水晶片以及水晶振子的制作方法

本发明涉及at切割型的水晶片以及水晶振子。
背景技术：
：近年来，期望水晶振子的小型化，需要使水晶片小型。但是，若水晶片小型化，则副振动的影响更显著地出现、出现振动泄露的影响，而串联电阻值容易增大。作为以降低串联电阻值为目的的以往的与水晶片涉及的发明，例如已知有专利文献1所记载的水晶振动板。在该水晶振动板中，对水晶振动板的端部实施倒角加工(斜面加工：beveled)。由此，振动能量被封闭在激励电极下，能够得到良好的串联电阻值。如以上那样，在水晶片中，为了得到良好的串联电阻值而进行各种设计。专利文献1：日本特开2013－34176号公报技术实现要素：鉴于此，本发明的目的在于，提供能够降低ci(晶体阻抗：crystalimpedance)值的水晶片以及水晶振子。本发明的一个方式所涉及的水晶片是呈板状，且在从主面的法线方向观察时呈矩形形状的at切割型的水晶片，其特征在于，上述主面的长边实质上与上述水晶片的z'轴平行，上述主面的短边实质上与上述水晶片的x轴平行，上述水晶片的主振动的频率在46.0mhz以上49.0mhz以下，上述水晶片包含：在从上述主面的法线方向观察时包含该主面的中央的第一区域、在上述长边延伸的长边方向的两侧与该第一区域邻接的第二区域及第三区域、以及在上述短边延伸的短边方向的两侧与该第一区域邻接的第四区域及第五区域，上述第一区域的厚度实质上均匀，上述第二区域的厚度以及上述第三区域的厚度比上述第一区域的厚度小、以及/或者上述第四区域的厚度及上述第五区域的厚度比该第一区域的厚度小，在上述第一区域、上述第四区域以及上述第五区域的短边方向的长度为w，上述第一区域的厚度为t的情况下，25.93≤w/t≤27.07成立。本发明也面向具备上述水晶片的水晶振子。根据本发明，能够降低ci值。附图说明图1是水晶振子10的外观立体图。图2是水晶振子10的分解立体图。图3是图1的a－a上的剖面结构图。图4是图2的b－b上的剖面结构图。图5是图2的c－c上的剖面结构图。图6是从上侧观察水晶片17的图。图7是区域a1的放大图。图8是表示在主振动的频率为46.0mhz的水晶片17中，主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。图9是表示在主振动的频率为48.0mhz的水晶片17中，主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。图10是表示在主振动的频率为49.0mhz的水晶片17中，主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。图11是表示第一样本～第三样本的实验结果的图表。图12是表示第四样本～第六样本的实验结果的图表。图13是变形例所涉及的水晶振子10a的剖面结构图。图14是水晶振荡器300的剖面结构图。图15是其它的实施方式所涉及的水晶片17a的剖面结构图。图16是其它的实施方式所涉及的水晶片17b的剖面结构图。具体实施方式(水晶振子的结构)以下，参照附图对具备本发明的电子部件的一个实施方式所涉及的水晶片的水晶振子进行说明。图1是水晶振子10的外观立体图。图2是水晶振子10的分解立体图。图3是图1的a－a上的剖面结构图。以下，将水晶振子10的相对于主面的法线方向定义为上下方向，在从上侧观察时，将水晶振子10的长边延伸的方向定义为长边方向，并将水晶振子10的短边延伸的方向定义为短边方向。另外，以下有时也将水晶片17的at切割的轴向作为基准来对各构成进行说明。如图1～图3所示，水晶振子10具备基板12、金属盖14、水晶振动片16以及硬钎料(brazingalloy)50。水晶振子10的短边的宽度为1.6mm，水晶振子10的长边的长度为2.0mm。基板12(电路基板的一个例子)包含基板主体21、外部电极22、26、40、42、44、46、通孔导体25、28、54、56以及金属化膜30。基板主体21呈板状，在从上侧观察时，呈矩形形状。基板主体21例如通过氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、氮化铝质烧结体、碳化硅质烧结体、玻璃陶瓷烧结体等陶瓷系绝缘性材料、水晶、玻璃、硅等制成。在本实施方式中，基板主体21通过层叠由陶瓷材料制成的多个绝缘体层构成。基板主体21在上下具有两个主面。将基板主体21的上侧的主面(+y’侧的主面)称为表面，并将基板主体21的下侧的主面(－y’侧的主面)称为背面。外部电极22、26在基板主体21的表面，在长边方向的一端侧沿短边方向并排地设置。具体而言，外部电极22是设在基板主体21的表面的－z’以及+x侧的角附近的矩形形状的导体层。外部电极26是设在基板主体21的表面的－z’以及－x侧的角附近的矩形形状的导体层。外部电极40、42、44、46设在基板主体21的背面的各角附近。外部电极40是设在基板主体21的背面的－z’以及－x侧的角附近的正方形的导体层，在从上侧观察时，与外部电极26重合。外部电极42是设在基板主体21的背面的－z’以及+x侧的角附近的正方形的导体层，在从上侧观察时，与外部电极22重合。外部电极44是设在基板主体21的背面的+z’以及－x侧的角附近的正方形的导体层。外部电极46是设在基板主体21的背面的+z’以及+x侧的角附近的正方形的导体层。通孔导体25在上下方向贯通基板主体21，并将外部电极22与外部电极42连接。通孔导体28在上下方向贯通基板主体21，并将外部电极26与外部电极40连接。金属化膜30是设在基板主体21的表面上的线状的金属膜，在从上侧(相对于表面的法线方向)观察时，呈长方形的环状。在从上侧观察时，外部电极22、26设在被金属化膜30包围的区域内。通孔导体54在上下方向贯通基板主体21，并将金属化膜30与外部电极46连接。通孔导体56在上下方向贯通基板主体21，并将金属化膜30与外部电极44连接。外部电极22、26、40、42、44、46以及金属化膜30呈三层结构，具体而言，通过从下层侧向上层侧层叠钼层、镍层以及金层而构成。通孔导体25、28、54、56通过对形成于基板主体21的通孔埋入钼等导体而制成。水晶振动片16包含水晶片17、外部电极97、98、激励电极100、101以及引出导体102、103。水晶片17呈板状，在从上侧观察时，呈矩形形状。将水晶片17的上侧的主面称为表面，并将水晶片17的下侧的主面称为背面。水晶片17例如是以规定的角度从水晶的原石等切出的at切割型的水晶片。另外，水晶片17的表面以及背面的长边实质上与水晶片17的z’轴平行。水晶片17的表面以及背面的短边实质上与水晶片17的x轴平行。实质上平行是指相对于z’轴、x轴大致在±1度的范围内。此外，对水晶片17实施斜面加工，后述详细情况。另外，在图2、3中，未对实施了斜面加工这一点进行表现。由于水晶振子的尺寸限制在长边方向的长度为2.0mm，短边方向的宽度为1.6mm的范围，所以考虑封装的壁厚、密封材料的渗出、元件的安装精度等，以水晶片17的尺寸为长边方向的长度在1.500mm以下，水晶片17的短边方向的宽度在1.00mm以下的方式设计水晶片17。外部电极97是设在水晶片17的－z’以及+x侧的角及其附近的导体层。外部电极97从水晶片17的表面跨过背面形成，也形成在水晶片17的+x侧以及－z’侧的各侧面。外部电极98是设在水晶片17的背面的－z’以及－x侧的角及其附近的导体层。外部电极98从水晶片17的表面跨过背面形成，也形成在水晶片17的－x侧以及－z’侧的各侧面。由此，外部电极97、98沿着水晶片17的短边排列。激励电极100设在水晶片17的表面的中央，在从上侧观察时呈矩形形状。激励电极101设在水晶片17的背面的中央，在从上侧观察时呈矩形形状。激励电极100与激励电极101在从上侧观察时以一致的状态重合。引出导体102设在水晶片17的表面，并将外部电极97与激励电极100连接。引出导体103设在水晶片17的背面，并将外部电极98与激励电极101连接。外部电极97、98、激励电极100、101以及引出导体102、103例如通过在铬的基底层上层叠金来制成。水晶振动片16被安装在基板12的表面。具体而言，外部电极22与外部电极97通过导电性粘合剂210而以电连接的状态固定，外部电极26与外部电极98通过导电性粘合剂212而以电连接的状态固定。金属盖14是具有矩形形状的开口的壳体，例如通过在铁镍合金或者钴镍合金的母材上实施镀镍以及镀金来制成。在本实施方式中，金属盖14是下侧开口的长方体状的箱，通过在铁镍合金的母材的表面实施镀镍以及镀金来制成。硬钎料50被配置在金属化膜30上。硬钎料50具有与金属化膜30实质上相同的形状，呈长方形的环状。硬钎料50具有比金属化膜30低的熔点，例如由金－锡合金制成。硬钎料50例如通过印刷等形成在金属化膜30上。然后，在金属盖14的开口的外缘与硬钎料50接触的状态下，使金属化膜30熔融以及固化。由此，金属盖14在开口的外缘的整个周长经由硬钎料50与金属化膜30接合。其结果，通过基板主体21的表面以及金属盖14形成密闭空间sp。从而，水晶振动片16收纳在密闭空间sp内。另外，密闭空间sp由于金属盖14经由金属化膜30以及硬钎料50与基板主体21紧贴而保持真空状态。但是，也可以是大气状态。此外，也可以代替硬钎料50而例如使用低熔点玻璃、树脂等粘合剂，此时，并不一定需要金属化膜30。(关于水晶片的详细)以下，参照附图对水晶片17的详细进行说明。图4是图2的b－b上的剖面结构图。图5是图2的c－c上的剖面结构图。图6是从上侧观察水晶片17的图。图7是区域a1的放大图。本实施方式所涉及的水晶片17为了降低ci值，满足以下说明的条件。条件1：水晶片17的主振动的频率在46.0mhz以上49.0mhz以下。条件2：水晶片17的表面以及背面的长边实质上与水晶片17的z'轴平行。条件3：水晶片17的表面以及背面的短边实质上与水晶片17的x轴平行。条件4：通过实施斜面加工，如图4以及图5所示，水晶片17的表面以及背面的外缘附近的厚度比水晶片17的表面以及背面的中央附近的厚度薄。条件5：在水晶片17的区域a1、a4、a5的短边方向的长度为w，水晶片17的区域a1的厚度为t的情况下，25.93≤w/t≤27.07成立。关于区域a1、a4、a5将后述。＜关于条件1＞水晶片17的主振动的频率取决于水晶片17的厚度t。因此，水晶片17的厚度t设定在0.0341mm以上0.0363mm以下的范围。＜关于条件2以及条件3＞已知水晶片一般在其短边附近利用导电性粘合剂固定于基板，另外，at切割的水晶片的厚度剪切振动的振动方向为x轴方向。因此，以往的长边与x轴方向平行的水晶片容易受到经由短边侧的导电性粘合剂向基板泄露振动的影响。与此相对，本实施方式所涉及的at切割型的水晶片17由于长边与z’轴方向平行，所以向z’轴区域的振动泄露较少，即使在水晶片17的短边附近利用导电性粘合剂210、212固定于基板12的情况下，向基板的振动泄露的影响也少。因此，根据本实施方式所涉及的at切割型的水晶片，与长边和x轴方向平行的水晶片相比，振动泄露的影响较少，ci值良好。＜关于条件4＞如图6所示，在从上侧观察时，水晶片17包含区域a1～a5。在从上侧观察时，区域a1是包含表面的中央的长方形的区域。但是，区域a1在从上侧观察时，也可以是长方形以外的形状，例如也可以是椭圆形状。区域a2是在+z’与区域a1邻接的长方形的区域。区域a2与表面的+z’侧的短边整体、表面的－x侧以及+x侧的长边的+z’侧的端部附近相接。即，区域a2在水晶片17中位于+z’侧的端部。区域a3是在－z’侧与区域a1邻接的长方形的区域。区域a3与表面的－z’侧的短边整体、表面的－x侧以及+x侧的长边的－z’侧的端部附近相接。即，区域a3在水晶片17中位于－z’侧的端部。区域a4是在－x侧与区域a1邻接，并且从左右被区域a2、a3夹着的长方形的区域。区域a4与表面的－x侧的长边的除了两端之外的部分相接。即，区域a4在水晶片17中位于－x侧的端部。区域a5是在+x侧与区域a1邻接，并且从左右被区域a2、a3夹着的长方形的区域。区域a5与表面的+x侧的长边的除了两端之外的部分相接。即，区域a5在水晶片17中位于+x侧的端部。如图4以及图5所示，区域a1的厚度t实质上均匀。但是，区域a1的表面以及背面稍微弯曲。因此，如图7所示，实质上均匀的区域a1是在区域a1中的水晶片的厚度的最大值为tmax的情况下，具有tmax－2μm以上tmax以下的厚度的区域。但是，区域a1是包含表面的中央，并且连续的区域。另外，区域a1的厚度t实质上均匀，并将tmax设为该值。如图4以及图5所示，区域a2～a5的厚度比区域a1的厚度t小。在本实施方式中，区域a2～a5的厚度随着远离区域a1而连续地减小。在本实施方式中，区域a2～a5的表面以及背面呈凸面。＜关于条件5＞在水晶片17的区域a1、a4、a5的短边方向的长度为w，水晶片17的区域a1的厚度为t的情况下，25.93≤w/t≤27.07成立。另外，更优选26.16≤w/t≤26.47成立。＜关于其它的条件＞除了上述条件1～条件5之外，优选在区域a1～a3的长边方向的长度为l，区域a1的长边方向的长度为rl的情况下，0.78≤rl/l≤0.95成立，并且，在区域a1的短边方向的长度为rw的情况下，0.86≤rw/w≤0.95成立。并且，更优选在区域a1～a3的长边方向的长度为l，区域a1的长边方向的长度为rl的情况下，0.78≤rl/l≤0.85成立，并且，在区域a1的短边方向的长度为rw的情况下，0.86≤rw/w≤0.94成立。这里，长度rl通过在区域a1中厚度成为tmax的点，是长边方向上的区域a1的长度。长度rw通过在区域a1中厚度成为tmax的点，是短边方向上的区域a1的长度。(水晶振子的制造方法)以下，参照附图对水晶振子10的制造方法进行说明。首先，对基板12的制造方法进行说明。准备矩阵状地排列多个基板主体21的母基板。母基板例如通过氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、氮化铝质烧结体、碳化硅质烧结体、玻璃陶瓷烧结体等陶瓷系绝缘性材料、水晶、玻璃、硅等制成。接下来，在母基板中，向基板主体21的形成通孔导体25、28、54、56的位置照射光束，形成贯通孔。进而，在贯通孔填充钼等导电性材料，并使其干燥。然后，通过对导电性材料进行烧结，形成通孔导体25、28、54、56。接下来，在母基板的背面形成外部电极40、42、44、46的基底电极。具体而言，在母基板的背面上印刷钼层，并使其干燥。然后，对钼层进行烧结。由此，形成外部电极40、42、44、46的基底电极。接下来，在母基板的表面形成外部电极22、26以及金属化膜30的基底电极。具体而言，在母基板的表面上印刷钼层，并使其干燥。然后，对钼层进行烧结。由此，形成外部电极22、26以及金属化膜30的基底电极。接下来，对外部电极40、42、44、46、22、26以及金属化膜30的基底电极依次实施镀镍以及镀金。由此，形成外部电极40、42、44、46、22、26以及金属化膜30。这里，能够通过使用真空印刷等同时形成向贯通孔的导电性材料的填充和对母基板的外部电极等的印刷。此时，同时烧制导电性材料和外部电极等。另外，在母基板为陶瓷系烧结体绝缘性材料的情况下，能够在烧制前的片状态下，进行贯通孔的形成、导电性材料的填充、外部电极22、26、40、42、44、46以及金属化膜30的印刷、干燥，其后在层叠了多张的状态下进行加压紧贴而成为层叠片，并对其进行烧制，使通孔导体、外部电极22、26、40、42、44、46以及金属化膜30以及基板主体21同时完成。然后，实施与上述相同的镀覆。接下来，通过切割机，将母基板分割为多个基板主体21。此外，也可以照射激光束在母基板形成分割槽，之后将母基板分割为多个基板主体21。接下来，对水晶振动片16的制造方法进行说明。通过at切割对水晶的原石进行切分，得到矩形形状的板状的水晶片17。此时，以水晶片17的表面以及背面的长边实质上与水晶片17的z'轴平行，水晶片17的表面以及背面的短边实质上与水晶片17的x轴平行的方式，切割水晶的原石。接下来，使用滚筒抛光装置(barrelfinishingapparatus)对水晶片17实施斜面加工。由此，水晶片17的脊线附近(ridgeportions)被削去，如图4以及图5所示，水晶片17具有随着远离表面的中央而厚度变小的剖面形状。接下来，在水晶片17形成外部电极97、98、激励电极100、101以及引出导体102、103。此外，由于外部电极97、98、激励电极100、101以及引出导体102、103的形成是一般的工序，所以省略说明。接下来，在基板主体21的表面安装水晶振动片16。具体而言，如图2以及图3所示，通过导电性粘合剂210将外部电极22与外部电极97粘合，并且通过导电性粘合剂212将外部电极26与外部电极98粘合。接下来，通过硬钎料50将金属盖14安装于基板12。经由以上的工序，完成水晶振子10。(效果)根据本实施方式所涉及的水晶片17以及水晶振子10，能够降低ci值。更详细而言，如图4以及图5所示，水晶片17具有随着远离表面的中央而厚度变小的剖面形状。由此，水晶片17的主振动的振动能量被封闭在区域a1。在区域a1设有激励电极100、101。其结果，主振动高效地转换为电信号，从激励电极100、101输出电信号。由此，根据水晶片17以及水晶振子10，能够降低ci值。另外，根据水晶片17以及水晶振子10，由于以下说明的理由，也能够降低ci值。图8是表示在主振动的频率为46.0mhz的水晶片17中，主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。图9是表示在主振动的频率为48.0mhz的水晶片17中，主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。图10是表示在主振动的频率为49.0mhz的水晶片17中，主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。此外，在图8～10中，△表示主振动，□以及◇表示副振动。在水晶片17以及水晶振子10中，除了主振动之外还产生副振动。主振动是由于厚度剪切而产生的振动。主振动的频率取决于水晶片17的厚度t。另一方面，副振动是主振动以外的振动，是由于水晶片17的短边方向的伸缩、长边方向的伸缩、水晶片17的挠曲等而产生的振动。副振动的频率取决于长度l、宽度w等。这样的副振动是所谓杂波(spuriousvibration)。此外，根据在使水晶片17的长边方向的长度l恒定的情况下使w/t变动的后述的模拟结果可知，能够通过调整w/t来抑制可能在水晶片17以及水晶振子10产生的副振动。这里，为了降低水晶片17以及水晶振子10的ci值，只要以主振动的频率与副振动的频率远离的方式，设计水晶片17以及水晶振动片16即可。鉴于此，本申请发明人通过计算机模拟调查了w/t与主振动以及副振动的频率的关系。在计算机模拟中，对于具有46.0mhz、48.0mhz以及49.0mhz这三个种类的主振动的频率的水晶片17，使厚度t保持恒定，并使宽度w变化。以下，记载模拟条件。(1)46.0mhz厚度t：0.0363mm长度l：1.350mm长度rl：1.100mmrw/w：0.90(2)48.0mhz厚度t：0.0348mm长度l：1.350mm长度rl：1.100mmrw/w：0.90(3)49.0mhz厚度t：0.0341mm长度l：1.350mm长度rl：1.100mmrw/w：0.90若以以上的条件进行模拟，则得到图8～图10所示的结果。而且，本申请发明人基于模拟结果，求出了优选的w/t。根据图8，在主振动的频率为46.0mhz的情况下，若w/t在25.93以上27.07以下，则主振动不与副振动1、2交叉。即，若w/t在25.93以上27.07以下(即，t为0.0363mm，w在0.941mm以上0.983mm以下)，则主振动的频率与副振动的频率远离。根据图9，在主振动的频率为48.0mhz的情况下，若w/t在25.93以上27.07以下，则主振动不与副振动1、2交叉。即，若w/t在25.93以上27.07以下(即，t为0.0348mm，w在0.902mm以上0.942mm以下)，则主振动的频率与副振动的频率远离。根据图10，在主振动的频率为49.0mhz的情况下，若w/t在25.93以上27.07以下，则主振动不与副振动1、2交叉。即，若w/t在25.93以上27.07以下(即，t为0.0341mm，w在0.884mm以上0.923mm以下)，则主振动的频率与副振动的频率远离。根据以上可知，在水晶片17的主振动的频率在46.0mhz以上49.0mhz以下的情况下，若25.93≤w/t≤27.07，则主振动的频率与副振动的频率远离。综上所述，在主振动的频率为46.0mhz以上49.0mhz以下的水晶片17中，若25.93≤w/t≤27.07，则能够降低ci值。另外，由于若使用模拟则能够分别独立地解析主振动和副振动，所以具有根据ci值能够求出46.0mhz以上49.0mhz以下的主振动中的给予主振动的副振动的影响小的范围的优点。但是，在实际的样本的ci值的测定中，虽然只能够得到主振动与副振动重叠的ci值，但能够得到反映了尺寸、形状、材料特性等实际的变动的详细的测定结果。鉴于此，本申请发明人进行使用了以下说明的实际制作的样本的实验，利用模拟求出了在46.0mhz以上49.0mhz以下的频率范围内更优选的w/t的范围。更详细而言，本申请发明人分别制作了四十个水晶振子10的第一样本～第三样本。以下，记载第一样本～第三样本的条件。第一样本～第三样本(主振动的频率：48.0mhz)[表1]第一样本第二样本第三样本t[mm]0.03480.03480.0348l[mm]1.3501.3501.350rl[mm]1.1001.1001.100w[mm]0.9100.9150.921rw[mm]0.8170.8220.827在以上的第一样本～第三样本中，测定了ci值。在实验中，使周围的温度在-30℃～85℃变化。ci值使用了在各样本中使温度在-30℃～85℃变化时的最大值。图11是表示第一样本～第三样本(主振动的频率：48.0mhz)的实验结果的图表。在图11中，纵轴表示ci值，横轴表示宽度w。图11示出在主振动的频率为48.0mhz的情况下，ci值为40ω以下的w在0.910mm以上0.921mm以下的ci值。这里，由于水晶片17的厚度t为0.0348mm，所以w/t在26.16以上26.47以下。该范围包含在图10所示的副振动给予主振动的影响小的w/t为25.93以上27.07以下的范围。因此，在主振动的频率为48.0mhz的情况下，若w/t在26.16以上26.47以下，则副振动的影响小，并且ci值成为40ω以下足够低的值。接下来，本申请发明人进行了以下说明的实验，求出优选的rl/l以及rw/w的范围。更详细而言，分别制作四十个第四样本～第六样本。以下，记载第四样本～第六样本的条件。第四样本～第六的样本(主振动的频率：48.0mhz)[表2]第四样本第五样本第六样本t[mm]0.03480.03480.0348l[mm]1.3501.3501.350rl[mm]1.0501.1001.150w[mm]0.9210.9210.921rw[mm]0.7890.8270.865在以上的第四样本～第六样本中，测定了ci值。在实验中，使周围的温度在-30℃～85℃变化。ci值使用了在各样本中使温度在-30℃～85℃变化时的最大值。图12是表示第四样本～第六样本(主振动的频率：48.0mhz)的实验结果的图表。在图12中，纵轴表示ci值，横轴表示rl/l以及rw/w。根据图12，在主振动的频率为48.0mhz的情况下，若rw/w在0.86以上0.94以下，并且rl/l在0.78以上0.85以下，则ci值为40ω以下。但是，根据图12，可认为即使rw/w比0.94大，并且rl/l比0.85大，也能充分降低ci值。鉴于此，在水晶片17的主振动的频率为48.0mhz的情况下，若0.78≤rl/l≤0.95，并且0.86≤rw/w≤0.95，则能够降低ci值。之所以使rl/l以及rw/w的上限为0.95是因为若rl/l以及rw/w比0.95大，则水晶片17的主振动的振动能量在区域a1的封闭不充分。(变形例)以下，参照附图对变形例所涉及的水晶振子10a进行说明。图13是变形例所涉及的水晶振子10a的剖面结构图。如图13所示，本变形例所涉及的水晶振子10a具备包含水晶片17的水晶振动片16，在基板12的背面设置热敏电阻60这一点与上述实施方式所说明的水晶振子10不同。此外，水晶片17能够应用上述实施方式中说明的构成。(水晶振荡器)以下参照附图对具备水晶片17的水晶振荡器300进行说明。图14是水晶振荡器300的剖面结构图。如图14所示，水晶振荡器300具备包含水晶片17的水晶振动片16，在基板12的背面安装ic302这一点与图3的水晶振子10不同。此外，水晶片17能够应用上述实施方式中说明的构成。(其它的实施方式)本发明所涉及的水晶片以及水晶振子并不限定于水晶片17以及水晶振子10而在其主旨的范围内能够变更。此外，水晶片17具有随着从表面的中央向短边方向以及长边方向双方远离而厚度变薄的形状。然而，水晶片17的厚度也可以随着从表面的中央向短边方向远离而减小，也可以随着从表面的中央向长边方向远离而减小。即，只要区域a2的厚度以及区域a3的厚度比区域a1的厚度小，以及/或者区域a4的厚度以及区域a5的厚度比区域a1的厚度小即可。图15以及图16是其它的实施方式所涉及的水晶片17a、17b的剖面结构图。如图15所示，也可以在与区域a2相比靠+z’侧设置具有比区域a2大的厚度的区域，也可以在与区域a3相比靠－z’侧设置具有比区域a3大的厚度的区域。同样，也可以在与区域a4相比靠－x侧设置具有比区域a4大的厚度的区域。也可以在与区域a5相比靠+x侧设置具有比区域a5大的厚度的区域。即，只要在区域a1的周围设置具有比区域a1小的厚度的区域a2～a5，则主振动的振动能量就被封闭在区域a1，所以在区域a2～a5的周围既可以存在其它的区域也可以不存在。另外，虽然区域a2～a5呈连续变化的凸面，但也可以呈凹面，也可以是不连续变化的面。即，如图16所示，区域a2～a5也可以呈阶梯状。如以上那样，本发明对水晶片以及水晶振子是有用的，特别是在能够降低ci值这一点优异。附图标记说明10、10a：水晶振子，12：基板，14：金属盖，16：水晶振动片，17、17a、17b：水晶片，21：基板主体，22、26、40、42、44、46：外部电极，30：金属化膜，50：硬钎料，60：热敏电阻，100、101：激励电极，300：水晶振荡器，a1～a5：区域。当前第1页12