一种半导体微波发生器连接结构的制作方法

本实用新型是一种半导体微波发生器连接结构，属于微波发生器连接设备领域。

背景技术：

半导体(semiconductor)，指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

微波振荡源产生微波频率的正弦信号的装置，是微波设备和系统中不可缺少的组成部分。根据所用的产生振荡的器件类型，微波振荡源可分为微波管振荡源和微波固态振荡源两大类。前者由微波真空管(见微波电子管)组成，后者由微波半导体二极管(见微波二极管)和微波晶体管组成。

电气连接广义上是指电气产品中所有电气回路的集合，包括电源连接部件例如电源插头、电源接线端子等、电源线、内部导线、内部连接部件等；而狭义上的电气连接则只是指产品内部将不同导体连接起来的所有方式。

现有技术公开了申请号为：201220348551.3的一种半导体微波发生器连接结构，其包括半导体微波发生器以及天线，该半导体微波发生器通过微波传送部件连接天线，微波再通过天线接入波导盒。该半导体微波发生器与天线之间连接有微波传送部件，半导体微波发生器和波导盒的设置在结构上不受腔体空间限制，使得半导体微波发生器以及波导盒可以根据需要进行设置位置，在结构上解决了设置半导体微波发生器以及波导盒的位置和组合的限制，使结构更简单灵活，且微波功率高，并且可以实现微波的一定距离的传输，传输损耗低，满足微波传输需求，但现有技术半导体微波发生器连接结构的微波帽结构不完善并且衔接度不够没有半导体过渡衔接且微波发生器内部连接结构繁杂无法简化，达不到更加便捷的操作。

技术实现要素：

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种半导体微波发生器连接结构，以解决半导体微波发生器连接结构的微波帽结构不完善并且衔接度不够没有半导体过渡衔接且微波发生器内部连接结构繁杂无法简化，达不到更加便捷的操作的问题。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种半导体微波发生器连接结构，其结构包括：微波磁控管、三极半导体、微波头元件、阳极圆盘、电磁流动槽、微波二极管、阴极上盖盘、阴极柱管、阴极柱管基座、阴极柱管底盘、谐振腔筒、微波发生器体、阳极导杆、阴极导杆，所述三极半导体倾斜插嵌在微波头元件后且采用电连接，所述三极半导体与微波头元件采用过盈配合，所述微波头元件竖直安装于微波发生器体后且采用电连接，所述阳极圆盘设有两个并且分别水平固定在微波发生器体上下两侧且采用电连接；

所述微波磁控管垂直固定在微波头元件上且与三极半导体通过微波头元件电连接，所述微波磁控管与阴极柱管通过微波头元件电连接，所述电磁流动槽竖直插嵌在微波发生器体内部且焊接成一体结构，所述谐振腔筒设有两个以上并且环形分布竖直贯穿阳极圆盘和微波发生器体，所述谐振腔筒竖直插嵌在电磁流动槽内部且采用过盈配合，所述微波二极管水平贯穿微波发生器体右侧并且与谐振腔筒相通，所述阴极上盖盘水平固定在阴极柱管上且阴极柱管垂直固定在阴极柱管基座上，所述阴极上盖盘、阴极柱管、阴极柱管基座三者为一体柱筒结构且轴心共线，所述阴极柱管基座垂直固定在阴极柱管底盘上且焊接成一体，所述阴极柱管竖直贯穿微波发生器体圆心点，所述阴极导杆水平焊接在阴极上盖盘圆心处且采用电连接，所述阳极导杆水平焊接在微波发生器体下的阳极圆盘下并采用电连接；

所述微波磁控管设有微波磁控箱、磁控箱凹槽、电极插接柱、微波百叶槽箱、微波百叶隔板、微波线圈轮、微波稳流管，所述微波磁控箱竖直插嵌在磁控箱凹槽内部并且采用过盈配合，所述电极插接柱水平贯穿磁控箱凹槽并且水平固定在微波磁控箱左侧，所述电极插接柱与微波磁控箱电连接，所述磁控箱凹槽垂直焊接在微波百叶槽箱上且固定成一体结构，所述微波百叶隔板设有两个以上水平纵向并排成一条直线均固定焊接在微波百叶槽箱内部，所述微波线圈轮水平穿插固定在微波百叶隔板上，所述微波稳流管垂直固定在微波百叶槽箱下且与微波线圈轮电连接，所述微波磁控箱与微波线圈轮、微波稳流管电连接，所述微波稳流管垂直固定在微波头元件上且与三极半导体通过微波头元件电连接，所述微波稳流管与阴极柱管通过微波头元件电连接。

进一步地，所述三极半导体由梯形盖板块、半导体柱帽、半导体三极引脚组成。

进一步地，所述梯形盖板块倾斜固定在半导体柱帽上并且采用过盈配合，所述梯形盖板块与半导体柱帽之间设有三根半导体三极引脚且均插嵌在微波头元件后并电连接。

进一步地，所述微波二极管由二极管左引脚、微波硅晶板、二极外柱管、二极内柱管、二极管右引脚组成。

进一步地，所述二极管左引脚与二极管右引脚水平贯穿二极内柱管左右两侧且采用电连接，所述二极管左引脚与二极管右引脚焊接成一体结构。

进一步地，所述二极内柱管与二极外柱管之间设有微波硅晶板，所述二极内柱管水平紧贴于微波硅晶板内部且采用过盈配合。

进一步地，所述二极外柱管水平紧贴于微波硅晶板外部且采用过盈配合，所述二极外柱管水平贯穿微波发生器体并与谐振腔筒相通。

进一步地，所述二极管左引脚水平安装于谐振腔筒内部并且通过电磁流动槽、阴极柱管电连接，所述二极内柱管与谐振腔筒电连接。

进一步地，所述微波头元件设有微波导线、紧固橡胶轮、微波头配电箱、机械升降杆、机械传动筒、微波头器体、微波震荡盘、微波头柱管，通过微波头元件微波振荡源产生微波频率的正弦信号的装置，是微波设备和系统中不可缺少的组成部分，半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

进一步地，所述微波导线水平贯穿紧固橡胶轮且采用过盈配合，所述微波导线与微波头配电箱电连接，所述微波头配电箱竖直固定在微波头器体上且采用电连接，所述微波震荡盘设有两个并且竖直紧贴于微波头器体左右两侧，所述机械升降杆垂直安装于机械传动筒内部且采用机械连接，所述微波头柱管水平固定在微波头器体前且采用电连接，所述机械传动筒设有两个并且均垂直焊接在微波头柱管上，所述微波头柱管水平插嵌在微波发生器体后并且采用电连接。

有益效果

在半导体微波发生器连接结构的使用过程中，通过微波磁控管的微波磁控箱对电磁流动槽内的阳极圆盘与阴极柱管形成的磁场电流进行调控导流，通过微波线圈轮与微波稳流管对三极半导体和微波头元件的电流对接进行调节稳流并且线圈衔接流程导通，简单便捷的使微波头元件调控微波二极管输出和三极半导体的衔接过渡更高效，通过微波磁控管达到半导体微波发生器连接结构的微波发生器高效配合半导体的结构连接，简洁的运用微波与半导体结合连接成高效的发生器结构工作，使微波发生器更多运用半导体衔接流畅运转电路，快速流通电信号。

在半导体微波发生器连接结构的使用过程中，通过微波头元件的微波导线、微波头柱管对接上下电连接传递电信号，通过微波头配电箱与微波头器体实现微波的震荡对接三极半导体的衔接与微波二极管的输出，通过微波头元件微波振荡源产生微波频率的正弦信号的装置，是微波设备和系统中不可缺少的组成部分，半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

本实用新型的一种半导体微波发生器连接结构，通过微波磁控管的微波磁控箱对电磁流动槽内的阳极圆盘与阴极柱管形成的磁场电流进行调控导流，通过微波线圈轮与微波稳流管对三极半导体和微波头元件的电流对接进行调节稳流并且线圈衔接流程导通，简单便捷的使微波头元件调控微波二极管输出和三极半导体的衔接过渡更高效，通过微波磁控管设有微波磁控箱、磁控箱凹槽、电极插接柱、微波百叶槽箱、微波百叶隔板、微波线圈轮、微波稳流管，实现了半导体微波发生器连接结构的微波发生器高效配合半导体的结构连接，简洁的运用微波与半导体结合连接成高效的发生器结构工作，使微波发生器更多运用半导体衔接流畅运转电路，快速流通电信号。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实用新型一种半导体微波发生器连接结构的结构示意图。

图2为本实用新型一种半导体微波发生器连接结构微波磁控管的结构示意图。

图3为本实用新型一种半导体微波发生器连接结构三极半导体的结构示意图。

图4为本实用新型一种半导体微波发生器连接结构微波头元件的结构示意图。

图5为本实用新型一种半导体微波发生器连接结构微波二极管的结构示意图。

图6为本实用新型一种半导体微波发生器连接结构阳极圆盘的工作原理图。

图7为本实用新型一种半导体微波发生器连接结构三极半导体的工作模块图。

图8为本实用新型一种半导体微波发生器连接结构三极半导体的电路结构图。

图9为本实用新型一种半导体微波发生器连接结构微波头元件的工作流程图。

图10为本实用新型一种半导体微波发生器连接结构的工作电路图。

图中：微波磁控管-1、三极半导体-2、微波头元件-3、阳极圆盘-4、电磁流动槽-5、微波二极管-6、阴极上盖盘-7、阴极柱管-8、阴极柱管基座-9、阴极柱管底盘-10、谐振腔筒-11、微波发生器体-12、阳极导杆-13、阴极导杆-14、微波磁控箱-100、磁控箱凹槽-101、电极插接柱-102、微波百叶槽箱-103、微波百叶隔板-104、微波线圈轮-105、微波稳流管-106、梯形盖板块-200、半导体柱帽-201、半导体三极引脚-202、微波导线-300、紧固橡胶轮-301、微波头配电箱-302、机械升降杆-303、机械传动筒-304、微波头器体-305、微波震荡盘-306、微波头柱管-307、二极管左引脚-600、微波硅晶板-601、二极外柱管-602、二极内柱管-603、二极管右引脚-604。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

实施例一

请参阅图1-图10，本实用新型提供一种半导体微波发生器连接结构：其结构包括：微波磁控管1、三极半导体2、微波头元件3、阳极圆盘4、电磁流动槽5、微波二极管6、阴极上盖盘7、阴极柱管8、阴极柱管基座9、阴极柱管底盘10、谐振腔筒11、微波发生器体12、阳极导杆13、阴极导杆14，所述三极半导体2倾斜插嵌在微波头元件3后且采用电连接，所述三极半导体2与微波头元件3采用过盈配合，所述微波头元件3竖直安装于微波发生器体12后且采用电连接，所述阳极圆盘4设有两个并且分别水平固定在微波发生器体12上下两侧且采用电连接；

所述微波磁控管1垂直固定在微波头元件3上且与三极半导体2通过微波头元件3电连接，所述微波磁控管1与阴极柱管8通过微波头元件3电连接，所述电磁流动槽5竖直插嵌在微波发生器体12内部且焊接成一体结构，所述谐振腔筒11设有两个以上并且环形分布竖直贯穿阳极圆盘4和微波发生器体12，所述谐振腔筒11竖直插嵌在电磁流动槽5内部且采用过盈配合，所述微波二极管6水平贯穿微波发生器体12右侧并且与谐振腔筒11相通，所述阴极上盖盘7水平固定在阴极柱管8上且阴极柱管8垂直固定在阴极柱管基座9上，所述阴极上盖盘7、阴极柱管8、阴极柱管基座9三者为一体柱筒结构且轴心共线，所述阴极柱管基座9垂直固定在阴极柱管底盘10上且焊接成一体，所述阴极柱管8竖直贯穿微波发生器体12圆心点，所述阴极导杆14水平焊接在阴极上盖盘7圆心处且采用电连接，所述阳极导杆13水平焊接在微波发生器体12下的阳极圆盘4下并采用电连接；

所述微波磁控管1设有微波磁控箱100、磁控箱凹槽101、电极插接柱102、微波百叶槽箱103、微波百叶隔板104、微波线圈轮105、微波稳流管106，所述微波磁控箱100竖直插嵌在磁控箱凹槽101内部并且采用过盈配合，所述电极插接柱102水平贯穿磁控箱凹槽101并且水平固定在微波磁控箱100左侧，所述电极插接柱102与微波磁控箱100电连接，所述磁控箱凹槽101垂直焊接在微波百叶槽箱103上且固定成一体结构，所述微波百叶隔板104设有两个以上水平纵向并排成一条直线均固定焊接在微波百叶槽箱103内部，所述微波线圈轮105水平穿插固定在微波百叶隔板104上，所述微波稳流管106垂直固定在微波百叶槽箱103下且与微波线圈轮105电连接，所述，所述微波磁控箱100与微波线圈轮105、微波稳流管106电连接，所述微波稳流管106垂直固定在微波头元件3上且与三极半导体2通过微波头元件3电连接，所述微波稳流管106与阴极柱管8通过微波头元件3电连接，所述三极半导体2由梯形盖板块200、半导体柱帽201、半导体三极引脚202组成，所述梯形盖板块200倾斜固定在半导体柱帽201上并且采用过盈配合，所述梯形盖板块200与半导体柱帽201之间设有三根半导体三极引脚202且均插嵌在微波头元件3后并电连接，所述微波二极管6由二极管左引脚600、微波硅晶板601、二极外柱管602、二极内柱管603、二极管右引脚604组成，所述二极管左引脚600与二极管右引脚604水平贯穿二极内柱管603左右两侧且采用电连接，所述二极管左引脚600与二极管右引脚604焊接成一体结构，所述二极内柱管603与二极外柱管602之间设有微波硅晶板601，所述二极内柱管603水平紧贴于微波硅晶板601内部且采用过盈配合，所述二极外柱管602水平紧贴于微波硅晶板601外部且采用过盈配合，所述二极外柱管602水平贯穿微波发生器体12并与谐振腔筒11相通，所述二极管左引脚600水平安装于谐振腔筒11内部并且通过电磁流动槽5、阴极柱管8电连接，所述二极内柱管603与谐振腔筒11电连接。

在半导体微波发生器连接结构的使用过程中，通过微波磁控管1的微波磁控箱100对电磁流动槽5内的阳极圆盘4与阴极柱管8形成的磁场电流进行调控导流，通过微波线圈轮105与微波稳流管106对三极半导体2和微波头元件3的电流对接进行调节稳流并且线圈衔接流程导通，简单便捷的使微波头元件3调控微波二极管6输出和三极半导体2的衔接过渡更高效，通过微波磁控管1达到半导体微波发生器连接结构的微波发生器高效配合半导体的结构连接，简洁的运用微波与半导体结合连接成高效的发生器结构工作，使微波发生器更多运用半导体衔接流畅运转电路，快速流通电信号。

本实用新型所述的微波磁控管1的阳极除与普通的二极管的阳极一样收集电子外，还对高频电磁场的振荡频率起着决定性的作用。

微波头元件3是微波发生器的重要构成部分。通常微波发生器由专用微波电源和微波头，加上相应的控制部分构成有时微波电源中集成了控制部分。微波电源供给微波头的低频电能在微波头中由磁控管转化成高频微波能，最终由微波头的波导口馈出到应用端。工业微波头的工作频率通常为2450MHz或915MHz。

本实用新型的微波磁控管1、三极半导体2、微波头元件3、阳极圆盘4、电磁流动槽5、微波二极管6、阴极上盖盘7、阴极柱管8、阴极柱管基座9、阴极柱管底盘10、谐振腔筒11、微波发生器体12、阳极导杆13、阴极导杆14、微波磁控箱100、磁控箱凹槽101、电极插接柱102、微波百叶槽箱103、微波百叶隔板104、微波线圈轮105、微波稳流管106、梯形盖板块200、半导体柱帽201、半导体三极引脚202、微波导线300、紧固橡胶轮301、微波头配电箱302、机械升降杆303、机械传动筒304、微波头器体305、微波震荡盘306、微波头柱管307、二极管左引脚600、微波硅晶板601、二极外柱管602、二极内柱管603、二极管右引脚604部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知，本实用新型解决的问题是半导体微波发生器连接结构的微波帽结构不完善并且衔接度不够没有半导体过渡衔接且微波发生器内部连接结构繁杂无法简化，达不到更加便捷的操作，本实用新型通过上述部件的互相组合，可以达到半导体微波发生器连接结构的微波发生器高效配合半导体的结构连接，简洁的运用微波与半导体结合连接成高效的发生器结构工作，使微波发生器更多运用半导体衔接流畅运转电路，快速流通电信号，具体如下所述：

所述微波磁控箱100竖直插嵌在磁控箱凹槽101内部并且采用过盈配合，所述电极插接柱102水平贯穿磁控箱凹槽101并且水平固定在微波磁控箱100左侧，所述电极插接柱102与微波磁控箱100电连接，所述磁控箱凹槽101垂直焊接在微波百叶槽箱103上且固定成一体结构，所述微波百叶隔板104设有两个以上水平纵向并排成一条直线均固定焊接在微波百叶槽箱103内部，所述微波线圈轮105水平穿插固定在微波百叶隔板104上，所述微波稳流管106垂直固定在微波百叶槽箱103下且与微波线圈轮105电连接，所述微波磁控箱100与微波线圈轮105、微波稳流管106电连接，所述微波稳流管106垂直固定在微波头元件3上且与三极半导体2通过微波头元件3电连接，所述微波稳流管106与阴极柱管8通过微波头元件3电连接。

实施例二

请参阅图1-图10，本实用新型提供一种半导体微波发生器连接结构：其结构包括：微波磁控管1、三极半导体2、微波头元件3、阳极圆盘4、电磁流动槽5、微波二极管6、阴极上盖盘7、阴极柱管8、阴极柱管基座9、阴极柱管底盘10、谐振腔筒11、微波发生器体12、阳极导杆13、阴极导杆14，所述三极半导体2倾斜插嵌在微波头元件3后且采用电连接，所述三极半导体2与微波头元件3采用过盈配合，所述微波头元件3竖直安装于微波发生器体12后且采用电连接，所述阳极圆盘4设有两个并且分别水平固定在微波发生器体12上下两侧且采用电连接；

所述微波磁控管1垂直固定在微波头元件3上且与三极半导体2通过微波头元件3电连接，所述微波磁控管1与阴极柱管8通过微波头元件3电连接，所述电磁流动槽5竖直插嵌在微波发生器体12内部且焊接成一体结构，所述谐振腔筒11设有两个以上并且环形分布竖直贯穿阳极圆盘4和微波发生器体12，所述谐振腔筒11竖直插嵌在电磁流动槽5内部且采用过盈配合，所述微波二极管6水平贯穿微波发生器体12右侧并且与谐振腔筒11相通，所述阴极上盖盘7水平固定在阴极柱管8上且阴极柱管8垂直固定在阴极柱管基座9上，所述阴极上盖盘7、阴极柱管8、阴极柱管基座9三者为一体柱筒结构且轴心共线，所述阴极柱管基座9垂直固定在阴极柱管底盘10上且焊接成一体，所述阴极柱管8竖直贯穿微波发生器体12圆心点，所述阴极导杆14水平焊接在阴极上盖盘7圆心处且采用电连接，所述阳极导杆13水平焊接在微波发生器体12下的阳极圆盘4下并采用电连接；

所述微波头元件3设有微波导线300、紧固橡胶轮301、微波头配电箱302、机械升降杆303、机械传动筒304、微波头器体305、微波震荡盘306、微波头柱管307，所述微波导线300水平贯穿紧固橡胶轮301且采用过盈配合，所述微波导线300与微波头配电箱302电连接，所述微波头配电箱302竖直固定在微波头器体305上且采用电连接，所述微波震荡盘306设有两个并且竖直紧贴于微波头器体305左右两侧，所述机械升降杆303垂直安装于机械传动筒304内部且采用机械连接，所述微波头柱管307水平固定在微波头器体305前且采用电连接，所述机械传动筒304设有两个并且均垂直焊接在微波头柱管307上，所述微波头柱管307水平插嵌在微波发生器体12后并且采用电连接，所述三极半导体2由梯形盖板块200、半导体柱帽201、半导体三极引脚202组成，所述梯形盖板块200倾斜固定在半导体柱帽201上并且采用过盈配合，所述梯形盖板块200与半导体柱帽201之间设有三根半导体三极引脚202且均插嵌在微波头元件3后并电连接，所述微波二极管6由二极管左引脚600、微波硅晶板601、二极外柱管602、二极内柱管603、二极管右引脚604组成，所述二极管左引脚600与二极管右引脚604水平贯穿二极内柱管603左右两侧且采用电连接，所述二极管左引脚600与二极管右引脚604焊接成一体结构，所述二极内柱管603与二极外柱管602之间设有微波硅晶板601，所述二极内柱管603水平紧贴于微波硅晶板601内部且采用过盈配合，所述二极外柱管602水平紧贴于微波硅晶板601外部且采用过盈配合，所述二极外柱管602水平贯穿微波发生器体12并与谐振腔筒11相通，所述二极管左引脚600水平安装于谐振腔筒11内部并且通过电磁流动槽5、阴极柱管8电连接，所述二极内柱管603与谐振腔筒11电连接。

在半导体微波发生器连接结构的使用过程中，通过微波头元件3的微波导线300、微波头柱管307对接上下电连接传递电信号，通过微波头配电箱302与微波头器体305实现微波的震荡对接三极半导体2的衔接与微波二极管6的输出，通过微波头元件3微波振荡源产生微波频率的正弦信号的装置，是微波设备和系统中不可缺少的组成部分，半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。