一种吸收式单刀多掷式固态开关驱动电路的制作方法

本发明涉及开关驱动电路技术领域，更具体地说，特别涉及一种吸收式单刀多掷式固态开关驱动电路。

背景技术：

单刀多掷固态开关是微波系统中控制电路的重要部件，主要应用于电子对抗、微波通信及微波测量等邻域。

开关电路从原理上分为吸收式和反射式两种结构。反射式开关具有导通状态损耗小的特点，但关断状态下，具有反射系数大的缺点；而吸收式开关具有在关断状态下反射系数小的特点，因而可以保障系统稳定性，提高系统可靠性。随着雷达和通信系统的发展及对系统性能指标要求越来越苛刻，在关断状态下，输出端反射信号大，将严重影响系统性能。从工程应用的角度，吸收式开关在关断状态可以降低系统的级间牵引。

技术实现要素：

本发明的目的是针对上述现有技术的不足，提供一种在高隔离状态输出端反射系数小及导通状态下损耗尽可能小的吸收式单刀多掷固态开关驱动电路。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种吸收式单刀多掷式固态开关驱动电路，所述驱动电路的输出端采用并-串吸收式电路结构(即利用pin在不同偏置下的通断特性)；所述驱动电路的输出端包括吸收电阻、第一至第四二极管、第一和电容、第一和第二电感；

所述第一二极管的阳极与第一电感一端连接，所述第一电感另一端接地，所述第一二极管的阴极与第一电容连接；

所述第二二极管和第三二极管并联在第一二极管与第一电容之间；

所述吸收电阻与第四二极管组成一吸收区，所述第四二极管的阳极连接在第一二极管与第一电容之间，第四二极管的阴极通过吸收电阻接地；

所述第二电感的一端连接在第一二极管与第一电容之间，第二电感的另一端通过第二电容接地。

进一步地，所述驱动电路采用混合集成电路工艺制成，所述吸收电阻嵌入基片下的底板内。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

1、本发明的驱动电路将吸收电阻嵌入基片下的底板内，满足高隔离度要求。

2、本发明中的开关关断支路中输入、输出端的反射系数小，且开关导通支路中损耗小。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明所述吸收式单刀多掷式固态开关驱动电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

参阅图1所示，本发明提供一种吸收式单刀多掷式固态开关驱动电路，所述驱动电路的输出端采用并-串吸收式电路结构；所述驱动电路的输出端包括吸收电阻r、第一至第四二极管d1-d4、第一和电容c1、c2、第一和第二电感l1、l2。

所述第一二极管d1的阳极与第一电感l1一端连接，所述第一电感l1另一端接地，所述第一二极管d1的阴极与第一电容c1连接。

所述第二二极管d2和第三二极管d3并联在第一二极管d1与第一电容c1之间。

所述吸收电阻r与第四二极管d4组成一吸收区，所述第四二极管d4的阳极连接在第一二极管d1与第一电容c1之间，第四二极管d4的阴极通过吸收电阻r接地。

所述第二电感l2的一端连接在第一二极管d1与第一电容c1之间，第二电感l2的另一端通过第二电容c2接地。

所述驱动电路采用混合集成电路工艺制成，所述吸收电阻嵌入基片下的底板内，这样开关电路在满足高隔离状态下，不仅在关断支路中输入、输出端的反射系数较小，且在导通支路中损耗也较小。

具体的，吸收电阻r与二极管d4串联后，再并联在其他两只二极管d2，d3之后，称之为吸收区；二极管d1与d2，d3并联，称之为公共并联区；c2与l2并联,再与c1并联，称为偏置区。

二极管d3与d4管间距理论为在一定频率范围内实现支路隔离状态下输出端匹配。

其中，λ-波长(波长(wavelength)是指波在一个振动周期内传播的距离)；g-系数(这里表示级联的数量)。

本发明的驱动电路将吸收电阻嵌入基片下的底板内，满足高隔离度要求。

本发明中的开关关断支路中输入、输出端的反射系数小，且开关导通支路中损耗小。

虽然结合附图描述了本发明的实施方式，但是专利所有者可以在所附权利要求的范围之内做出各种变形或修改，只要不超过本发明的权利要求所描述的保护范围，都应当在本发明的保护范围之内。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种吸收式单刀多掷式固态开关驱动电路，驱动电路的输出端采用并‑串吸收式电路结构；驱动电路的输出端包括吸收电阻、第一至第四二极管、第一和电容、第一和第二电感；第一二极管的阳极与第一电感一端连接，第一电感另一端接地，第一二极管的阴极与第一电容连接；第二二极管和第三二极管并联在第一二极管与第一电容之间；吸收电阻与第四二极管组成一吸收区，第四二极管的阳极连接在第一二极管与第一电容之间，第四二极管的阴极通过吸收电阻接地；第二电感的一端连接在第一二极管与第一电容之间，第二电感的另一端通过第二电容接地。本发明具有在高隔离状态输出端反射系数小及导通状态下损耗尽可能小的优点。

技术研发人员：胡杰斯
受保护的技术使用者：胡杰斯
技术研发日：2017.11.25
技术公布日：2019.06.04