一种磁吸式充电装置及其防磁场干扰结构的制作方法

本实用新型涉及磁吸式充电装置技术领域，尤其涉及一种磁吸式充电装置的防磁场干扰结构及包括所述防磁场干扰结构的磁吸式充电装置。

背景技术：

目前，一些电子设备尤其是穿戴式产品如电话手表、智能手表等均采用磁吸式充电线来为设备充电。这些设备通常在壳体的充电触点旁设置两小块强磁铁以与充电线上的磁铁对吸，提高对充电线的固定作用力。

但是，由于穿戴电子设备如电话手表、智能手表等通常体积较小，且没有对磁铁做任何屏蔽处理，所以设备内部磁场较强，影响了设备内部容易受到磁场干扰的部件，如马达、地磁传感器等。

技术实现要素：

本实用新型的一个目的在于提出一种可以减小磁吸式充电装置内部磁场强度的防磁场干扰结构；

本实用新型的另一个目的在于提出一种内部磁场强度小的磁吸式充电装置。

为达此目的，一方面，本实用新型采用以下技术方案：

一种磁吸式充电装置的防磁场干扰结构，包括壳体和相对设置于壳体上的两块磁铁，两块磁铁用于与充电线上的磁铁相配合，两块磁铁的朝向壳体内侧的一侧的磁极为相反的磁极，且两块磁铁的朝向壳体内侧的一侧的磁极均与导磁件连接。

进一步地，导磁件和两块磁铁形成U形结构。

进一步地，导磁件和两块磁铁之间为分体结构；或导磁件和两块磁铁之间为一体结构。

进一步地，两块所述磁铁均呈长条状。

进一步地，所述导磁件呈片状结构。

进一步地，所述导磁件由硅钢片、软铁片或铁氧体材料制成。

另一方面，本实用新型采用以下技术方案：

一种磁吸式充电装置，包括上述任一项所述的防磁场干扰结构。

进一步地，所述磁吸式充电装置为穿戴式电子装置。

进一步地，所述穿戴式电子装置为电话手表或智能手表。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型提供的磁吸式充电装置及其防磁场干扰结构，利用导磁件将两个磁铁朝向壳体内侧的磁极连接后，由于导磁件本身的磁阻小，因此，大部分磁力线均从导磁件通过，而壳体内部的漏磁很小，壳体内部的磁场环境得到改善，减少了内部磁场对马达、地磁传感器等部件的影响。

本实用新型提供的磁吸式充电装置，由于采用了上述防磁场干扰结构，其壳体内部磁场小，性能更稳定。

附图说明

图1是本实用新型优选实施例一提供的防磁场干扰结构的结构示意图；

图2是现有磁吸式充电装置的磁场分布构示意图；

图3是本实用新型优选实施例一的防磁场干扰结构的磁场分布构示意图。

图中：

1、壳体；2、磁铁；3、导磁件；4、充电触点；21、磁铁位置。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

优选实施例一：

请参阅图1，本实施例提供了一种磁吸式充电装置的防磁场干扰结构，包括壳体1和相对设置于壳体1上的两块磁铁2，两块磁铁2位于壳体1的充电触点4的两侧以用于与充电线上的磁铁相配合，两块磁铁2的朝向壳体1内部的一侧的磁极为相反的磁极，具体地，其中一块磁铁2的N极朝向壳体1的内侧设置、S极朝向壳体1的外侧设置，另一块磁铁2的N极朝向壳体1的外侧设置、S极朝向壳体1的内侧设置，两块磁铁2朝向壳体1内部的一侧的磁极均与导磁件3连接。两块磁铁2均优选为呈长条状。

本实施例中，原来的两块磁铁2的一磁极朝向壳体内侧、另一磁极朝向壳体外侧，且两块磁铁2的磁极相反设置，磁力线如图2所示，位于内侧的磁极一端周围的磁场比较强，对壳体1内部影响较大，利用导磁件3将两个磁铁2的朝向壳体1内侧的磁极连接后，由于导磁件3本身的磁阻小，因此，大部分磁力线均从导磁件3通过，而壳体1内部的漏磁很小，壳体1内部的磁场环境得到改善，减少了内部磁场对马达、地磁传感器等部件的影响。

进一步地，导磁件3和两块磁铁2形成U形结构。导磁件3和两块磁铁2之间可以为分体结构，也可以为一体结构，当导磁件3和两块磁铁2为一体结构时，即导磁件3和两块磁铁2形成一块U形磁铁。

导磁件3的形状结构没有具体限制，可以与壳体1的两块磁铁2连接后减少壳体1内部的磁场即可，但为了使结构简单，优选地，导磁件3呈片状结构。

上述导磁件3优选但不局限为由硅钢片制成，也可以是软铁片、铁氧体材料或其他任何导磁性能较好的材料制成。

优选实施例二：

本实施例提供了一种磁吸式充电装置，包括如实施例一所述的的防磁场干扰结构。

本实施例提供的磁吸式充电装置优选但不局限为体积较小、内部部件容易受磁场干扰的穿戴式电子装置，也可以是其他任何采用磁吸式充电方式的装置。

该穿戴式电子装置优选但不局限为电话手表或智能手表。

本实施例提供的磁吸式充电装置，由于采用了上述防磁场干扰结构，其壳体内部磁场小，性能更稳定。

以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。