制造导线的方法与流程

本发明是关于一种形成导线的方法，且特别是关于一种形成超细导线的方法。

背景技术：

电路板是电子装置中一种重要的元件。电路板的功能是用来界定在固体表面上的预定图案。在电子装置不断追求尺寸缩小的趋势下，电路板上导线的线宽与导线之间的距离于是变得越来越小。

一般而言，常在基板上电镀种子层以增加金属层，如铜层，与基板之间的附着力。但当线宽与线距小于10微米时，由于导线的线宽越来越细，导线之间的线距越来越小，加上导线之间的线距难以一致，常会出现线距较为密集的区域的线路区尚未蚀刻开，而线距较为空旷的区域的线路已被蚀刻成断路或线路浮离，进而影响元件的效能。因此，需要一种改良的技术以克服上述的问题。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种制造导线的方法，该方法通过在导线的相对两侧壁上形成保护层，使得导线与在蚀刻工艺的期间不会受到侧向的蚀刻，因而使最终导线具有稳定的品质。

本发明的一实施方式为一种制造导线的方法，包含在承载基板上形成第一金属层。在第一金属层上形成第二金属层。在第二金属层上形成多个第一导线。在第一导线的相对两侧壁上形成保护层。移除曝露的第二金属层的一部分，以曝露部分第一金属层。移除曝露的第一金属层的一部分。移除保护层。

依据部分实施例，此方法包含同时移除第一金属层与保护层。

依据部分实施例，其中形成保护层包含在第一导线及第二金属层上共形地形成保护层；以及移除部分保护层，使得剩余的保护层附着于第一导线的相对两侧壁上，并曝露部分第二金属层的上表面。

依据部分实施例，其中移除部分保护层使得第一导线的上表面曝露。

依据部分实施例，其中形成第一导线包含在第二金属层上方形成图案化光阻层，其中图案化光阻层具有多个沟槽；以及在沟槽中填补导电材料，以形成第一导线。

依据部分实施例，其中在形成第一导线之后，还包含分别在第一导线上方的沟槽中形成多个覆盖层。

依据部分实施例，此方法还包含在移除保护层之后，移除覆盖层。

依据部分实施例，其中形成保护层包含在第一导线、第二金属层，以及覆盖层上共形地形成保护层；以及移除部分保护层，使得剩余保护层附着于第一导线的相对两侧壁上，并曝露部分第二金属层的上表面。

依据部分实施例，其中移除部分保护层使得覆盖层的上表面曝露。

依据部分实施例，其中形成第一导线包含在第二金属层上方形成第一光阻层；在第一光阻层上方形成第二光阻层；图案化第一光阻层及第二光阻层，以在第一光阻层及第二光阻层中形成多个沟槽；以及在沟槽中填补导电材料。

依据部分实施例，其中形成沟槽包含对第一光阻层以及第二光阻层进行曝光，以在第一光阻层中定义出多个第一待移除部分，以及在第二光阻层中定义出多个第二待移除部分；移除第二待移除部分；以及移除第一待移除部分。

依据部分实施例，其中第一光阻层为溶剂型光阻，而第二光阻层为水溶性光阻。

依据部分实施例，还包含在形成保护层之前，移除第二光阻层以曝露第一导线。

依据部分实施例，还包含在移除经由保护层曝露的第二金属层的一部分之前，移除第一光阻层。

依据部分实施例，其中移除第一光阻层使得第一导线的相对两侧壁的底部曝露。

依据部分实施例，其中第二金属层与保护层具有蚀刻选择性。

依据部分实施例，其中承载基板包含第一区与第二区，且第一导线位于第一区，此方法还包含在第二区的第二金属层上形成多个第二导线，其中两相邻的第一导线的间距小于两相邻的第二导线的间距；以及形成保护层于第二导线的相对两侧壁上。

本发明通过在导线的相对两侧壁上形成保护层，使得导线与在蚀刻工艺的期间不会受到侧向的蚀刻，因而使最终导线具有稳定的品质。此外，也可避免具有较高蚀刻速率的导线在蚀刻工艺期间因过度蚀刻而造成断路或线路浮离的问题。另一方面，本发明还通过在导线的上方形成覆盖层，使得导线的上表面在蚀刻工艺的期间不会受到纵向的蚀刻，因而使最终导线具有稳定的品质。

附图说明

阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本发明的多个实施例。应注意，根据业界中的标准做法，多个特征并非按比例绘制。事实上，多个特征的尺寸可任意增加或减少以利于讨论的清晰性。

图1a至图1h为本发明的部分实施例的导线的制造方法在不同步骤的剖面示意图。

图2a至图2j为本发明的部分实施例的导线的制造方法在不同步骤的剖面示意图。

图3a至图3l为本发明的部分实施例的导线的制造方法在不同步骤的剖面示意图。

具体实施方式

以下公开提供众多不同的实施例或范例，用于实施本案提供的主要内容的不同特征。下文描述特定范例的组件及配置以简化本发明。当然，此范例仅为示意性，且并不拟定限制。举例而言，以下描述“第一特征形成在第二特征的上方或之上”，在实施例中可包括第一特征与第二特征直接接触，且也可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征使得第一特征及第二特征无直接接触。此外，本发明可在各范例中重复使用元件符号及/或字母。此重复的目的在于简化及厘清，且其自身并不规定所讨论的各实施例及/或配置之间的关系。

此外，空间相对术语，诸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等在本文中用于简化描述，以描述如附图中所图示的一个元件或特征结构与另一元件或特征结构的关系。除了描绘图示的方位外，空间相对术语也包含元件在使用中或操作下的不同方位。此设备可以其他方式定向(旋转90度或处于其他方位上)，而本案中使用的空间相对描述词可相应地进行解释。

图1a至图1h为本发明的部分实施例的导线的制造方法在不同步骤的剖面示意图。

请参照图1a。提供承载基板100(carriersubstrate)，例如是印刷电路板、玻璃基板、陶瓷基板、硅基板、塑胶基板、复合基板等等，但不限于此。承载基板100具有第一区100a及第二区100b。其中第一区100a及第二区100b可以是承载基板100上互相连接的两个区域，也可以是承载基板100不同位置的两个区域。在部分实施例中，承载基板100例如为印刷电路板的内层基板，用以承载后续步骤所制作的导线线路，承载基板100可用树脂片(prepreg)制成，例如是以玻璃环氧基树脂为材质的fr-4基板、以双顺丁烯二酸酰亚胺(bismaleimide-triazine；bt)树脂为材质的bt基板等，或为配置于多个导线层上的绝缘层，其材质例如为环氧树脂或其他绝缘材料。

接着，在承载基板100上方形成金属层102及金属层104。在部分实施例中，是先在承载基板100上方形成金属层102，再在金属层102上方形成金属层104。金属层102及金属层104可使用适合的沉积方法形成，例如溅镀(sputter)，或是其他适合的沉积技术。在部分实施例中，金属层102的材料可为钛(ti)、钛钨(tiw)合金等，其厚度范围例如是5～200纳米(nm)，优选例如是约为50纳米(nm)，但不限于此。另一方面，金属层104的材料可为金(au)、铜(cu)、银(ag)、锌(zn)、铝(al)、镍(ni)、锡(sn)等金属、或其合金、或者是由导电高分子材料其中一种所制成，其厚度范围例如是50～700纳米(nm)，优选例如是约为300纳米(nm)，但不限于此。在部分实施例中，金属层102可作为金属层104与承载基板100之间的附着层，以增加金属层104与承载基板100之间的附着力。而金属层104作为后续形成导线工艺(例如：电镀)的种子层(seedlayer)，故金属层104也可称为种子层104。

请参照图1b。在承载基板100、金属层102及金属层104上方形成光阻层110。光阻层110经图案化，使得承载基板100的第一区100a内的光阻层110具有多个沟槽r11，而承载基板100的第二区100b内的光阻层110具有多个沟槽r12。光阻层110的沟槽r11及r12曝露下方金属层104的上表面。在部分实施例中，光阻层110的材料可为光阻(photoresist)，并可使用光微影工艺(photolithography)图案化光阻层110，例如曝光(photography)及显影(development)工艺。

沟槽r11具有宽度w11，而沟槽r12具有宽度w12。在部分实施例中，宽度w11实质上约略等于宽度w12，然本发明并不限定于此。在其他实施方式中，宽度w11可不同于宽度w12。另一方面，两相邻的沟槽r11之间的距离为d11，而两相邻的沟槽r12之间的距离为d12。在部分实施例中，距离d11小于距离d12。换句话说，承载基板100的第一区100a内两相邻沟槽r11的间距小于承载基板100的第二区100b内两相邻沟槽r12的间距。

请参照图1c。分别在光阻层110的沟槽r11以及r12内形成导线122及124。在部分实施例中，导线122及124的形成方法可通过将沟槽r11及r12下方所曝露的金属层104作为种子层。并以适合的技术，例如电镀，分别在沟槽r11及r12填补导电材料。而填补沟槽r11内的导电材料形成导线122，填补沟槽r12内的材料形成导线122。换句话说，导线122及124实质上可在同一工艺形成的。在部分实施例中，导线122及124的材料可相同于金属层104的材料，例如金(au)、铜(cu)、银(ag)、锌(zn)、铝(al)、镍(ni)、锡(sn)等金属、或其合金、或者是由导电高分子材料其中一种所制成。

请参照图1d。将光阻层110(如图1c所示)移除，以曝露导线122、124的相对两侧壁，以及部分金属层104的上表面。如前述所提及，由于承载基板100的第一区100a内两相邻沟槽r11的间距小于承载基板100的第二区100b内两相邻沟槽r12的间距(图1c所示)。因此，两相邻的导线122之间的距离d13小于两相邻的导线124之间的距离d14。

请参照图1e。在承载基板100上方形成保护层130，其厚度范围例如是5～300纳米(nm)，优选例如是约为50纳米(nm)，但不限于此。保护层130可采用具有阶梯覆盖的工艺形成，例如真空溅镀、化学镀、蒸镀或上述的组合。因此，保护层130实质上是共形地(conformal)形成在导线122、124，以及金属层104曝露的上表面。具体而言，保护层130覆盖了导线122及124的上表面及侧表面，并覆盖了金属层104的曝露的上表面。

保护层130的材料与导线122、124的材料优选具有蚀刻选择性，以在后续的工艺(如：蚀刻)可保护导线122及124。保护层130可为金属、金属氧化物，或上述的组合。在部分实施例中，上述金属是选自于钨(w)、镍(ni)、铬(cr)、铜(cu)、钒(v)、钼(mo)、锡(sn)、锌(zn)、钴(co)、铁(fe)、钛(ti)、铝(al)、铌(nb)或其合金其中一种所制成，而金属氧化物分别是由钨(w)、镍(ni)、铬(cr)、铜(cu)、钒(v)、钼(mo)、锡(sn)、锌(zn)、钴(co)、铁(fe)、钛(ti)、铝(al)、铌(nb)或其合金其中一种氧化所制成。然应注意，保护层130与导线122、124应选用不同的材料以提供选择性。在部分实施例中，保护层130的材料可与金属层102的材料相同。

请参照图1f。移除部分保护层130，使得残余的保护层130附着在导线122及124的相对两侧壁上。换句话说，移除部分保护层130是指移除保护层130的附着在金属层104的上表面的部分。在移除部分保护层130之后，两相邻的导线122之间具有沟槽r13，而两相邻的导线124之间具有沟槽r14，其中沟槽r13及沟槽r14的两端分别是由导线122及124上的保护层130所定义。另一方面，沟槽r13及沟槽r14的底部是由金属层104所定义。

在部分实施例中，位于导线122及124的上表面的保护层130也被移除，例如图1f所示。也就是说，在移除部分保护层130后，部分金属层104的上表面，以及导线122及124的上表面皆曝露。在其他实施例中，导线122及124的上表面的保护层130并未完全移除。亦即，仍有部分的保护层130残留于导线122及124的上表面。保护层130可使用适当的方法移除，例如，一个或多个蚀刻工艺(etching)。在部分实施例中，蚀刻工艺为非等向性(anistropic)蚀刻工艺，例如激光蚀刻。在变化实施例中，也可使用非等向性电浆蚀刻工艺，但不限于此。

请参照图1g。经由沟槽r13及沟槽r14，移除部分金属层104，使得部分金属层102的上表面自沟槽r13及沟槽r14曝露。在部分实施例中，金属层104可使用适当的方法移除，例如，一个或多个蚀刻工艺。在部分实施例中，蚀刻工艺可为等向性(isotropic)，例如湿蚀刻。在部分实施例中，蚀刻工艺可为非等向性蚀刻工艺，例如干蚀刻。残余的金属层104位于导线122、124底下与金属层102之间且与其互相接触。换句话说，移除部分金属层104的步骤需经调控，使得导线122、124与金属层102之间的金属层104不能被截断，避免产生线路浮离的情形。

请参照图1h。移除保护层130以及移除部分金属层102。其中移除保护层130使得导线122及124的相对两侧壁曝露。另一方面，移除部分金属层102使得部分承载基板100的上表面曝露。在移除工艺之后，残余的金属层102、104，以及导线122可合并称为导线132。另一方面，残余的金属层102、104，以及导线124可合并称为导线134。

在部分实施例中，金属层102可使用适当的方法移除，例如，一个或多个蚀刻工艺。在部分实施例中，蚀刻工艺可为等向性(isotropic)，例如湿蚀刻。在部分实施例中，蚀刻工艺可为非等向性蚀刻工艺，例如干蚀刻。残余的金属层102位于金属层104与承载基板100之间且与其互相接触。换句话说，移除部分金属层102的步骤需经调控，使得金属层104与承载基板100之间的金属层102不能被截断，避免产生线路浮离的情形。在部分实施例中，由于金属层102与保护层130可由相同材料制成(例如：钛、钛钨合金等)，故金属层102与保护层130可使用一个蚀刻工艺同时移除金属层102与保护层130。

如先前所提及，依据线路布局(layout)的设计，两相邻的导线122的间距小于两相邻的导线124的间距。然而，由在部分工艺，例如蚀刻，是对承载基板100的第一区100a及第二区100b同时进行，故不同间距的导线122及124会具有不同的蚀刻速率。举例来说，具有较大线距的导线124的蚀刻速率会大于较小线距的导线122的蚀刻速率。本发明通过在导线122与124的相对两侧壁上形成保护层130，使得导线122与124在蚀刻工艺的期间不会受到侧向的蚀刻，因而使最终导线132及134具有稳定的品质。此外，也可避免具有较高蚀刻速率的导线124在蚀刻工艺期间因过度蚀刻而造成断路或线路浮离的问题。

图2a至图2j为本发明的部分实施例的导线的制造方法在不同步骤的剖面示意图。图2a至图2j的部分制造步骤与图1a至图1h所描述的内容类似。因此，为简化起见，相似的描述于后续讨论将不再赘述。

请参照图2a，其中图2a类似于图1a。提供承载基板200，其中承载基板200具有第一区200a及第二区200b。接着，分别在承载基板200上方形成金属层202及金属层204。

请参照图2b，其中图2b类似于图1b。在承载基板200、金属层202及金属层204上方形成光阻层210。光阻层210经图案化，使得承载基板200的第一区200a内的光阻层210具有多个沟槽r21，而承载基板200的第二区200b内的光阻层210具有多个沟槽r22。光阻层210的沟槽r21及r22曝露下方金属层204的上表面。类似于图1b，相邻两沟槽r21的间距小于两沟槽r22的间距。

请参照图2c。分别在光阻层210的沟槽r21以及r22(图2b所示)内形成导线222及224。导线222及224的形成方法及材料类似于图1c所描述的内容，下方将不再赘述。在本实施例中，导线222及224并未填满光阻层210的沟槽r21以及r22。导线222及224上方的沟槽r21以及r22的未被填补的部分在后续讨论中分别称为沟槽r23及沟槽r24，其中沟槽r23及沟槽r24的底部是由导线222及224所定义。

请参照图2d。在沟槽r23及沟槽r24内形成覆盖层240。换句话说，覆盖层240覆盖导线222及224的上表面，以在后续的工艺，例如蚀刻，作为导线222及224的上表面的保护层。在部分实施例中，覆盖层240可使用适合的方法形成，例如电镀。覆盖层240可为金属、金属氧化物，或上述的组合。在部分实施例中，上述金属是选自于钨(w)、镍(ni)、铬(cr)、铜(cu)、钒(v)、钼(mo)、锡(sn)、锌(zn)、钴(co)、铁(fe)、钛(ti)、铝(al)、铌(nb)或其合金其中一种所制成，而金属氧化物分别是由钨(w)、镍(ni)、铬(cr)、铜(cu)、钒(v)、钼(mo)、锡(sn)、锌(zn)、钴(co)、铁(fe)、钛(ti)、铝(al)、铌(nb)或其合金其中一种氧化所制成。然应注意，覆盖层240与导线222、224应选用不同的材料以提供选择性。

请参照图2e，其中图2e类似于图1d。将光阻层210(如图2d所示)移除，以曝露导线222、224的侧表面，以及部分金属层204的上表面。在移除光阻层210之后，覆盖层240仍附着于导线222、224的上表面。

请参照图2f，其中图2f类似于图1e。在承载基板200上方形成保护层230。保护层230实质上是共形地(conformal)形成在覆盖层240的上表面、导线222、224的侧表面，以及金属层204曝露的上表面。在部分实施例中，保护层230与覆盖层240的材料不同，以提供蚀刻选择性。

请参照图2g，其中图2g类似于图1f。移除部分保护层230，使得残余的保护层230附着在导线222、224，以及覆盖层240的相对两侧壁上。在移除部分保护层230之后，两相邻的导线222之间具有沟槽r25，而两相邻的导线224之间具有沟槽r26，其中金属层204的上表面自沟槽r25及沟槽r26曝露。在部分实施例中，覆盖层240上方的保护层230也被移除，使得覆盖层240的上表面曝露。曝露的覆盖层240在后续的工艺步骤中可保护下方的导线222及224。

请参照图2h。经由沟槽r25及沟槽r26，移除部分金属层204及金属层202。在部分实施例中，可通过一个或多个蚀刻工艺，移除金属层204及金属层202，使得承载基板200的部分上表面自沟槽r25及沟槽r26中曝露。应了解，移除金属层204及金属层202的步骤需经调控，使得导线222及224和承载基板200之间的金属层204及金属层202不能被截断。

请参照图2i。移除保护层230(如图2h所示)。在移除保护层230之后。导线222及224的相对两侧壁曝露。在部分实施例中，由于保护层230与覆盖层240具有蚀刻选择性，故在移除保护层230之后，覆盖层240仍保留在导线222及224的上方。

请参照图2j。移除覆盖层240(如图2i所示)。在部分实施例中，覆盖层240可使用适当的方法移除，例如，一个或多个蚀刻工艺。在部分实施例中，蚀刻工艺可为等向性(isotropic)，例如湿蚀刻。在部分实施例中，蚀刻工艺可为非等向性蚀刻工艺，例如干蚀刻。在移除工艺之后，残余的金属层202、204，以及导线222可合并称为导线232。另一方面，残余的金属层202、204，以及导线224可合并称为导线234。

如前述所提及，本发明通过在导线222及224的侧表面形成保护层230，使得导线222与224在蚀刻工艺的期间不会受到侧向的蚀刻，因而使最终导线232及234具有稳定的品质。此外，也可避免具有较高蚀刻速率的导线224在蚀刻工艺期间因过度蚀刻而造成断路或线路浮离的问题。另一方面，本发明更通过在导线222及224的上方形成覆盖层240，使得导线222及224的上表面在蚀刻工艺的期间不会受到纵向的蚀刻，因而使最终导线232及234具有稳定的品质。

图3a至图3l为本发明的部分实施例的导线的制造方法在不同步骤的剖面示意图。其中类似于图1a至图1h，以及图2a至图2j的部分制造步骤与结构相于后续讨论将不再赘述。

请参照图3a，其中图3a类似于图1a。提供承载基板300，其中承载基板300具有第一区300a及第二区300b。接着，分别在承载基板300上方形成金属层302及金属层304。

请参照图3b。在金属层304上方形成第一光阻层350。第一光阻层350可使用适合的方式形成于金属层304上方，例如是压合、涂布、旋涂(spincoating)等方式。在部分实施例中，第一光阻层350可为溶剂型光阻。例如，第一光阻层350可由i-线(i-line)光阻、氟化氪(krf)光阻、氟化氩(arf)光阻、氟二量体(f2)光阻、极紫外光(extremeultraviolet；euv)光阻或电子束(electron-beam；eb)光阻及其组合所构成。在部分实施例中，第一光阻层350的厚度范围约0.1微米(μm)至约10微米(μm)。

请参照图3c。在第一光阻层350上方形成第二光阻层360。在部分实施例中，第二光阻层360例如可为水溶性光阻，其基本成分包括聚合物、光活性化合物、抑制剂、交联剂、以及溶剂等。

上述的聚合物例如可为水溶性聚合物，占水溶性光阻的重量百分比介于约4％至约8％之间，例子如聚乙烯醇缩乙醛(polyvinylacetal)、聚乙烯基吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone；pvp)、聚烯丙酸(polyallylicacid)、聚乙烯醇(polyvinylalcohol；pva)、聚乙烯亚胺(polyethyleneimine)、聚环氧乙烷(polyethyleneoxide；peo)、以及聚乙烯基胺(polyvinylamine)等，但不限于此。

上述的光活性化合物例如可为水溶性光酸产生剂(photoacidgenerator；pag)，且此光活性化合物占水溶性光阻的重量百分比介于0.01％至0.1％之间，例如嗡盐衍生物(oniumsaltderivative)与三氮苯衍生物(triazinederivative)等，更佳者为嗡盐衍生物pag2087与pag-c。

上述的抑制剂例如可为水溶性胺类(amine)，且此光活性化合物占水溶性光阻的浓度介于约百万分之1(partspermillion；ppm)至约30ppm之间，例如乙胺(ethylamine)、二甲胺(dimethylamine)、二乙胺(diethylamine)、三甲胺(trimethylamine)、三乙胺(triethylamine)、正丙胺(n-propylamine)、异丙胺(isopropylamine)、第二丁胺(s-butylamine)、第三丁胺(t-butylamine)、环己胺(cyclohexylamine)、乙二胺(ethylenediamine)、六亚甲二胺(hexamethylenediamine)、乙醇胺(monoethanolamine；mea)、二乙醇胺(diethanolamine；dea)、三乙醇胺(triethanolamine；tea)、正丁基二乙醇胺(n-butyldiethanolamine)、四甲基氢氧化铵(tetra-methylammoniumhydroxide；tmah)、四丁基氢氧化铵(tetra-butylammoniumhydroxide；tbah)与胆碱(choline)等。

上述的交联剂例如可为水溶性交联剂，且此交联剂占水溶性光阻的重量百分比介于0.5％至2％之间，例如尿素衍生物(ureaderivative)与三聚氰胺衍生物(melaminederivative)。

溶剂例如可以至少包括去离子水(de-ionizedwater；d.i.w)，其中去离子水占水溶性光阻的重量百分比介于85％至90％之间。根据本发明的水溶性光阻，溶剂还可以由去离子水与异丙醇所组成，其中异丙醇占水溶性光阻的重量百分比介于4％至7％之间。

请参照图3d。对第一光阻层350以及第二光阻层360进行曝光，以分别在第一光阻层350以及第二光阻层360中定义出的待移除部分350’及待移除部分360’。在部分实施例中，可使用特定波长的光源、极紫外光或电子束同时对第一光阻层350以及第二光阻层360同时进行曝光。当第一光阻层350以及第二光阻层360为负型光阻时，曝光的范围为待移除部分350’及待移除部分360’以外的部分。当第一光阻层350以及第二光阻层360为正型光阻时，曝光的范围为待移除部分350’及待移除部分360’。

请参照图3e。将第二光阻层360的待移除部分360’(图3d所示)移除。待移除部分360’可通过适合的方法移除，例如显影。移除由于第二光阻层360与第一光阻层350的材料不同，例如为水溶性光阻与溶剂型光阻。因此第二光阻层360不会与第一光阻层350互相混合，在显影时可以使用水溶性去膜液来显影出预定的光阻图案。在移除待移除部分360’之后，残余的图案化第二光阻层360于后续讨论中称为第二光阻层360a。

请参照图3f。将第一光阻层350的待移除部分350’(图3d所示)移除。待移除部分350’可通过适合的方法移除，例如显影。在部分实施例中，由于第一光阻层350为溶剂型光阻，故可使用适当的显影溶剂将待移除部分350’移除。在其他实施例中，也可使用蚀刻的方式，例如激光蚀刻，来移除第一光阻层350的待移除部分350’。在移除待移除部分350’之后，残余的图案化第一光阻层350于后续讨论中称为第一光阻层350a。

其中承载基板300的第一区300a中，第一光阻层350a与第二光阻层360a内具有多个沟槽r31。而承载基板300的第二区300b中，第一光阻层350a与第二光阻层360a内具有多个沟槽r32。类似于图1b所述的内容，两相邻的沟槽r31之间的距离小于两相邻的沟槽r32之间的距离。

请参照图3g。分别在第一光阻层350a与第二光阻层360a的沟槽r31以及r32内形成导线322及324，其中相邻两导线322的间距小于相邻两导线324的间距。导线322及324的形成方法及材料类似于图1c所描述的内容，下方将不再赘述。

请参照图3h。移除第二光阻层360a(图3g所示)。第二光阻层360a可使用水溶性去膜液来移除。移除第二光阻层360a之后，导线322及324的侧表面以及第一光阻层350a曝露。在部分实施例中，第一光阻层350a附着于导线322及324的侧表面的底部。

请参照图3i。形成保护层330于导线322及324上方。保护层330实质上覆盖了导线322及324的侧表面以及上表面。一部分的保护层330形成至第一光阻层350a的上表面。在形成保护层330之后，两相邻的导线322之间具有沟槽r33，而两相邻的导线324之间具有沟槽r34。在部分实施例中，保护层330可使用电镀、化学镀，或是浸镀等方式形成。在部分实施例中，保护层330的形成具有选择性，故保护层330大体而言是附着在导线322及324的外露的表面。换句话说，第一光阻层350a的部分上表面曝露于沟槽r33及沟槽r34。

请参照图3j。将第一光阻层350a(图3i所示)移除。在移除第一光阻层350a之后，金属层304的上表面曝露。在部分实施例中，由于第一光阻层350a略为覆盖导线322及324的侧壁的底部。故第一光阻层350a移除后，导线322及324的侧壁的底部也曝露。

请参照图3k，其中图3k类似于图1g。经由沟槽r33及沟槽r34，移除部分金属层304，使得部分金属层302的上表面自沟槽r33及沟槽r34曝露。残余的金属层304位于导线322、324与金属层302之间且与其互相接触。

请参照图3l，其中图3l类似于图1h。移除保护层330以及移除部分金属层302。其中移除保护层330使得导线322及324的相对两侧壁曝露。在移除工艺之后，残余的金属层302、304，以及导线322可合并称为导线332。另一方面，残余的金属层302、304，以及导线324可合并称为导线334。在部分实施例中，保护层330与金属层302可同时移除。

如前述所提及，本发明通过形成第一光阻层350及第二光阻层360，并形图案化以形成多个沟槽r31及r32。分别在沟槽r31及r32内形成导线322及324。接着移除第二光阻层360，并在导线322及324的侧壁以及上表面形成保护层330，使得导线322与324在蚀刻工艺的期间不会受到侧向或是纵向的蚀刻，因而使最终导线332及334具有稳定的品质。此外，也可避免具有较高蚀刻速率的导线324在蚀刻工艺期间因过度蚀刻而造成断路或线路浮离的问题。

上文概述了若干实施例的特征，以便本领域的技术人员可更好地理解本发明的实施例。本领域的技术人员应当了解到他们可容易地使用本发明作为基础来设计或者修改其他工艺及结构，以实行相同目的及/或实现相同优势的。本领域的技术人员也应当了解到，此类等效构造不脱离本发明的精神及范畴，以及在不脱离本发明的精神及范畴的情况下，其可对本文进行各种改变、取代及变更。