化银工艺中爬银的抑制方法与流程

文档序号:11254742
化银工艺中爬银的抑制方法与流程

本发明属于抑制爬银技术领域,具体涉及一种化银工艺中爬银的抑制方法。



背景技术:

一般来说印制电路板多采用化银工艺进行金属化表面处理,但是其存在的缺点是容易产生爬银从而影响电路板的质量和使用寿命。爬银问题会影响线路线宽线隙,从而影响线路信号传递,严重时会导致信号偏移、失真,使其失去原有的功能。目前还没有一种技术专用于解决化银工艺的爬银(Silver Overflow)问题。对于当前在化银工艺中出现的爬银问题也没有特别有效的解决方法,现有的方法只能起到改善作用,生产效率低,成本高。



技术实现要素:

本发明的目的在于解决以上现有技术中存在的技术问题,提供一种爬银抑制效果好、生产成本低的化银工艺中爬银的抑制方法。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的:

一种化银工艺中爬银的抑制方法,包括步骤A;A.有机醇胺处理:在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺浸润,得到抑制处理后的电路板。

进一步的,在步骤A之前,还包括步骤S,S.待化银的电路板的预处理:电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后,得到待化银的电路板。

进一步的,在步骤A之后,还包括步骤J,J.化银:将待化银的电路板进行化银处理。

进一步的,所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺中的一种或几种。

进一步的,所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺水溶液;所述单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为15%-25%。

进一步的,所述单乙醇胺的浸润温度为40-60℃。

进一步的,所述单乙醇胺的浸润时间为10-20min。

本发明相对于现有技术的有益效果是:本发明的化银工艺中爬银的抑制方法,采用有机醇胺作为抑制剂,通过将现有的化银工艺进行改进,即在电路板进行化银操作时先用有机醇胺进行处理,经过本发明中的实验测试,优选出了单乙醇胺水溶液作为最佳的抑制剂,并在优化条件下,实现了最优的抑制爬银的技术效果,从而,本发明的方法可以抑制印制电路板在化银工艺中出现的爬银品质缺陷,并且使用方便,操作简单,进而采用本发明后生产效率更高,相对成本更低。

附图说明

图1本发明测试例1未采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图2本发明测试例1低温下(20℃-30℃)采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后得到的印制电路板。

图3本发明测试例1高温下(40℃-60℃)采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后得到的印制电路板。

图4本发明测试例2未采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图5本发明测试例2采用低浓度单乙醇胺水溶液(质量分数为5%-10%)进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图6本发明测试例2采用高浓度单乙醇胺水溶液(质量分数为15%-25%)进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图7本发明测试例3未采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图8本发明测试例3采用单乙醇胺水溶液短时间内(2min-6min)进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图9本发明测试例3采用单乙醇胺水溶液长时间内(10min-20min)进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图10现有技术未做爬银抑制处理得到的印制电路板。

图11采用本发明的爬银抑制处理方法得到的印制电路板。

其中,图1中爬银宽度L1为27~36μm,图2中爬银宽度L2为11~16μm;图3中没有爬银;图4中爬银宽度L3为27~29μm;图5中爬银宽度L4为13~15μm;图6中没有爬银;图7中爬银宽度L5为27~36μm;图8中爬银宽度L6为11~12μm;图9中没有爬银;图10中爬银宽度L7>26μm;图11中没有爬银。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明的技术方案进行详细的说明,以使本领域的技术人员在阅读了本发明说明书的基础上能够充分完整的实现本发明的技术方案,并解决本发明所要解决的现有技术中存在的问题。应当说明的是,以下仅是本发明的优选实施方式,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些应当都属于本发明的保护范围。

实施例

一种化银工艺中爬银的抑制方法,包括步骤A;A.有机醇胺处理:在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺浸润,得到抑制处理后的电路板。

现有的电路板的制作方法主要流程包括除油→水洗→微蚀→水洗→预浸→化银→水洗→清洁→水洗→烘干最后得到电路板,而使用该工艺最多的是印制电路板的制备,本发明以印制电路板为例来说明本发明的方法的基本原理和效果。

本发明的印制电路板在化银工艺前使用本技术即有机醇胺进行处理,然后再进行化银工艺制作,发明人发现有机醇胺类物质能够有效的控制印制电路板在制作过程所吸附的活性金属,使其在化银工艺中失去活性,从而使银不能沉积在板料上。其作用原理可能是因为其有机醇胺中含有氨基,氨基与板料吸附上的活性金属颗粒,如锡等发生络合反应,从而有效阻止其与银离子发生置换反应,从而达到抑制爬银的目的。处理前后的印制电路板如图10和图11所示。

进一步的,在步骤A之前,还包括步骤S,S.待化银的电路板的预处理:电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后,得到待化银的电路板。

进一步的,在步骤A之后,还包括步骤J,J.化银:将待化银的电路板进行化银处理。

本发明的抑制方法操作简单,在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺或有机醇胺稀释后的溶液进行浸润处理,在进行相关的化银操作即可。为了取得较好的爬银抑制效果,本发明对现有的技术进行改进,在化银之前,预浸之后增加上述步骤A,对电路板进行抑制处理,然后在A步骤之后按照现有的方式进行化银操作从而更好的抑制化银工艺产生的爬银问题。

进一步的,所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺中的一种或几种。

进一步的,所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺水溶液;所述单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为15%-25%。

进一步的,所述单乙醇胺的浸润温度为40-60℃。

进一步的,所述单乙醇胺的浸润时间为10-20min。

经过实验和优选,为了在较短的时间内和较低的温度下实现化银工艺中对爬银较好的抑制效果,本发明对步骤A中所使用的有机醇胺的种类,方式以及温度和浸润时间进行了研究。实验证实,在有机醇胺为含有质量分数为15%-25%的单乙醇胺的单乙醇胺水溶液、浸润温度为40-60℃、浸润时间为10-20min时,成本最低,时间最短效果最佳。

测试例1温度对本发明采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后得到的印制电路板的质量的影响

本测试例是在其它参数如单乙醇胺水溶液浓度、浸润温度和浸润时间等因素不变的情况下,单独改变温度来测试温度变化对抑制爬银的影响,即本测试例的单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为15%-25%和浸润时间为10-20min。如图1-3所示,图1中,采用现有的化银工艺制成的印制电路板,其存在严重的爬银现象,其宽度在27-36μm;而在温度为20~30℃下采用本发明对现有的工艺流程进行改进的方法,用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后再进行化银处理得到的印制电路板,其爬银现象显著改善,如图2所示,其宽度为11~16μm;而在温度为40~60℃下采用本发明对现有的工艺流程进行改进的方法,用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后再进行化银处理得到的印制电路板,如图3所示,爬银已经完全消除,从而本发明的方法,将温度控制在40~60℃下用单乙醇胺水溶液处理后,具有最佳的爬银抑制效果。

测试例2单乙醇胺水溶液的浓度对本发明采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后得到的印制电路板的质量的影响

本测试例是在其它参数如单乙醇胺水溶液浓度、浸润温度和浸润时间等因素不变的情况下,单独改变单乙醇胺水溶液浓度来测试浓度变化对抑制爬银的影响,即本测试例的浸润温度为40-60℃和浸润时间为10-20min。如图4-6所示,图4中,采用现有的化银工艺制成的印制电路板,其存在严重的爬银现象,其宽度在27-29μm;而在单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为5%-10%,采用本发明对现有的工艺流程进行改进的方法,用该单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后再进行化银处理得到的印制电路板,其爬银现象显著改善,如图5所示,其宽度为13~15μm;而在单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为15%-25%,采用本发明对现有的工艺流程进行改进的方法,用该单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后再进行化银处理得到的印制电路板,如图6所示,爬银已经完全消除,从而本发明的方法,将单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数控制在15%-25%,具有最佳的爬银抑制效果。

测试例3处理时间对本发明采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后得到的印制电路板的质量的影响

本测试例是在其它参数如单乙醇胺水溶液浓度、浸润温度和浸润时间等因素不变的情况下,单独改变单乙醇胺水溶液的处理时间来测试处理时间变化对抑制爬银的影响,即本测试例的单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为15%-25%和浸润温度为40-60℃。如图7-9所示,图7中,采用现有的化银工艺制成的印制电路板,其存在严重的爬银现象,其宽度在27-36μm;而采用本发明对现有的工艺流程进行改进的方法,用该单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理2-6分钟后再进行化银处理得到的印制电路板,其爬银现象显著改善,如图8所示,其宽度为11~12μm;而采用本发明对现有的工艺流程进行改进的方法,用该单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理10-20分钟后再进行化银处理得到的印制电路板,如图9所示,爬银已经完全消除,从而本发明的方法,将单乙醇胺水溶液的处理时间控制在10-20分钟,具有最佳的爬银抑制效果。

实施例1

一种化银工艺中爬银的抑制方法,电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后,得到待化银的电路板;将待化银的电路板表面用有机醇胺浸润,得到抑制处理后的电路板;将待化银的电路板进行化银处理。所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺。

实施例2

一种化银工艺中爬银的抑制方法,电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后,得到待化银的电路板;将待化银的电路板表面用有机醇胺浸润,得到抑制处理后的电路板;将待化银的电路板进行化银处理。所述步骤A中所述有机醇胺为任意体积比混合的单乙醇胺和丙醇胺。

实施例3

一种化银工艺中爬银的抑制方法,电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后,得到待化银的电路板;将待化银的电路板表面用有机醇胺浸润,得到抑制处理后的电路板;将待化银的电路板进行化银处理。所述步骤A中所述有机醇胺为丙醇胺或丁醇胺。

实施例4

一种化银工艺中爬银的抑制方法,电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后,得到待化银的电路板;将待化银的电路板表面用有机醇胺浸润,得到抑制处理后的电路板;将待化银的电路板进行化银处理;所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺水溶液;所述单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为15%;所述的化银工艺中爬银的抑制方法,所述单乙醇胺的浸润温度为40℃;所述的化银工艺中爬银的抑制方法,所述单乙醇胺的浸润时间为10min。

实施例5

一种化银工艺中爬银的抑制方法,电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后,得到待化银的电路板;将待化银的电路板表面用有机醇胺浸润,得到抑制处理后的电路板;将待化银的电路板进行化银处理;所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺水溶液;所述单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为25%;所述的化银工艺中爬银的抑制方法,所述单乙醇胺的浸润温度为60℃;所述的化银工艺中爬银的抑制方法,所述单乙醇胺的浸润时间为20min。

实施例6

一种化银工艺中爬银的抑制方法,电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后,得到待化银的电路板;将待化银的电路板表面用有机醇胺浸润,得到抑制处理后的电路板;将待化银的电路板进行化银处理;所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺水溶液;所述单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为20%;所述的化银工艺中爬银的抑制方法,所述单乙醇胺的浸润温度为50℃;所述的化银工艺中爬银的抑制方法,所述单乙醇胺的浸润时间为15min。

实施例7

一种化银工艺中爬银的抑制方法,电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后,得到待化银的电路板;将待化银的电路板表面用有机醇胺浸润,得到抑制处理后的电路板;将待化银的电路板进行化银处理;所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺水溶液;所述单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为18%;所述的化银工艺中爬银的抑制方法,所述单乙醇胺的浸润温度为45℃;所述的化银工艺中爬银的抑制方法,所述单乙醇胺的浸润时间为13min。

根据本说明书的记载即可较好的实现本发明的技术方案。

再多了解一些
当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1