带阻滤波器以及复合滤波器的制作方法

文档序号:15753844发布日期:2018-10-26 18:18阅读:204来源:国知局
带阻滤波器以及复合滤波器的制作方法

本发明涉及阻止给定频带的信号的通过的带阻滤波器、以及包含带阻滤波器的复合滤波器。



背景技术:

以往,已知有具有多个谐振器并将各个谐振器串联以及并联地连接的复合滤波器。

作为该复合滤波器的一种,在专利文献1公开了将由一对梳齿电极构成的多个声表面波谐振器分别串联以及并联地进行连接的带通滤波器。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2010-109694号公报



技术实现要素:

发明要解决的课题

在专利文献1记载的带通滤波器中,将谐振器进行并联连接而构成陷波点,从而确保衰减量,但是仅将谐振器进行并联连接,存在不能使衰减频段的带宽变宽这样的问题。

因此,本发明的目的在于,提供一种能够通过使并联连接的多个谐振器的谐振频率偏移而增大带外衰减量,即,使阻带宽度变宽的带阻滤波器、以及使用了带阻滤波器的复合滤波器。

用于解决课题的技术方案

为了达成上述目的,本发明的一个方式涉及的带阻滤波器是具有多个并联谐振器的带阻滤波器,其中,所述多个并联谐振器各自具有:压电基板;以及idt电极,形成在该压电基板的表面,所述idt电极由相互对置的一对梳齿电极形成,所述idt电极具有多个电极指,在弹性波传播方向上的所述idt电极的端部和不同于所述端部的中央部,所述电极指的间距不同。

像这样,通过使idt电极的中央部处的电极指的间距与端部处的电极指的间距不同,从而能够使idt电极的中央部的波长与端部的波长不同。由此,在并联谐振器的频率特性中可得到谐振频率不同的多个谐振点。其结果是,在由多个并联谐振器构成的带阻滤波器中,能够使阻带宽度变宽。

此外,所述端部处的所述多个电极指的间距可以小于所述中央部处的所述多个电极指的间距。

像这样,通过使idt电极的端部处的电极指的间距小于中央部处的电极指的间距,从而能够使idt电极的端部的波长比中央部的波长短。由此,在并联谐振器的频率特性中,可得到基于中央部的电极指的间距的低频侧的谐振点、以及基于端部的电极指的间距的高频侧的谐振点这样的谐振频率不同的多个谐振点。其结果是,在由多个并联谐振器构成的带阻滤波器中,能够使从低频侧的谐振点横跨高频侧的谐振点的阻带宽度变宽。

此外,可以是,所述多个并联谐振器具备:第一并联谐振器;以及第二并联谐振器,具有比所述第一并联谐振器高的谐振频率,将所述第一并联谐振器的所述中央部处的所述多个电极指的间距设为c1,将所述端部处的所述多个电极指的间距设为e1,将所述第二并联谐振器的所述中央部处的所述多个电极指的间距设为c2,在该情况下,e1<c2<c1。

据此,能够使被第一并联谐振器的多个谐振点夹着的频段与被第二并联谐振器的多个谐振点夹着的频段相互重叠一部分。由此,能够将第一并联谐振器以及第二并联谐振器的频率特性中的峰和谷抵消一部分,能够降低衰减极的阻抗的高低差,并且能够得到阻带宽度宽的带阻滤波器。

此外,可以是,在进一步将所述第二并联谐振器的所述端部处的所述多个电极指的间距设为e2的情况下,e2<e1。

据此,能够适当地进行基于被第一并联谐振器的多个谐振点夹着的频段与被第二并联谐振器的多个谐振点夹着的频段的频率特性的峰和谷的抵消。由此,能够将第一并联谐振器以及第二并联谐振器的频率特性中的峰和谷抵消一部分,能够降低衰减极的阻抗的高低差,并且能够得到阻带宽度宽的带阻滤波器。

此外,可以是,将所述多个并联谐振器按照具有更低的谐振频率的顺序设为第k并联谐振器、第(k+1)并联谐振器、…、第n并联谐振器(k、n为自然数,其中,2≤k<n),将所述第k并联谐振器的所述中央部处的所述多个电极指的间距设为ck,将所述端部处的所述多个电极指的间距设为ek,将所述第(k+1)并联谐振器的所述中央部处的所述多个电极指的间距设为c(k+1),在该情况下,ek<c(k+1)<ck。

据此,能够使被三个以上的并联谐振器各自的多个谐振点夹着的频段相互重叠一部分。由此,能够将三个以上的并联谐振器的频率特性中的峰和谷抵消一部分,能够降低衰减极的阻抗的高低差,并且能够得到阻带宽度宽的带阻滤波器。

此外,可以是,在进一步将所述第(k+1)并联谐振器的所述端部处的所述多个电极指的间距设为e(k+1)的情况下,e(k+1)<ek。

据此,在由三个以上的并联谐振器构成的带阻滤波器中,能够适当地进行被多个谐振点夹着的频段的频率特性的峰和谷的抵消。由此,能够将三个并联谐振器的频率特性中的峰和谷抵消一部分,能够降低衰减极的阻抗的高低差,并且能够得到阻带宽度宽的带阻滤波器。

此外,所述端部处的所述多个电极指的间距可以大于所述中央部处的所述多个电极指的间距。

像这样,通过使idt电极的端部处的电极指的间距大于中央部处的电极指的间距,从而能够使idt电极的端部的波长比中央部的波长长。由此,在并联谐振器的频率特性中,可得到基于中央部的电极指的间距的高频侧的谐振点、以及基于端部的电极指的间距的低频侧的谐振点这样的谐振频率不同的多个谐振点。其结果是,在由多个并联谐振器构成的带阻滤波器中,能够使从低频侧的谐振点横跨高频侧的谐振点的阻带宽度变宽。

此外,可以是,所述多个并联谐振器具备:第一并联谐振器;以及第二并联谐振器,具有比所述第一并联谐振器低的谐振频率,将所述第一并联谐振器的所述中央部处的所述多个电极指的间距设为c1,将所述端部处的所述多个电极指的间距设为e1,将所述第二并联谐振器的所述中央部处的所述多个电极指的间距设为c2,在该情况下,e1>c2>c1。

据此,能够使被第一并联谐振器的多个谐振点夹着的频段和被第二并联谐振器的多个谐振点夹着的频段相互重叠一部分。由此,能够将第一并联谐振器以及第二并联谐振器的频率特性中的峰和谷抵消一部分,能够降低衰减极的阻抗的高低差,并且能够得到阻带宽度宽的带阻滤波器。

此外,可以是,在进一步将所述第二并联谐振器的所述端部处的所述多个电极指的间距设为e2的情况下,e2>e1。

据此,能够适当地进行被第一并联谐振器的多个谐振点夹着的频段和被第二并联谐振器的多个谐振点夹着的频段的频率特性的峰和谷的抵消。由此,能够将第一并联谐振器以及第二并联谐振器的频率特性中的峰和谷抵消一部分,能够降低衰减极的阻抗的高低差,并且能够得到阻带宽度宽的带阻滤波器。

此外,可以是,将所述多个并联谐振器按照具有更高的谐振频率的顺序设为第k并联谐振器、第(k+1)并联谐振器、…、第n并联谐振器(k、n为自然数,其中,2≤k<n),将所述第k并联谐振器的所述中央部处的所述多个电极指的间距设为ck,将所述端部处的所述多个电极指的间距设为ek,将所述第(k+1)并联谐振器的所述中央部处的所述多个电极指的间距设为c(k+1),在该情况下,ek>c(k+1)>ck。

据此,能够使被三个以上的并联谐振器的多个谐振点夹着的频段相互重叠一部分。由此,能够将三个以上的并联谐振器的频率特性中的峰和谷抵消一部分,能够降低衰减极的阻抗的高低差,并且能够得到阻带宽度宽的带阻滤波器。

此外,可以是,在进一步将所述第(k+1)并联谐振器的所述端部处的所述多个电极指的间距设为e(k+1)的情况下,e(k+1)>ek。

据此,在由三个以上的并联谐振器构成的带阻滤波器中,能够适当地进行被多个谐振点夹着的频段的频率特性的峰和谷的抵消。由此,能够将三个并联谐振器的频率特性中的峰和谷抵消一部分,能够降低衰减极的阻抗的高低差,并且能够得到阻带宽度宽的带阻滤波器。

为了达成上述目的,本发明的另一个方式涉及的复合滤波器具备带通滤波器和与所述带通滤波器连接的所述带阻滤波器。

据此,能够得到能够使阻带宽度变宽的复合滤波器。

发明效果

本发明涉及的带阻滤波器以及复合滤波器能够使阻带宽度变宽。

附图说明

图1是比较例中的复合滤波器、以及用于复合滤波器的带阻滤波器的概要图。

图2的(a)是示出构成比较例中的带阻滤波器的并联谐振器的频率特性的图,图2的(b)是示出比较例中的带阻滤波器的频率特性的图。

图3是实施方式1涉及的复合滤波器、以及用于复合滤波器的带阻滤波器的概要图。

图4的(a)是示意性地表示构成实施方式1涉及的带阻滤波器的并联谐振器的俯视图,图4的(b)是a-a剖视图。

图5的(a)是示出实施方式1涉及的并联谐振器的频率特性的图,图5的(b)是示出实施方式1中的带阻滤波器的频率特性的图。

图6是用于说明带阻滤波器的频率特性的示意图。

图7是示出实施方式1以及比较例中的复合滤波器的频率特性的图。

图8的(a)是示意性地表示构成实施方式2涉及的带阻滤波器的并联谐振器的俯视图,图8的(b)是a-a剖视图。

具体实施方式

以下,使用实施例以及附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外,以下说明的实施方式均示出总括性或具体的例子。在以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子,其主旨并不在于限定本发明。关于以下的实施方式中的构成要素中的未记载于独立权利要求的构成要素,作为任意的构成要素而进行说明。此外,附图所示的构成要素的大小或大小之比未必严谨。此外,在各图中,对于实质上相同的结构标注相同的附图标记,并省略或简化重复的说明。

(实施方式1)

本实施方式涉及的带阻滤波器例如在无线通信机的电路模块等中用于阻止给定频带的信号的通过。

[带阻滤波器的课题的说明]

在对本实施方式涉及的带阻滤波器进行说明之前,对以往的带阻滤波器的课题进行说明。图1是比较例中的复合滤波器100、以及用于复合滤波器100的带阻滤波器103的概要图。

比较例中的复合滤波器100具有使给定频率的信号通过的带通滤波器102和阻止给定频段的信号的通过的带阻滤波器103。在带通滤波器102的两端分别设置有输入端子104、输出端子105。带阻滤波器103由四个并联谐振器111、112、113、114构成。并联谐振器111~114各自由声表面波谐振器构成,具备压电基板和形成在该压电基板的表面的idt电极。带阻滤波器103的一端连接在带通滤波器102与输出端子105之间,另一端接地(省略图示)。

图2的(a)是示出比较例中的并联谐振器111的频率特性的图,图2的(b)是示出比较例中的带阻滤波器103的频率特性的图。

如图2的(a)所示,并联谐振器111具有一个作为谐振频率的谐振点11a。在使复合滤波器100的阻带宽度变宽的情况下,可考虑作为带阻滤波器103而使用谐振频率不同的多个并联谐振器111~114。但是,若将多个并联谐振器111~114设计为各自的谐振频率的值成为等间隔,则如图2的(b)所示,例如,在并联谐振器111的谐振点11a与并联谐振器112的谐振点12a之间会形成反弹部(向阻抗高的方向突出的部分)。因此,在比较例中的复合滤波器100中,不能确保充分的阻带宽度。

在本实施方式中,对能够使阻带宽度变宽的带阻滤波器以及复合滤波器进行说明。

[复合滤波器以及带阻滤波器的结构]

图3是实施方式1涉及的复合滤波器1以及用于复合滤波器1的带阻滤波器3的概要图。

复合滤波器1具有使给定频率的信号通过的带通滤波器2和阻止给定频段的信号的通过的带阻滤波器3。在带通滤波器2的两端分别设置有输入端子4、输出端子5。在复合滤波器1用于无线通信机的电路模块的情况下,例如,输入端子4与天线元件或天线开关连接,输出端子5与lna(lownoiseamplifier,低噪声放大器)连接。

带通滤波器2例如是多个谐振器各自串联以及并联地连接的梯型的声表面波滤波器。另外,带通滤波器2不限于声表面波滤波器,也可以是lc滤波器。

如图3所示,带阻滤波器3由四个并联谐振器11、12、13、14构成。另外,带阻滤波器3的并联谐振器的数目不限于四个,例如只要为两个以上且十个以下即可。

并联谐振器11~14各自为声表面波谐振器,具备形成在压电基板的表面的idt电极(interdigitaltransducer,叉指换能器)101。在idt电极101的两端的外侧分别配置有反射器120a、120b。idt电极101由相互对置的一对梳齿电极形成。idt电极101在俯视的情况下具有中央部c和端部e,在中央部c和端部e中构造不同。关于它们的构造的差异,将后述。

带阻滤波器3的一端连接在带通滤波器2与输出端子5之间,另一端接地(省略图示)。带阻滤波器3将通过了带通滤波器2的给定频段的信号分量引导到接地侧,由此,阻止在输出端子5处输出给定频段的信号分量。

[并联谐振器的结构]

接着,对构成带阻滤波器3的并联谐振器11~14进行说明。在此,以四个并联谐振器11~14中的并联谐振器11为代表例,对并联谐振器11~14的典型的构造进行说明。

图4的(a)是示意性地表示并联谐振器11的俯视图,图4的(b)是a-a剖视图。

如前所述,并联谐振器11由压电基板53和形成在该压电基板53的表面的idt电极101构成。idt电极101由相互对置的一对梳齿电极110a、110b形成。

如图4的(a)所示,梳齿电极110a由相互平行的多个电极指111a和连接多个电极指111a的汇流条电极112a构成。此外,梳齿电极110b由相互平行的多个电极指111b和连接多个电极指111b的汇流条电极112b构成。多个电极指111a以及111b沿着与声表面波的传播方向(x轴方向)正交的方向形成。以下,在统称电极指111a以及111b的情况下,称为电极指f。

本实施方式中的idt电极101的电极指f的占空比例如为60%。idt电极101的交叉宽度l是从x轴方向观察电极指111a以及电极指111b的情况下重复的距离,例如为,交叉宽度l=20μm。关于电极指f的对数,例如,idt电极101的中央部c为51根,一端部e为5根,另一端部e为5根。但是,电极指f的根数不限于此,只要在电极指f的全部根数之中,中央部c的根数占70~90%即可。

此外,如图4的(b)所示,idt电极101成为密接层54a和主电极层54b的层叠构造。密接层54a是用于使压电基板53和主电极层54b的密接性提高的层,作为材料,例如,使用ti。关于主电极层54b,作为材料,例如使用含有1%的cu的a1。主电极层54b的膜厚例如为115nm。保护层55形成为覆盖idt电极101。保护层55是以从外部环境保护主电极层54b、调整频率温度特性、以及提高耐湿性等为目的层,例如,是将二氧化硅作为主成分的膜。压电基板53例如由45°y切割x传播litao3压电单晶或压电陶瓷构成。

在此,参照图4以及图5对idt电极101的中央部c处的多个电极指f的间距与端部e处的多个电极指f的间距的关系进行说明。

如图4所示,多个电极指f的间距在声表面波的传播方向(x轴方向)上的idt电极101的端部e和中央部c不同。所谓端部e,是由包括声表面波的传播方向上的idt电极101的最外端的多个电极指111a、111b构成的部分。此外,所谓中央部c,是与idt电极101的端部e不同的部分。声表面波谐振器的波长由构成idt电极101的多个电极指f的重复间距规定,因此并联谐振器11具有反映了中央部c的间距的波长λ1、反映了端部e的间距的波长λ2这样的两个波长。

具体地,在idt电极101中,端部e处的多个电极指f的间距e1小于中央部c处的多个电极指f的间距c1。即,端部e的波长λ2比中央部c的波长λ1短。

因此,如图5的(a)所示,在并联谐振器11的谐振频带中出现两个谷和一个峰。谐振频率中的两个谷相当于并联谐振器11的谐振点11a、11b。两个谐振点11a、11b中的、基于中央部c的电极指f的间距的谐振点11a位于比基于端部e的电极指f的间距的谐振点11b靠低频侧。谐振频带中的峰的部分是谐振点11a、11b之间的反弹部11c。

例如,通过使谐振频率适当地偏移而制作具备窄间距的电极指部分且分别具有两个谐振点的多个并联谐振器11、12,从而如图5的(b)所示,能够得到反弹部11c的高度低且阻带宽度宽的带阻滤波器3。

以下,对分别具有两个谐振点的多个并联谐振器11~14的结构进行说明。

在此,将多个并联谐振器11~14按照具有更低的谐振频率的顺序设为第一并联谐振器11、第二并联谐振器12、第三并联谐振器13、第四并联谐振器14。此外,将并联谐振器11~14的中央部c处的电极指f的间距、以及端部e处的电极指f的间距设为如下述(1)~(4)所示:

(1)将第一并联谐振器11的电极指的中央部c的间距设为c1,将端部e的间距设为e1;

(2)将第二并联谐振器12的电极指的中央部c的间距设为c2,将端部e的间距设为e2;

(3)将第三并联谐振器13的电极指的中央部c的间距设为c3,将端部e的间距设为e3;

(4)将第四并联谐振器14的电极指的中央部c的间距设为c4,将端部e的间距设为e4,

在该情况下,本实施方式具有下述(a)~(c)所示的关系:

(a)e1<c2<c1;

(b)e2<c3<c2;

(c)e3<c4<c3。

另外,关于端部e处的电极指f的间距,具有下述(d)所示的关系:

(d)e4<e3<e2<e1。

具体地,电极指f的间距成为表1所示的值。

[表1]

上述(a)~(c)所示的关系例如表示,第一并联谐振器11的电极指f的端部e的波长λ2比第二并联谐振器12的电极指f的中央部c的波长λ1短。这表示,被第一并联谐振器11的两个谐振点11a、11b夹着的频段和被第二并联谐振器12的两个谐振点12a、12b夹着的频段相互重叠一部分。

参照图6对该关系进行进一步说明。图6是用于说明带阻滤波器3的频率特性的示意图。

如图6的(a)所示,在第一并联谐振器11的谐振频带中,存在两个谐振点11a、11b和位于谐振点11a与11b之间的反弹部11c。谐振点11a是基于中央部c的电极指f的间距的谐振频率,谐振点11b是基于端部e的电极指f的间距的谐振频率。反弹部11c是在两个谐振点11a、11b之间向阻抗高的方向突出的部分。

如图6的(b)所示,第二并联谐振器12具有比第一并联谐振器11高的谐振频率。在第二并联谐振器12的谐振频带中,存在两个谐振点12a、12b和位于谐振点12a与12b之间的反弹部12c。谐振点12a是基于中央部c的电极指f的间距的谐振频率,谐振点12b是基于端部e的电极指f的间距的谐振频率。反弹部12c是在两个谐振点12a、12b之间向阻抗高的方向突出的部分。

第二并联谐振器12设计为,谐振点12a与第一并联谐振器11的反弹部11c大致一致,此外,反弹部12c与第一并联谐振器11的谐振点11b大致一致。因此,若将第一并联谐振器11和第二并联谐振器12并联连接,则被第一并联谐振器11的两个谐振点11a、11b夹着的频段和被第二并联谐振器12的两个谐振点12a、12b夹着的频段相互重叠一部分。

因此,在将第一并联谐振器11和第二并联谐振器12并联连接的情况下,如图6的(c)所示,各自的频率特性的峰和谷被抵消一部分,反弹部11c、12c的高度变低。由此,在将第一并联谐振器11和第二并联谐振器12并联连接的带阻滤波器3中,能够使阻带宽度变宽。

在上述中对两个并联谐振器11、12进行了说明,但是可以说,在将并联谐振器设为三个以上的情况下也是同样的。

另外,图6毕竟仅为用于帮助理解本实施方式的示意图,有时在使峰和谷稍微错开地相互重叠的情况下,阻带宽度变得更平坦。

图7是示出实施方式1涉及的复合滤波器1、以及比较例中的复合滤波器100的频率特性的图。

如前所述,复合滤波器1的带阻滤波器3连接在带通滤波器2与输出端子5之间。此外,复合滤波器100的带阻滤波器103连接在带通滤波器102与输出端子105之间。

如图7所示,若在比带通滤波器2、102的通带靠高频侧进行比较,则与比较例相比,本实施方式的衰减量大的频段增加。即,在本实施方式涉及的复合滤波器1中,能够使阻带宽度变宽。

[效果等]

本实施方式涉及的带阻滤波器3是具有多个并联谐振器11~14的带阻滤波器3,多个并联谐振器11~14各自具有压电基板53和形成在压电基板53的表面的idt电极101,idt电极101由相互对置的一对梳齿电极110a、110b形成,idt电极101具有多个电极指f(111a、111b),在弹性波传播方向上的idt电极101的端部e和不同于端部e的中央部c,电极指f(111a、111b)的间距不同。

像这样,通过使idt电极101的中央部c处的电极指f的间距与端部e处的电极指f的间距不同,从而能够使idt电极101的中央部c的波长λ1和端部e的波长λ2不同。由此,例如,在并联谐振器11的频率特性中可得到谐振频率不同的多个谐振点11a、11b。其结果是,在由多个并联谐振器11~14构成的带阻滤波器3中,能够使阻带宽度变宽。

另外,虽然在本实施方式中,以中央部c以及端部e这样的两种电极指f的间距构成了idt电极101,但是idt电极101的电极指f的种类并不限于两种。电极指f也可以由三种以上的不同的间距构成。

此外,带阻滤波器3也可以使端部e处的多个电极指f的间距小于中央部c处的多个电极指f的间距。

像这样,通过使idt电极101的端部e处的电极指f的间距小于中央部c处的电极指f的间距,从而能够使端部e的波长λ2比中央部c的波长λ1短。由此,例如,在并联谐振器11的频率特性中,可得到基于中央部c的电极指f的间距的低频侧的谐振点11a、以及基于端部e的电极指f的间距的高频侧的谐振点11b这样的谐振频率不同的多个谐振点11a、11b。其结果是,在由多个并联谐振器11~14构成的带阻滤波器3中,能够使从低频侧的谐振点11a横跨高频侧的谐振点11b的阻带宽度变宽。

另外,虽然在本实施方式中,以四个并联谐振器11~14为例进行了说明,但是并联谐振器的数目不限于四个。如果将本实施方式涉及的带阻滤波器3不限于并联谐振器的数目而进行普遍化表现,则如下。

在本实施方式涉及的带阻滤波器3中,将多个并联谐振器按照具有更低的谐振频率的顺序设为第k并联谐振器、第(k+1)并联谐振器、…、第n并联谐振器(k、n为自然数,其中1≤k<n),将第k并联谐振器的中央部c处的多个电极指f的间距设为ck,将端部e处的多个电极指f的间距设为ek,将第(k+1)并联谐振器的中央部c处的多个电极指f的间距设为c(k+1),在该情况下,ek<c(k+1)<ck。

此外,在进一步将第(k+1)并联谐振器的端部e处的多个电极指f的间距设为e(k+1)的情况下,e(k+1)<ek。

据此,能够使被多个并联谐振器各自的多个谐振点夹着的频段相互重叠一部分。由此,能够将多个并联谐振器的频率特性的峰和谷抵消一部分,能够降低衰减极的阻抗的高低差,并且能够得到阻带宽度宽的带阻滤波器3。

(实施方式2)

在实施方式2涉及的带阻滤波器3中,端部e处的多个电极指f的间距大于中央部c处的多个电极指f的间距。

图8的(a)是示意性地表示实施方式2中的并联谐振器11的俯视图,图8的(b)是a-a剖视图。

参照图8对实施方式2中的idt电极101的中央部c处的多个电极指111a、111b的间距与端部e处的多个电极指111a、111b的间距的关系进行说明。

如图8的(a)所示,在idt电极101中,端部e处的多个电极指f的间距e1大于中央部c处的多个电极指f的间距c1。即,端部e的波长λ2比中央部c的波长λ1长。

因此,在并联谐振器11的谐振频率中出现两个谷和一个峰。谐振频率中的两个谷相当于并联谐振器11的两个谐振点。两个谐振点中的、基于中央部c的电极指f的间距的谐振点位于比基于端部e的电极指f的间距的谐振点靠高低频侧。

例如,通过使谐振频率适当地偏移而制作具有两个谐振点的多个并联谐振器11、12,从而能够得到反弹部低且阻带宽度宽的带阻滤波器3。

以下,对具有两个谐振点的多个并联谐振器11~14的结构进行说明。

在此,将多个并联谐振器11~14按照具有更低的谐振频率的顺序设为第一并联谐振器11、第二并联谐振器12、第三并联谐振器13、第四并联谐振器14。此外,将并联谐振器11~14的中央部c处的电极指f的间距、以及端部e处的电极指f的间距设为如下述(1)~(4)所示:

(1)将第一并联谐振器11的电极指的中央部c的间距设为c1,将端部e的间距设为e1;

(2)将第二并联谐振器12的电极指的中央部c的间距设为c2,将端部e的间距设为e2;

(3)将第三并联谐振器13的电极指的中央部c的间距设为c3,将端部e的间距设为e3;

(4)将第四并联谐振器14的电极指的中央部c的间距设为c4,将端部e的间距设为e4,

在该情况下,本实施方式具有下述(a)~(c)所示的关系:

(a)e1>c2>c1;

(b)e2>c3>c2;

(c)e3>c4>c3。

另外,关于端部e处的电极指f的间距,具有下述(d)所示的关系:

(d)e4>e3>e2>e1。

上述(a)~(c)所示的关系例如表示,第一并联谐振器11的电极指f的端部e的波长λ2比第二并联谐振器12的电极指f的中央部c的波长λ1长。这表示,被第一并联谐振器11的两个谐振点夹着的频段和被第二并联谐振器12的两个谐振点夹着的频段相互重叠一部分。

由此,在将第一并联谐振器11和第二并联谐振器12并联连接的带阻滤波器3中,能够使阻带宽度变宽,此外,能够降低阻带内的阻抗的高低差。虽然在上述中对两个并联谐振器11、12进行了说明,但是可以说在将并联谐振器设为三个以上的情况下也是同样的。

[效果等]

在本实施方式涉及的带阻滤波器3中,使端部e处的多个电极指f的间距大于中央部c处的多个电极指f的间距。

像这样,通过使idt电极101的端部e处的电极指f的间距大于中央部c处的电极指f的间距,从而能够使idt电极101的端部e的波长λ2比中央部c的波长λ1长。由此,例如,在并联谐振器11的频率特性中,可得到基于中央部c的电极指f的间距的高频侧的谐振点、以及基于端部e的电极指f的间距的低频侧的谐振点这样的谐振频率不同的多个谐振点。其结果是,通过将多个并联谐振器11~14并联连接,从而能够得到从低频侧横跨高频的阻带宽度宽的带阻滤波器3。

另外,虽然在本实施方式中以四个并联谐振器11~14为例进行了说明,但是并联谐振器的数目不限于四个。如果将本实施方式涉及的带阻滤波器3不限于并联谐振器的数目而进行普遍化表现,则如下。

在本实施方式涉及的带阻滤波器3中,将多个并联谐振器按照具有更低的谐振频率的顺序设为第k并联谐振器、第(k+1)并联谐振器、…、第n并联谐振器(k、n为自然数,其中,1≤k<n),将第k并联谐振器的中央部c处的多个电极指f的间距设为ck,将端部e处的多个电极指f的间距设为ek,将第(k+1)并联谐振器的中央部c处的多个电极指f的间距设为c(k+1),在该情况下,ek>c(k+1)>ck。

此外,在进一步将第(k+1)并联谐振器的端部e处的多个电极指f的间距设为e(k+1)的情况下,e(k+1)>ek。

据此,能够使被多个并联谐振器各自的多个谐振点夹着的频段相互重叠。由此,能够将多个并联谐振器的频率特性的峰和谷抵消一部分,能够降低衰减极的阻抗的高低差,并且能够得到阻带宽度宽的带阻滤波器3。

(其它)

以上,对本发明的实施方式涉及的带阻滤波器3以及复合滤波器1进行了说明,但是本发明并不限定于上述实施方式及其变形例。例如,对上述实施方式及其变形例实施了如下的变形的方式也能够包含于本发明。

例如,虽然在上述实施方式中,一对梳齿电极110a、110b在俯视下成为左右对称,但是不限于左右对称,也可以是左右不对称。例如,也可以使梳齿电极110b的单侧最端部的电极指f比梳齿电极110a的单侧最端部的电极指f更靠外侧,从而设为不对称。

此外,上述实施方式中的带阻滤波器3的构造并不限定于图4记载的构造。例如,idt电极101也可以不是金属膜的层叠构造,而是单层的金属膜。此外,压电基板53也可以是依次层叠了高声速支承基板、低声速膜、以及压电膜的层叠构造。虽然在上述实施方式中,作为压电基板53而例示了45°y切割x传播litao3单晶,但是单晶材料并不限定于litao3,单晶材料的切割角也不限定于此。

此外,上述实施方式涉及的复合滤波器1也可以在输入端子4与输出端子5之间进一步连接有电感元件、电容元件。

产业上的可利用性

本发明作为阻止给定频带的信号的通过的带阻滤波器、或者包含带阻滤波器的复合滤波器,能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

附图标记说明

1:复合滤波器;

2:带通滤波器;

3:带阻滤波器;

4:输入端子;

5:输出端子;

11、12、13、14:并联谐振器;

53:压电基板;

54a:密接层;

54b:主电极层;

55:保护层;

101:idt电极;

110a、110b:梳齿电极;

111a、111b:电极指;

112a、112b:汇流条电极;

120a、120b:反射器;

c:idt电极的中央部;

c1、c2、c3、c4:中央部处的电极指的间距;

e:idt电极的端部;

f:电极指;

e1、e2、e3、e4:端部处的电极指的间距;

λ1、λ2:波长。

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