一种高集成度低EMI雾化器驱动芯片电路的制作方法

本发明属于雾化器的技术领域，特别涉及一种雾化器的驱动芯片电路。

背景技术：

近年来，雾化器大量应用于健康和保养的用途，雾化器通过超声波振动将水或者液体，雾化为气体分子。其方法主要通过驱动芯片将超声波频率的信号传递给雾化片，将直流电转化为超声波能量。

通常雾化器工作5v～24v对的直流电压下，为了驱动雾化片工作，驱动芯片需要产生1.7mhz或2.4mhz的振荡频率，输出级的驱动开关在高速通断过程中会产生emi干扰，特别是大功率雾化片emi干扰更加明显。同时在板级pcb方案中需要bjt放大管来增加驱动能力，使大功率雾化片能够在超声波频率下工作。

如专利申请201520474288.6公开了一种避免杂质干扰的压缩式雾化器，包括壳体、气缸、雾化装置、马达及马达固定座，壳体包括底座和盖体，马达通过一个连接螺栓安装于底座上，马达固定座盖板通过连接螺栓与马达固定连接；盖体的侧壁上设置有多个用于散热的条形通孔，每个条形通孔内侧的盖体内壁上均设置有挡片，挡片的末端为弧形片；马达两侧的底座上均设置有一个竖直筋板。然而该专利申请是关于雾化器杂质干扰的，其仅仅是去除杂质干扰，没有涉及对于驱动芯片的改进，仍然存在上述问题。

因此，业内目前需要一种能够减小emi干扰，低开发成本高集成度的驱动芯片方案。

技术实现要素：

基于此，因此本发明的首要目地是提供一种高集成度低emi雾化器驱动芯片电路，该电路具有高集成度且带驱动能力，能够减小emi干扰。

本发明的另一个目地在于提供一种高集成度低emi雾化器驱动芯片电路，该电路增强了雾化片驱动芯片自身的驱动能力，可以代替目前驱动方案的bjt驱动管，减少方案器件，降低成本，提高了集成度。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：

一种高集成度低emi雾化器驱动芯片电路，其包括emi控制电路及复数个雾化驱动i/o口，所述emi控制电路包括drvn电路和drvp电路，所述drvn电路和drvp电路并联于所述复数个雾化驱动i/o口。

进一步，所述复数个雾化驱动i/o口包括有雾化驱动i/o口1，雾化驱动i/o口2，雾化驱动i/o口3，雾化驱动i/o口4。emi控制电路包括drvn电路和drvp电路，drvn输出的抗emi信号控制雾化驱动i/o口的nmos驱动管，drvp输出的抗emi信号控制雾化驱动i/o口的pmos驱动管。

进一步，所述drvn和drvp电路分别接芯片产生的相位相反的振荡频率信号drvinn和drvinp，且drvn和drvp电路均接于数字控制位emictr<2:0>，由此可以设置emi电路对振荡频率信号进行不同的延迟处理。

进一步，所述emi控制电路的输出端p和n分别耦接雾化驱动i/o口1，雾化驱动i/o口2，雾化驱动i/o口3，雾化驱动i/o口4的输入端，雾化驱动i/o口1到4的输出端藕接在一起作为驱动输出端。

本发明提供的emi控制电路工作原理如下：emi控制电路内部的drvn和drvp电路分别接芯片产生的相位相反的振荡频率信号，由数字控制位emictr<2:0>可以设置emi电路对振荡频率信号进行四总不同的延迟处理，减小方波的上升沿和下降沿斜率。雾化驱动i/o的驱动mos导通控制信号有较小的延迟差，使驱动mos可以分时导通，减小驱动mos在同时工作时产生的电流冲击，减小emi干扰。

由此，雾化驱动i/o口可以集成大驱动mos，由四个雾化驱动io口共同提供输出驱动，四个驱动i/o都可以独立控制工作状态，驱动能力可控。

本发明所实现的雾化器驱动芯片电路，具有以下技术效果：

1、由于emi电路可以减缓输出方波的上升沿和下降沿，有效减小emi干扰。

2、雾化驱动io口大驱动mos可以通过错时导通进一步减小大驱动emi干扰。

3、雾化驱动io口集成了大驱动mos，增强了雾化片驱动芯片自身的驱动能力，可以代替目前驱动方案的bjt驱动管，减少方案器件，降低成本，提高了集成度。

4、四个雾化驱动io可以进行单独控制，驱动能力可配置，提高了芯片的适用性。

附图说明

图1是本发明所实施的驱动芯片电路图。

图2是本发明所实施emi控制模块的电路图。

图3是本发明所实施emi控制电路的输出波形图。

图4是无emi控制电路时的波形图。

图5是应用本发明所实现雾化器驱动的电路图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

图1所示，为本发明所实现的的雾化器驱动芯片电路，图中所示，该电路包括emi控制电路，雾化驱动i/o口1，雾化驱动i/o口2，雾化驱动i/o口3，雾化驱动i/o口4。图2所示emi控制电路包括drvn电路和drvp电路，drvn输出端n的抗emi信号控制雾化驱动i/o口的nmos驱动管，drvp输出端p的抗emi信号控制雾化驱动i/o口的pmos驱动管。emi控制电路接收芯片产生的1.7mhz频率相同、相位相反的两个控制方波，分别通过drvinp和drvinn端接入drvp电路和drvn电路，通过3位数字控制位emictr<2:0>，使方波信号上升沿和下降沿产生不同的斜率。输出波形如图3所示，数字配置位为100时雾化驱动io的输出波形，上升下降沿变平滑，没有过冲抖动。图4为没有emi控制电路产生的波形，有过冲干扰。

在本发明的实施例中的四个雾化驱动i/o口可以通过程序自由设置使用个数，实现驱动能力可配置。当两个以上i/o同时使用时，驱动不同i/o的频率信号会有微小的相位差，使驱动管实现错时导通，进一步减小emi。

其中，emi控制电路的输出端分别耦接雾化驱动i/o口1，雾化驱动i/o口2，雾化驱动i/o口3，雾化驱动i/o口4的输入端。雾化驱动i/o口1到4的输出端藕接在一起作为驱动输出端。传统的雾化片驱动电路输入驱动信号要经过bjt放大驱动后，通过集电极来驱动nmos开关。本发明的实施例中四个雾化驱动i/o口能够提供足够的驱动能力，可以直接驱动nmos开关，使用本发明的驱动电路参看图5，驱动芯片的驱动输出可以直接连接驱动输入端，输入端连接场效应管的栅极，省去两个bjt管q1和q2，将其功能集成在芯片中降低了开发成本。

emi控制电路内部的drvn和drvp电路分别接芯片产生的相位相反的振荡频率信号，由数字控制位emictr<2:0>可以设置emi电路对振荡频率信号进行四总不同的延迟处理，减小方波的上升沿和下降沿斜率。雾化驱动i/o的驱动mos导通控制信号有较小的延迟差，使驱动mos可以分时导通，减小驱动mos在同时工作时产生的电流冲击，减小emi干扰。

由此，雾化驱动i/o口可以集成大驱动mos，由四个雾化驱动io口共同提供输出驱动，四个驱动i/o都可以独立控制工作状态，驱动能力可控。

本发明所实现的雾化器驱动芯片电路，具有以下技术效果：

1、由于emi电路可以减缓输出方波的上升沿和下降沿，有效减小emi干扰。

2、雾化驱动io口大驱动mos可以通过错时导通进一步减小大驱动emi干扰。

3、雾化驱动io口集成了大驱动mos，增强了雾化片驱动芯片自身的驱动能力，可以代替目前驱动方案的bjt驱动管，减少方案器件，降低成本，提高了集成度。

4、四个雾化驱动io可以进行单独控制，驱动能力可配置，提高了芯片的适用性。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。