技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于FinFET器件的三态反相器，包括第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第一P型FinFET管和第二P型FinFET管，第一P型FinFET管为高阈值P型FinFET管，第一N型FinFET管为高阈值N型FinFET管，第二P型FinFET管为低阈值P型FinFET管，第二N型FinFET管为低阈值N型FinFET管；优点是通过用第一P型FinFET管来实现原由反相管和使能管两个P型FinFET管的功能，第一N型FinFET管也实现了集输入端和使能端共同控制的效果，通过用第一N型FinFET管来实现原由反相管和使能管两个N型FinFET管的功能，电路面积、延时、功耗和功耗延时积也得到了较大的优化。
技术研发人员：胡建平;杨会山;汪佳峰
受保护的技术使用者：宁波大学
技术研发日：2017.04.18
技术公布日：2017.09.29