有机电子器件的制造方法与流程

本发明涉及一种有机电子器件的制造方法。
背景技术：
：有机电致发光器件(以下有时称作“有机EL(ElectroLuminescence)器件”)、有机光电转换元件以及有机薄膜晶体管等有机电子器件具备具有给定的功能的有机薄膜，该有机薄膜由挠曲性基材支撑。作为制造有机电子器件的方法，向挠曲性基材上赋予功能性材料的溶液后，进行加热，由此将发光层等功能性的层依次成膜而制造(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第3949045号公报技术实现要素：发明所要解决的问题此处，已知有在玻璃板等具有刚性的支撑基板上夹隔着粘接剂固定上述挠曲性基材后、在该挠曲性基材上制造有机电子器件的方法。在利用此种方法制造有机电子器件的情况下，由于在制造中挠曲性基材从支撑基板局部地翘起，因此有引起无法将发光层等均匀地成膜、发生密封构件的贴合不良等故障的情况，存在从支撑基板剥离挠曲性基材后的有机电子器件的外观也变差的问题。本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供能够在制造中抑制挠曲性基材从支撑基板局部地翘起、制造高品质的有机电子器件的有机电子器件的制造方法。用于解决问题的方法本发明的有机电子器件的制造方法依次具备：除去工序，从挠曲性基材除去挥发性成分；固定工序，将上述挠曲性基材夹隔着粘接层固定于支撑基板上；以及形成工序，在固定于上述支撑基板的上述挠曲性基材的与上述支撑基板相反一侧，形成依次具有第1电极层、至少一个有机功能层以及第2电极层的器件主体部，在从20℃到上述挠曲性基材的母材树脂的熔点的温度范围内，上述挥发性成分的蒸气压为101325Pa以上。本发明的有机电子器件的制造方法由于具备从上述挠曲性基材除去上述挥发性成分的工序，因此可以在制造中抑制挠曲性基材从支撑基板局部地翘起，制造高品质的有机电子器件。需要说明的是，将有机电子器件的除去挠曲性基材之外的部分称作器件主体部。在上述形成工序后，优选还具备将上述挠曲性基材从上述支撑基板上剥离的工序。在上述形成工序后，将上述挠曲性基材从上述支撑基板上剥离，由此可以制造柔性高的有机电子器件。上述挠曲性基材优选在上述器件主体部侧的面具有水蒸气透过率为1×10－4g/m2/天以下的屏蔽层。在上述器件主体部侧的面具有水蒸气透过率低的屏蔽层时，若在制造中从挠曲性基材产生挥发性成分，则其无法从器件主体部侧的面透过，与使用了不具有屏蔽层的挠曲性基材的情况相比挥发性成分更易于停留于支撑基板与挠曲性基材之间。因而，挠曲性基材更易于从支撑基板翘起。但是，由于本发明的有机电子器件的制造方法具备上述除去工序，因此即使挠曲性基材在器件主体部侧的面具有屏蔽层，也可以抑制挠曲性基材从支撑基板局部地翘起，制造高品质的有机电子器件。上述形成工序优选包括在上述挠曲性基材的玻璃化转变温度以上的温度条件下进行加热的工序。若在挠曲性基材的玻璃化转变温度以上的温度条件下进行加热，则挠曲性基材发生软化，由此易于从支撑基板翘起。但是，由于本发明的有机电子器件的制造方法具备上述除去工序，因此即使进行在挠曲性基材的玻璃化转变温度以上的温度条件下加热的工序，也可以抑制挠曲性基材从支撑基板局部地翘起，制造高品质的有机电子器件。上述形成工序优选包括利用涂布法形成至少一个有机功能层的工序。若涂布法所涂布的面不平坦，则难以形成膜厚均匀的有机功能层。但是，由于本发明的有机电子器件的制造方法可以抑制挠曲性基材从支撑基板局部地翘起，可以使挠曲性基材的表面平坦，因此即使利用涂布法形成上述有机功能层，也可以形成膜厚均匀的层。因而，可以制造高品质的有机电子器件。需要说明的是，所谓涂布法，是如下的方法，即，在包含挠曲性基材的涂布对象物的涂布面，涂布包含用于形成有机功能层的材料的液体，形成包含该材料的涂布膜，将该涂布膜干燥而形成有机功能层。上述涂布法优选为喷墨印刷法。由于喷墨印刷法中作为包含用于形成各层的材料的液体多使用粘度低的墨液，因此若涂布墨液的面不平坦，则易于产生不均。但是，由于本发明的有机电子器件的制造方法可以抑制挠曲性基材从支撑基板局部地翘起，可以使挠曲性基材的表面平坦，因此难以产生不均，可以制造高品质的有机电子器件。上述除去工序中，优选在减压条件下或非活性气体气氛下，在20℃以上且低于上述挠曲性基材的玻璃化转变温度的温度范围内，对上述挠曲性基材进行加热。通过在20℃以上且低于上述挠曲性基材的玻璃化转变温度的温度范围内加热上述挠曲性基材，可以不引起在上述挠曲性基材中形成褶皱等变形地有效地除去上述挥发成分。在上述除去工序后，优选在减压条件下或非活性气体气氛下进行上述固定工序。通过在上述除去工序后也在减压条件下或非活性气体气氛下进行，可以防止上述除去工序中除去了的挥发成分被挠曲性基材再吸收，可以制造更高品质的有机电子器件。本发明的有机电子器件的制造方法优选在上述固定工序前，还具备从上述粘接层除去上述挥发性成分的工序。在上述粘接层包含上述挥发成分的情况下，通过在上述固定工序前进行从上述粘接层除去上述挥发性成分的工序，可以进一步抑制挠曲性基材从支撑基板局部地翘起，可以制造更高品质的有机电子器件。发明效果根据本发明，可以提供能够在制造中抑制挠曲性基材从支撑基板局部地翘起、制造高品质的有机电子器件的有机电子器件的制造方法。附图说明图1是示意性地表示作为本发明的有机电子器件的一个实施方式的有机EL器件的构成的一例的图。图2是用于说明本实施方式的有机EL器件的制造方法的图。具体实施方式以下，在参照附图的同时，对本发明的实施方式进行说明。对于相同的要素使用相同符号。省略重复的说明。附图的尺寸比率未必与说明的尺寸比率一致。说明中，“上”、“下”等表示方向的用语是基于附图所示的状态的方便的用语。以下，作为本实施方式的一例，对于具有作为第1电极层的阳极层、至少一个有机功能层、和作为第2电极层的阴极层的有机EL器件进行说明。本实施方式的有机电子器件的一例是图1中示意性表示的有机EL器件1。有机EL器件1可以合适地用于曲面状或平面状的照明装置、例如作为扫描仪的光源使用的面状光源以及显示装置中。有机EL器件1如图1所示，具备挠曲性基材27、以及从挠曲性基材27侧依次设置的阳极层21、空穴注入层22、空穴传输层23、发光层24、电子传输层28、电子注入层25及阴极层26。也将包括阳极层21、空穴注入层22、空穴传输层23、发光层24、电子传输层28、电子注入层25及阴极层26的层叠体称作器件主体部20。包含空穴注入层22、空穴传输层23、发光层24、电子传输层28以及电子注入层25的薄膜是各自具有给定的功能的功能层，它们当中的至少一个是作为包含有机化合物的层的有机功能层。虽然图1中省略了图示，然而由于有机功能层因水分而发生劣化，因此通常将有机EL器件1用密封构件(例如玻璃、金属箔等)密封。有机EL器件1也可以是作为第1电极层具有阴极层、作为第2电极层具有阳极层的器件。另外，有机EL器件1在底部发射型、即图1所示的构成中，可以是将从发光层24发射的光穿过挠曲性基材27射出的形态，在顶部发射型、即图1所示的构成中，可以是将从发光层24发射的光从与挠曲性基材27相反一侧(即从阴极E2侧)射出的形态。以下的说明中，只要没有特别指出，有机EL器件1就是底部发射型。＜挠曲性基材＞挠曲性基材27优选由实质性地透射从发光层24发射的可见光(例如波长360nm～830nm的光)的塑料材料构成。挠曲性基材27优选对于从发光层24发射的光而言为无色透明。需要说明的是，在有机电子器件的用途对挠曲性基材27不要求透明性的情况下，挠曲性基材27可以对于可见光而言不透明。作为挠曲性基材27，例如可以举出塑料膜。作为挠曲性基材27的母材树脂，例如可以举出聚醚砜(PES)；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、环状聚烯烃等聚烯烃树脂；聚酰胺树脂；聚碳酸酯树脂；聚苯乙烯树脂；聚乙烯醇树脂；乙烯－乙酸乙烯酯共聚物的皂化物；聚丙烯腈树脂；缩醛树脂；聚酰亚胺树脂；环氧树脂等。这些树脂当中，由于耐热性高、线膨胀率低、并且制造成本低，因此优选聚酯树脂、或聚烯烃树脂，更优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、或聚萘二甲酸乙二醇酯。另外，这些树脂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。挠曲性基材27的厚度没有特别限定，例如为10μm以上且1mm以下。在挠曲性基材27上可以形成有用于驱动有机EL器件1的驱动电路(例如包含薄膜晶体管等的电路)。挠曲性基材27可以还具有水蒸气透过率为1×10－4g/m2/天以下的屏蔽层。需要说明的是，水蒸气透过率例如可以利用钙腐蚀法测定。该屏蔽层可以在屏蔽水分的功能以外，还具有屏蔽气体(例如氧)的功能。屏蔽层例如可以是包含硅、氧及碳的膜、包含硅、氧、碳及氮的膜、或包含金属氧化物的膜。具体而言，是氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝等。屏蔽层的厚度的例子为10nm以上且10μm以下。＜阳极层＞作为阳极层21可以使用显示透光性的电极层。作为显示透光性的电极，可以使用电导率高的金属氧化物、金属硫化物及金属等的薄膜，可以合适地使用透光率高的薄膜。例如使用包含氧化铟、氧化锌、氧化锡、ITO、铟锌氧化物(IndiumZincOxide：缩略语IZO)、金、铂、银以及铜等的薄膜，它们当中可以合适地使用包含ITO、IZO、或氧化锡的薄膜。作为阳极层21，也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有机物的透明导电膜。阳极层21的厚度可以考虑光的透射性、电导率等来适当地确定。阳极层21的厚度例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。作为阳极层21的形成方法的例子，可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀覆法及涂布法(例如喷墨印刷法)等。上述透明导电膜优选利用涂布法(例如喷墨印刷法)形成。需要说明的是，所谓涂布法，是在包含挠曲性基材的涂布对象物的涂布面涂布包含用于形成透明导电膜(阳极层21)的材料的液体而形成包含该材料的涂布膜、并将该涂布膜干燥而形成透明导电膜(阳极层21)的方法。＜空穴注入层＞空穴注入层22是具有使自阳极层21的空穴注入效率提高的功能的层。构成空穴注入层22的空穴注入材料被分类为低分子化合物和高分子化合物。空穴注入材料可以具有交联性基团。作为低分子化合物，例如可以举出氧化钒、氧化钼、氧化钌以及氧化铝等金属氧化物、铜酞菁等金属酞菁化合物、碳等。作为高分子化合物，例如可以举出聚苯胺、聚噻吩、聚亚乙基二氧基噻吩(PEDOT)之类的聚噻吩衍生物、聚吡咯、聚亚苯基亚乙烯基、聚亚噻吩基亚乙烯基、聚喹啉及聚喹喔啉以及它们的衍生物；在主链或侧链中包含芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子。空穴注入层22的厚度的最佳值根据所用的材料而不同，可以考虑所要求的特性及成膜的简易度等适当地确定。空穴注入层22的厚度例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。例如利用涂布法(例如喷墨印刷法)形成空穴注入层22。另外，也可以利用与涂布法不同的给定的公知的方法形成空穴注入层22。在利用涂布法形成空穴注入层时，涂布将空穴注入材料溶解于溶剂中而得的液体来形成包含空穴注入材料的涂布膜，将该涂布膜干燥后，有时需要利用热的活化。所谓活化，是指使空穴注入层22体现应当具有的受电子功能。有施加的热的温度越高越可以在短时间内活化的趋势。在需要利用热的活化的情况下，例如可以举出施加挠曲性基材27的玻璃化转变温度以上的热的方法。＜空穴传输层＞空穴传输层23具有从空穴注入层22(或者在没有空穴注入层22的情况下是阳极层21)接收空穴、并将空穴传输到发光层24的功能。空穴传输层23包含空穴传输材料。空穴传输材料只要是具有空穴传输功能的有机化合物，就没有特别限定。作为具有空穴传输功能的有机化合物的具体例，可以举出聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺残基的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚芴衍生物、具有芳香族胺残基的高分子化合物以及聚(2，5－亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物。作为空穴传输材料的例子，也可以举出日本特开昭63－70257号公报、日本特开昭63－175860号公报、日本特开平2－135359号公报、日本特开平2－135361号公报、日本特开平2－209988号公报、日本特开平3－37992号公报、日本特开平3－152184号公报中记载的空穴传输材料等。例如利用涂布法(例如喷墨印刷法)形成空穴传输层23。另外，也可以利用与涂布法不同的给定的公知的方法形成空穴传输层23。作为涂布法中所用的溶剂，只要是使空穴传输材料溶解的溶剂，就没有特别限制。作为溶剂的例子，可以举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯化物溶剂、四氢呋喃等醚溶剂、甲苯、二甲苯等芳香族烃溶剂、丙酮、甲乙酮等酮溶剂、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯溶剂。空穴传输材料可以包含具有交联性基团的材料。作为具有交联性基团的材料，可以是包含交联性基团的空穴传输材料(有机材料)，也可以是包含不具有交联性基团的空穴传输材料和具有交联性基团的交联剂的材料。在空穴传输材料包含具有交联性基团的材料、且利用涂布法形成空穴传输层时，涂布将空穴传输材料溶解于溶剂中而得的液体来形成包含空穴传输材料的涂布膜，将该涂布膜干燥后进行加热处理，由此可以推进交联反应。由于有加热时的温度越高、则越可以在短时间内推进交联反应的趋势，因此可以在挠曲性基材27的玻璃化转变温度以上进行加热。空穴传输层23的厚度的最佳值根据所用的材料而不同，只要以使驱动电压和发光效率为适度的值的方式选择即可。空穴传输层23至少需要不产生针孔的程度的厚度，若太厚，则有机EL器件1的驱动电压有可能变高。空穴传输层23的厚度例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。＜发光层＞发光层24通常包含主要发出荧光和/或磷光的有机物、或者该有机物和辅助它的发光层用掺杂剂材料。发光层用掺杂剂材料例如是为了提高发光效率、改变发光波长而加入的。需要说明的是，作为有机物，从溶解性的观点出发优选为高分子化合物。发光层24优选包含聚苯乙烯换算的数均分子量为103～108的高分子化合物。作为构成发光层24的发光材料，例如可以举出下述的色素材料、金属络合物材料、高分子材料等主要发出荧光和/或磷光的有机物、发光层用掺杂剂材料等。(色素材料)作为色素材料，例如可以举出环喷他明衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基芳撑衍生物、吡咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物等。(金属络合物材料)作为金属络合物材料，例如可以举出作为中心金属具有Tb、Eu、Dy等稀土金属、或Al、Zn、Be、Pt、Ir等、作为配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物等。作为金属络合物，例如可以举出铱络合物、铂络合物等具有来自三重激发态的发光的金属络合物、羟基喹啉铝络合物、苯并羟基喹啉铍络合物、苯并噁唑基锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、菲咯啉铕络合物等。(高分子材料)作为高分子材料，例如可以举出聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、将上述色素材料、金属络合物材料高分子化而得的材料等。(发光层用掺杂剂材料)作为发光层用掺杂剂材料，例如可以举出苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸内鎓盐衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基色素、并四苯衍生物、吡唑啉酮衍生物、十环烯、吩噁嗪酮等。发光层24的厚度通常约为2nm～200nm。例如利用使用包含如上所述的发光材料的涂布液的涂布法(例如喷墨印刷法)形成发光层24。作为包含发光材料的涂布液的溶剂，只要是溶解发光材料的溶剂，就没有特别限定，例如可以作为用于形成空穴传输层23的涂布液的溶剂举出。＜电子传输层＞电子传输层28具有使从阴极层26、电子注入层25或更靠近阴极层26的电子传输层28向发光层24的电子注入效率提高的功能。可以利用蒸镀法、溅射法、涂布法(例如喷墨印刷法)等给定的公知的方法形成电子传输层28。电子传输层28的厚度可以考虑电特性、成膜的容易性等适当地设定，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。作为构成电子传输层28的电子传输材料，可以使用公知的材料。作为构成电子传输层28的电子传输材料，可以举出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、联苯醌衍生物、或8－羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。＜电子注入层＞电子注入层25具有使自阴极层26的电子注入效率提高的功能。构成电子注入层25的材料可以根据发光层24的种类适当地选择最佳的材料。作为构成电子注入层25的材料的例子，可以举出碱金属、碱土金属、包含碱金属及碱土金属当中的1种以上的合金、碱金属或碱土金属的氧化物、卤化物、碳酸盐、或这些物质的混合物等。作为碱金属、碱金属的氧化物、卤化物以及碳酸盐的例子，可以举出锂、钠、钾、铷、铯、氧化锂、氟化锂、氧化钠、氟化钠、氧化钾、氟化钾、氧化铷、氟化铷、氧化铯、氟化铯、碳酸锂等。另外，作为碱土金属、碱土金属的氧化物、卤化物、碳酸盐的例子，可以举出镁、钙、钡、锶、氧化镁、氟化镁、氧化钙、氟化钙、氧化钡、氟化钡、氧化锶、氟化锶、碳酸镁等。除此以外还可以利用将以往已知的电子传输性的有机材料与碱金属的有机金属络合物混合而得的层作为电子注入层25。可以利用蒸镀法、溅射法、涂布法(例如喷墨印刷法)等给定的公知的方法形成电子注入层25。电子注入层25的厚度优选为1nm～1μm左右。＜阴极层＞作为阴极层26的材料，优选功函数小、向发光层24的电子注入容易、电导率高的材料。另外，从阳极层21侧取出光的有机EL器件1中，为了提高发光效率，优选将从发光层24发射的光用阴极层26向阳极层21侧反射，因此，作为阴极层26的材料优选可见光反射率高的材料。作为阴极层26的材料，例如可以使用碱金属、碱土金属、过渡金属及周期表第13族金属等。作为阴极层26的材料，例如可以使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属、所述金属当中的2种以上的合金、所述金属当中的1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡当中的1种以上的合金、或者石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子，可以举出镁－银合金、镁－铟合金、镁－铝合金、铟－银合金、锂－铝合金、锂－镁合金、锂－铟合金、钙－铝合金等。另外，可以使用包含导电性金属氧化物及导电性有机物等的透明导电性电极作为阴极层26。具体而言，作为导电性金属氧化物可以举出氧化铟、氧化锌、氧化锡、ITO以及IZO，作为导电性有机物可以举出聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。需要说明的是，阴极层26可以由层叠2层以上而得的层叠体构成。需要说明的是，有时也使用电子注入层25作为阴极层26。阴极层26的厚度可以考虑电导率、耐久性而适当地设定。阴极层26的厚度例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。作为阴极层26的形成方法，例如可以举出真空蒸镀法、溅射法、以及将金属薄膜热压接的层压法及涂布法(例如喷墨印刷法)等。＜有机EL器件的制造方法＞以下，使用图2对本实施方式的制造方法进行说明。本实施方式的有机EL器件的制造方法依次具备：除去工序，从挠曲性基材除去挥发性成分；固定工序，将经过了除去工序的挠曲性基材(以下简称为挠曲性基材27)夹隔着粘接层12固定于支撑基板10上；以及形成工序，在以支撑基板10固定了的挠曲性基材27上(与支撑基板10相反一侧)形成器件主体部20。＜除去工序＞首先，从挠曲性基材除去挥发性成分。除去了挥发性成分的挠曲性基材是图1及2所示的挠曲性基材27。作为用于将挥发性成分从挠曲性基材除去的具体的方法，可以举出将挠曲性基材用烘箱等加热的方法、对挠曲性基材表面进行红外线照射的方法等。在用烘箱等加热的情况下，作为加热温度，从抑制挠曲性基材的变形的观点出发，优选为20℃以上且低于挠曲性基材的玻璃化转变温度，从抑制挠曲性基材的变形、并且提高除去效率的观点出发，更优选为接近玻璃化转变温度的温度。在进行红外线照射的情况下，作为红外线的波长，优选为1.0～4.0μm，更优选为1.5～3.5μm。加热或红外线照射优选在减压条件下、或氮气等非活性气体气氛下进行。需要说明的是，除去工序只要是用于从挠曲性基材除去挥发性成分的工序即可，也可以不是从挠曲性基材完全地除去挥发性成分的工序。即，除去工序后的挠曲性基材可以没有完全地除去挥发性成分。在进行除去工序前的挠曲性基材中，含有从20℃(室温)到该挠曲性基材的母材树脂的熔点的温度范围内的蒸气压为101325Pa以上的挥发性成分。即，该挥发性成分的蒸气压在从20℃到该挠曲性基材的母材树脂的熔点的温度范围内的任意温度条件下达到101325Pa大气压。作为此种挥发性成分，可以举出水、有机溶剂等。这些挥发性成分在挠曲性基材的制造时、保管时等混入挠曲性基材中。此处，所谓母材树脂，是指构成挠曲性基材的成分当中的除去树脂以外的成分的成分。作为母材树脂的熔点及挠曲性基材的玻璃化转变温度的测定方法，可以举出使用差示扫描量热计的方法。通过包括此种除去工序，可以预先减少挠曲性基材中所含的挥发性成分，在后述的在挠曲性基材上形成器件主体部20的工序中，可以抑制因挥发性成分蒸发而出现的气泡的产生。因此，在制造中抑制挠曲性基材从支撑基板局部地翘起，能够制造高品质的有机EL器件。挠曲性基材可以是多层结构，优选在形成器件主体部20的一侧的面具有水蒸气透过率为1×10－4g/m2/天以下、优选为1×10－5g/m2/天以下的屏蔽层。需要说明的是，水蒸气透过率例如可以利用钙腐蚀法测定。所谓钙腐蚀法，例如为日本特开2004－333127号公报以及日本特开2005－283561号公报中记载的方法。在不具有除去工序的以往的制造方法中，在使用挠曲性基材制作器件主体部的情况下，水蒸气透过率低的屏蔽层使从挠曲性基材蒸发出的气体难以透过，其结果是，与使用了不具有屏蔽层的挠曲性基材的情况相比气泡更易于停留于支撑基板与挠曲性基材之间。因此，有挠曲性基材更易于从支撑基板翘起的趋势。根据具备上述除去工序的本实施方式的制造方法，即使在使用了此种具有屏蔽层的挠曲性基材的情况下，由于在形成工序前预先减少了挥发性成分，因此也可以抑制上述的翘起。＜固定工序＞然后，如图2所示，将除去了挥发性成分的挠曲性基材27夹隔着粘接层12固定于支撑基板10上。作为支撑基板10的材质只要是可以支撑及固定挠曲性基材27的材料，就没有特别限定，例如可以举出玻璃、铝等金属。作为粘接层12的材质，只要是可以支撑及固定挠曲性基材的材料，就没有特别限定，例如可以举出压敏性粘接剂、温敏性粘接剂、丙烯酸系粘接剂、硅酮系粘接剂、具有自粘合性的硅树脂或氟树脂等。作为固定工序的具体的方法，可以举出将粘接剂涂布于支撑基板10上而形成粘接层12、并将挠曲性基材27粘贴于支撑基板10上的方法。对于固定工序，在通过在减压条件下或非活性气体气氛下进行加热或红外线照射而进行除去工序的情况下，也可以在减压或非活性气氛下进行固定工序。通过像这样进行固定工序，可以防止挥发性成分被挠曲性基材27再吸收。需要说明的是，在粘接剂包含溶剂的情况下，或包含大气中的水分的情况下，可以在固定工序前，进行从粘接层12除去挥发性成分的工序。作为从粘接层除去挥发性成分的具体的方法，与从挠曲性基材除去挥发性成分的方法相同。＜形成工序＞在进行除去工序及固定工序后，在以支撑基板10固定了的挠曲性基材27上，依次形成阳极层21、空穴注入层22、空穴传输层23、发光层24、电子传输层28、电子注入层25以及阴极层26，由此形成器件主体部20。在形成这些各层的工序中可以包括在挠曲性基材的玻璃化转变温度以上的温度条件下进行加热的工序。若在形成器件主体部20后进行从支撑基板10上剥离上述挠曲性基材27的工序，则可以得到图1所示的有机EL器件。但是，本实施方式的制造方法也可以不具有剥离工序。有机EL器件的层构成并不限定于图1所示的构成。以下给出本实施方式的有机EL器件能够采取的层构成的一例。a)阳极层/发光层/阴极层b)阳极层/空穴注入层/发光层/阴极层c)阳极层/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极层d)阳极层/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层e)阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极层f)阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极层g)阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层h)阳极层/发光层/电子注入层/阴极层i)阳极层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层(此处，记号“/”表示夹持记号“/”的各层被相邻地层叠。)另外，空穴注入层及电子注入层可以作为无机层构成，也可以作为包含有机材料的有机层构成。以上，以有机EL器件为例进行了说明，然而根据本实施方式的制造方法，也可以制作有机EL器件以外的有机电子器件，例如有机光电转换元件以及有机薄膜晶体管等。需要说明的是，在这些有机电子器件中也将除去挠曲性基材的部分称作器件主体部。[实施例]下面，对验证本发明的制造方法对挠曲性基材的影响而得的实验结果进行说明。需要说明的是，以下的实验例给出本发明的一个实施方式，可以在不脱离本发明的主旨的范围中进行各种变形。＜实施例1＞对在表面具有水蒸气透过率为5×10－6g/m2/天的屏蔽层的50mm见方的挠曲性基材(母材树脂：PEN(玻璃化转变温度：155℃))，在固定于支撑基板前，在真空烘箱中、在120℃实施1小时的加热处理(除去工序)。将挠曲性基材恢复到室温后，夹隔着材质为具有自粘合性的硅树脂的粘接层，将挠曲性基材的不具有屏蔽层的面贴附于作为支撑基板的铝板并在180℃在热板上实施1小时的热处理。需要说明的是，所谓180℃，是对在挠曲性基材上利用喷墨印刷法形成的有机功能层进行热处理时的加热温度。研究了直径1mm以上的气泡的个数。将结果表示于表1中。＜比较例1＞对在表面具有水蒸气透过率为5×10－6g/m2/天的屏蔽层的50mm见方的挠曲性基材不进行特别的处理，夹隔着材质为具有自粘合性的硅树脂的粘接层，将挠曲性基材的不具有屏蔽层的面贴附于作为支撑基板的铝板并在180℃在热板上实施1小时的热处理。与实施例1同样地研究了直径1mm以上的气泡的个数。将结果表示于表1中。[表1]由气泡造成的变形实施例1A比较例1BA：直径1mm以上的气泡连一个也未发现，挠曲性基材没有从支撑基板翘起。B：产生一个以上的直径1mm以上的气泡，挠曲性基材从支撑基板翘起。符号的说明1有机EL器件，10支撑基板，12粘接层，20器件主体部，21阳极层，22空穴注入层，23空穴传输层，24发光层，28电子传输层，25电子注入层，26阴极层，27挠曲性基材。当前第1页1 2 3