一种半导体微波发生器连接结构的制作方法

技术特征：

1.一种半导体微波发生器连接结构，其结构包括：微波磁控管(1)、三极半导体(2)、微波头元件(3)、阳极圆盘(4)、电磁流动槽(5)、微波二极管(6)、阴极上盖盘(7)、阴极柱管(8)、阴极柱管基座(9)、阴极柱管底盘(10)、谐振腔筒(11)、微波发生器体(12)、阳极导杆(13)、阴极导杆(14)，所述三极半导体(2)倾斜插嵌在微波头元件(3)后且采用电连接，所述三极半导体(2)与微波头元件(3)采用过盈配合，所述微波头元件(3)竖直安装于微波发生器体(12)后且采用电连接，所述阳极圆盘(4)设有两个并且分别水平固定在微波发生器体(12)上下两侧且采用电连接，其特征在于：

所述微波磁控管(1)垂直固定在微波头元件(3)上且与三极半导体(2)通过微波头元件(3)电连接，所述微波磁控管(1)与阴极柱管(8)通过微波头元件(3)电连接，所述电磁流动槽(5)竖直插嵌在微波发生器体(12)内部且焊接成一体结构，所述谐振腔筒(11)设有两个以上并且环形分布竖直贯穿阳极圆盘(4)和微波发生器体(12)，所述谐振腔筒(11)竖直插嵌在电磁流动槽(5)内部且采用过盈配合，所述微波二极管(6)水平贯穿微波发生器体(12)右侧并且与谐振腔筒(11)相通，所述阴极上盖盘(7)水平固定在阴极柱管(8)上且阴极柱管(8)垂直固定在阴极柱管基座(9)上，所述阴极上盖盘(7)、阴极柱管(8)、阴极柱管基座(9)三者为一体柱筒结构且轴心共线，所述阴极柱管基座(9)垂直固定在阴极柱管底盘(10)上且焊接成一体，所述阴极柱管(8)竖直贯穿微波发生器体(12)圆心点，所述阴极导杆(14)水平焊接在阴极上盖盘(7)圆心处且采用电连接，所述阳极导杆(13)水平焊接在微波发生器体(12)下的阳极圆盘(4)下并采用电连接；

所述微波磁控管(1)设有微波磁控箱(100)、磁控箱凹槽(101)、电极插接柱(102)、微波百叶槽箱(103)、微波百叶隔板(104)、微波线圈轮(105)、微波稳流管(106)，所述微波磁控箱(100)竖直插嵌在磁控箱凹槽(101)内部并且采用过盈配合，所述电极插接柱(102)水平贯穿磁控箱凹槽(101)并且水平固定在微波磁控箱(100)左侧，所述电极插接柱(102)与微波磁控箱(100)电连接，所述磁控箱凹槽(101)垂直焊接在微波百叶槽箱(103)上且固定成一体结构，所述微波百叶隔板(104)设有两个以上水平纵向并排成一条直线均固定焊接在微波百叶槽箱(103)内部，所述微波线圈轮(105)水平穿插固定在微波百叶隔板(104)上，所述微波稳流管(106)垂直固定在微波百叶槽箱(103)下且与微波线圈轮(105)电连接，所述微波磁控箱(100)与微波线圈轮(105)、微波稳流管(106)电连接，所述微波稳流管(106)垂直固定在微波头元件(3)上且与三极半导体(2)通过微波头元件(3)电连接，所述微波稳流管(106)与阴极柱管(8)通过微波头元件(3)电连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体微波发生器连接结构，其特征在于：所述三极半导体(2)由梯形盖板块(200)、半导体柱帽(201)、半导体三极引脚(202)组成。

3.根据权利要求2所述的一种半导体微波发生器连接结构，其特征在于：所述梯形盖板块(200)倾斜固定在半导体柱帽(201)上并且采用过盈配合，所述梯形盖板块(200)与半导体柱帽(201)之间设有三根半导体三极引脚(202)且均插嵌在微波头元件(3)后并电连接。

4.根据权利要求1所述的一种半导体微波发生器连接结构，其特征在于：所述微波二极管(6)由二极管左引脚(600)、微波硅晶板(601)、二极外柱管(602)、二极内柱管(603)、二极管右引脚(604)组成。

5.根据权利要求4所述的一种半导体微波发生器连接结构，其特征在于：所述二极管左引脚(600)与二极管右引脚(604)水平贯穿二极内柱管(603)左右两侧且采用电连接，所述二极管左引脚(600)与二极管右引脚(604)焊接成一体结构。

6.根据权利要求4所述的一种半导体微波发生器连接结构，其特征在于：所述二极内柱管(603)与二极外柱管(602)之间设有微波硅晶板(601)，所述二极内柱管(603)水平紧贴于微波硅晶板(601)内部且采用过盈配合。

7.根据权利要求4所述的一种半导体微波发生器连接结构，其特征在于：所述二极外柱管(602)水平紧贴于微波硅晶板(601)外部且采用过盈配合，所述二极外柱管(602)水平贯穿微波发生器体(12)并与谐振腔筒(11)相通。

8.根据权利要求4所述的一种半导体微波发生器连接结构，其特征在于：所述二极管左引脚(600)水平安装于谐振腔筒(11)内部并且通过电磁流动槽(5)、阴极柱管(8)电连接，所述二极内柱管(603)与谐振腔筒(11)电连接。