1.一种带有支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于：
所述谐振器包括带空腔的绝缘体硅基片和压电薄膜换能器堆叠结构；所述压电薄膜换能器堆叠结构包括顶电极、压电材料和底电极，其中顶电极、压电材料、底电极依次堆叠，所述压电薄膜换能器堆叠结构置于所述绝缘体硅基片的空腔中，所述压电薄膜换能器与绝缘体硅基片通过键合层形成封闭空腔结构；所述空腔内包括多个支撑结构，用于支撑压电薄膜换能器堆叠结构。
2.根据权利要求1所述的带有支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述顶电极、所述底电极的引出部分位于同一平面上。
3.根据权利要求1所述的带有支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述顶电极、所述底电极包括钨、钼、铂白金、钌、铱、钛钨、铝之一或者组合。
4.根据权利要求1所述的带有支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述压电材料包括氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、铌酸锂(LiNbO3)、钽酸锂(LiTaO3)之一或者组合。
5.根据权利要求1所述的带有支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述键合层包括金属键合层。
6.根据权利要求5所述的带有支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述空腔的横向宽度大于压电薄膜换能器堆叠结构的横向宽度。
7.根据权利要求1所述的带有支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述顶电极和所述底电极的厚度介于100-2000纳米。
8.一种通信器件，包括权利要求1-7任一项所述的带有支撑结构的薄膜体声波谐振器。