可调集成压控振荡器的制作方法

文档序号:13940383阅读:479来源:国知局
可调集成压控振荡器的制作方法

本实用新型涉及集成放大电路技术领域,尤其涉及一种可调集成压控振荡器。



背景技术:

随着微波技术的不断发展,射频和无线市场倍受关注,射频压控振荡器是频率产生源不可缺少的组成部分,作为锁相环、频率综合和时钟恢复等电路的关键模块,广泛用于手机、卫星通信终端、基站、雷达、导弹制导系统、军事通信系统、数字无线通信、光学多工器、光发射机等电子系统中,对电子系统的性能、尺寸、重量和成本都有着决定性的影响,是射频电路设计与集成的一个难点。

在锁相调制系统的实际应用中,对压控振荡器要求有宽的调谐带宽和低的调谐灵敏度。传统的宽带压控振荡器对调谐电压的敏感度很高,而对调谐电压灵敏度低的压控振荡器的调谐带宽很窄,不能覆盖宽的频带。因此需要一种宽带和窄带压控振荡器可以来回切换,窄带压控振荡器的频带可以上下平移的方案。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于克服上述技术的不足,而提供一种可调集成压控振荡器,窄带压控振荡器的频带可以上下平移。

本实用新型为实现上述目的,采用以下技术方案:

一种可调集成压控振荡器,其特征在于:包括单路或双路频率调谐电路、负阻电路、衰减电路和缓冲放大电路,其中单路或双路频率调谐电路的输出端接负阻电路的输入端,负阻电路的输出端接衰减电路的输入端,衰减电路的输出端接缓冲放大电路的输入端,所述单路或双路频率调谐电路在芯片外部,实现宽带或窄带可调的频带输出;负阻电路、衰减电路和缓冲放大电路集成在一块芯片上。

优选地,所述负阻电路包括振荡管T1、电阻R2-R4、电感L4-L6、电容C4-C6,振荡管T1的基极通过电容C4与发射极相连,发射极通过电感L6和并联的电阻R4、电容C5接地,集电极通过隔直电容C6与衰减电路相连接,振荡管T1的基极和发射极与单路或双路频率调谐电路相连接,电源VDD、电感L4-L5和偏置电阻R2-R3组成了负阻电路的供电网络。

优选地,所述单路频率调谐电路由变容二极管D1、隔直电容C1-C2、偏置电阻R1、键合金丝L1-L3和薄膜微带线TL组成,变容二极管D1的负极接调谐电压Vtune的输入端,变容二极管D1的正极通过键合金丝L2和隔直电容C2与负阻电路相连接,并通过偏置电阻R1到直流地,键合金丝L1的一端接调谐电压Vtune的输入端,另一端通过隔直电容C1接地,薄膜微带线TL经过键合金丝L3和负阻电路相连接。

优选地,所述双路频率调谐电路由变容二极管D1-D2、隔直电容C1-C3、偏置电阻R1、键合金丝L1-L3和薄膜微带线TL组成,键合金丝L1的一端接调谐电压Vtune的输入端,另一端通过隔直电容C1接地,变容二极管D1-D2的负极分别接Vtune输入端,变容二极管D1-D2的正极通过键合金丝L2、L3和隔直电容C2、C3与负阻电路相连接,变容二极管D1的正极通过偏置电阻R1接地,变容二极管D2的正极通过薄膜微带线TL接地。

本实用新型的有益效果是:相对于现有技术,本振荡器采用由变容管、键合金丝和薄膜工艺微带线构成的频率调谐电路来进行振荡频率的调谐,实现了窄带压控振荡器的频带可以上下平移频率,调谐电路和负阻电路共同构成了振荡电路;衰减电路和缓冲放大电路降低了负载对振荡电路的牵引作用,提高了振荡器的带负载能力。

附图说明

图1为本发明单路调谐压控振荡器电路图;

图2为本发明双路调谐压控振荡器电路图。

具体实施方式

下面结合附图及较佳实施例详细说明本实用新型的具体实施方式。如图1、2所示,本发明的可调集成压控振荡器包括单路或双路频率调谐电路、负阻电路、衰减电路和缓冲放大电路,其中频率调谐电路的输出端接负阻电路的输入端,负阻电路的输出端接衰减电路的输入端,衰减电路的输出端接缓冲放大电路的输入端。

从图1可以看出,芯片外的单路频率调谐电路由变容二极管D1、电容C1-C2、偏置电阻R1、键合金丝(电感)L1-L3和薄膜微带线TL组成,变容二极管的负极接Vtune输入端,正极通过隔直电容C2和键合金丝L2与负阻电路相连接,并通过电阻偏置到直流地,TL经过键合金丝L3和负阻电路相连接。从调谐电压Vtune输入后接上路调谐电路,上路调谐电路由D1、R1、L1、L2、C1、C2组成,使振荡器振荡在一个相对较窄的频带,通过调节下路的TL使振荡器的工作频带上下平移。C2除了作为隔直电容外,也能起到调节频带的作用。

从图2可以看出,芯片外的双路频率调谐电路由变容二极管D1-D2、电容C1-C3、偏置电阻R1、键合金丝(电感)L1-L3和薄膜微带线TL组成,变容二极管的负极接Vtune输入端,正极通过隔直电容C2、C3和键合金丝L2、L3与负阻电路相连接,并通过电阻或微带线偏置到直流地。从调谐电压Vtune输入后分为两路进行频率调谐,上路调谐电路由D1、R1、L2、C2组成,使振荡器振荡在较高的频率;下路调谐电路由D2、TL、L3、C3组成,使振荡器振荡在较低的频率;L1和C1是公共调谐端,参与上、下两路的频率调谐。合理调整上、下两路元器件的值可使振荡器工作在较宽的频带,且线性度较好。其中R1、TL使变容二极管的正极偏置到直流地,C2、C3即起到隔直作用就,又参与频率调谐。

负阻电路、衰减电路和缓冲放大电路集成在一块芯片上,其中负阻电路包括振荡管T1、电阻R2-R4、电感L4-L6、电容C4-C6。振荡管T1的基极通过电容C4与发射极相连,发射极通过电感L6和并联的电阻R4、电容C5到地,集电极通过隔直电容C6与衰减电路相连接,振荡管T1的基极和发射极与频率调谐电路相连接,电源VDD、电感L4-L5和偏置电阻R2-R3组成了负阻电路的供电网络。C4、C5是负阻电路实现功能的核心,芯片外的频率调谐电路和芯片上的负阻电路共同构成了振荡电路。衰减电路和缓冲放大电路的作用是降低负载对振荡电路的牵引作用,提高振荡器的带负载能力。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

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