技术方案如下：

一种声表面波谐振器电极传输结构，包括换能器、第一电极和第二电极；所述换能器包括位于换能器上侧的第一反射栅和位于换能器下侧的第二反射栅；还包括传导电极；所述传导电极包括位于传导电极上侧的、与第一反射栅耦合的第三反射栅和位于传导电极下侧的第四反射栅；

所述第一电极和第二电极均位于所述换能器下侧；第一电极的上侧设置有第五反射栅；第二电极的上侧设置有第六反射栅；第五反射栅与第四反射栅耦合；第六反射栅与第二反射栅耦合。

其进一步的技术方案为：所述传导电极为右转90°的L字形；第三反射栅为朝向水平方向的凸出状，长度与第一反射栅相同；第一电极为矩形，第五反射栅位于第一电极的上边缘，其长度与第四反射栅相同，且第五反射栅与第四反射栅耦合；第二电极为Z字形，第六反射栅为朝向水平方向的凸出状，其位于第一电极和换能器之间，与第二反射栅的长度相等且与第二反射栅耦合。

本实用新型的有益技术效果是：

本实用新型可在不影响产品性能的前提下大大减少芯片的大小。普通一个声表面波谐振器400M电极的宽度约为120um，正常芯片的宽度约为850um，所以减小一个电极的宽度，芯片的体积直接减少15％，相应的，单位面积的芯片数量也增加，所以本实用新型既满足芯片的体积减小，又提高产品数量，节约成本，可有效提高产能。

附图说明

图1是现有的常规技术的示意图。

图2是本实用新型的示意图。

图3是图2中A部分的放大图。

具体实施方式

图2是本实用新型的示意图。图3是图2中A部分的放大图。如图2、图3所示，本实用新型包括换能器1、第一电极2和第二电极3。换能器1包括位于换能器1上侧的第一反射栅11和位于换能器1下侧的第二反射栅12。

还包括传导电极4。传导电极4包括位于传导电极4上侧的、与第一反射栅耦合的第三反射栅41和位于传导电极4下侧的第四反射栅42。具体的，传导电极4为右转90°的L字形，第三反射栅41为朝向水平方向的凸出状，长度与第一反射栅11相同，近似于倒转的L字形的水平边。倒转的L字形的竖直边为一矩形，其宽度略大于换能器1的宽度，第四反射栅42位于此矩形的下边缘。

第一电极2和第二电极3均位于换能器1下侧。第一电极2为矩形，第五反射栅21位于第一电极2的上边缘左半部分，其长度与第四反射栅42相同，且第五反射栅21与第四反射栅42耦合。第二电极2的其余部分位于换能器1的下侧。

第二电极3为Z字形，第六反射栅31为朝向水平方向的凸出状，相当于Z字形的上边的水平部分，其位于第一电极2和换能器1之间，与第二反射栅12的长度相等且与第二反射栅12耦合。Z字形的垂直边位于第一电极2的旁侧，第二电极3的其余部分，位于换能器1的下侧。

第三电极3的此种形状，给第一电极2让开了位置，使得第一电极2和第二电极3可以并列置于换能器1的下侧。再结合传导电极4的形状，由于第三反射栅41宽度极窄，使得换能器1上侧的空间没有被占据。则换能器与电极的整体宽度减小，体积减小。可对比图1与图2，图2中的两个电极均位于换能器的同侧，这样就会无形之间省了一个电极宽度，减小了整个芯片的体积。

以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。