本发明涉及功率放大模块。
背景技术：
以便携式电话等移动通信终端的高密度安装为背景，正在发展在同一布线基板对天线开关、输入开关、输出开关、双工器、功率放大器、低噪声放大器、以及匹配电路等各种部件进行表面安装。日本特开2014-207252号公报提及了一种功率放大模块，该功率放大模块安装功率放大器、对功率放大器的动作进行控制的控制电路、以及将多个输出信号路径中的任一个与放大器的输出端子选择性地进行连接的输出开关。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-207252号公报
技术实现要素：
发明要解决的课题
但是，现有的功率放大模块由于对搭载在布线基板的各种部件单独进行布线连接，所以具有布线连接变得繁杂这样的问题。此外，若在布线基板对各种部件进行高密度安装，则由于电磁耦合等而难以确保输入输出信号间的隔离度。
因此，本发明鉴于这样的问题，其课题在于，消除对各种部件单独进行布线连接的繁杂性，并且确保输入输出信号间的充分的隔离度。
用于解决课题的技术方案
为了解决上述的课题，本发明涉及的功率放大模块具备：(i)输出级放大器；(ii)驱动级放大器，级联连接在输出级放大器的前级；(iii)输入开关，将多个输入信号路径中的任一个与驱动级放大器的输入端子选择性地进行连接；(iv)输出开关，将多个输出信号路径中的任一个与输出级放大器的输出端子选择性地进行连接；(v)输入匹配电路，将输入开关与驱动级放大器进行连接；(vi)级间匹配电路，将驱动级放大器与输出级放大器进行连接；(vii)输出匹配电路，将输出级放大器与输出开关进行连接；以及(viii)控制电路，对驱动级放大器以及输出级放大器的动作进行控制。在此，输入开关、输出开关以及控制电路集成化在IC芯片，并在输入开关与输出开关之间配置有控制电路。
发明效果
根据本发明涉及的功率放大模块，能够消除对各种部件单独进行布线连接的繁杂性，并且能够确保输入输出信号间的充分的隔离度。
附图说明
图1是示出本实施方式1涉及的功率放大模块的结构的说明图。
图2是示出本实施方式1涉及的功率放大模块的各构成部件的布局关系的说明图。
图3是示出本实施方式1涉及的功率放大模块的接地面的位置关系的说明图。
图4是示出本实施方式2涉及的功率放大模块的各构成部件的布局关系的说明图。
图5是示出本实施方式2涉及的功率放大模块的接地面的位置关系的说明图。
图6是示出本实施方式3涉及的功率放大模块的各构成部件的布局关系的说明图。
图7是示出本实施方式4涉及的功率放大模块的各构成部件的布局关系的说明图。
图8是示出本实施方式5涉及的功率放大模块的各构成部件的布局关系的说明图。
图9是示出本实施方式6涉及的功率放大模块的各构成部件的布局关系的说明图。
图10是示出本实施方式7涉及的功率放大模块的结构的说明图。
图11是示出本实施方式7涉及的功率放大模块的各构成部件的布局关系的说明图。
附图标记说明
M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7：功率放大模块，SW1：输入开关，SW2：输出开关，MN1：输入匹配电路，MN2：级间匹配电路，MN3：输出匹配电路，PA1：驱动级放大器，PA2：输出级放大器，CU：控制电路，DPX1、DPX2、DPX3、DPX4：双工器，ANT-SW：天线开关。
具体实施方式
以下，参照各图对本发明的实施方式进行说明。在此，同一附图标记表示同一构件，并省略重复的说明。
图1是示出本实施方式1涉及的功率放大模块M1的结构的说明图。功率放大模块M1是在便携式电话等移动通信终端中将输入信号的功率放大至发送到基站所需的水平的高频模块。在此，输入信号例如是通过RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)等根据给定的通信方式而进行了调制的RF(Radio Frequency，射频)信号。
功率放大模块M1具备驱动级放大器PA1、输出级放大器PA2、输入开关SW1、输出开关SW2、输入匹配电路MN1、级间匹配电路MN2、输出匹配电路MN3以及控制电路CU。驱动级放大器PA1级联连接在输出级放大器PA2的前级。输入开关SW1具备多个输入端子P11、P12和输出端子P13，在多个输入端子P11、P12与输出端子P13之间选择性地建立信号路径。输入端子P11、P12分别与输入信号路径Sin1、Sin2连接。输出端子P13与驱动级放大器PA1的输入端子P21连接。输入开关SW1将多个输入信号路径Sin1、Sin2中的任一个与驱动级放大器PA1的输入端子P21选择性地进行连接。驱动级放大器PA1将输入到其输入端子P21的RF信号进行放大，并从其输出端子P22输出。从驱动级放大器PA1的输出端子P22输出的RF信号输入到输出级放大器PA2的输入端子31。输出级放大器PA2将输入到其输入端子P31的RF信号进一步放大，并从其输出端子P32输出。
输出开关SW2具备输入端子P41和多个输出端子P42、P43、P44、P45，在输入端子P41与多个输出端子P42、P43、P44、P45之间选择性地建立信号路径。输入端子P41与输出级放大器PA2的输出端子P32连接。输出端子P42、P43、P44、P45分别与输出信号路径Tx1、Tx2、Tx3、Tx4连接。输出开关SW2将多个输出信号路径Tx1、Tx2、Tx3、Tx4中的任一个与输出级放大器PA2的输出端子P32选择性地进行连接。这样，通过多个输入信号路径Sin1、Sin2中的任一个输入到功率放大模块M1的RF信号在被放大后通过多个输出信号路径Tx1、Tx2、Tx3、Tx4中的任一个输出。
输入匹配电路MN1将输入开关SW1与驱动级放大器PA1进行连接，并使两者间的阻抗匹配。级间匹配电路MN2将驱动级放大器PA1与输出级放大器PA2进行连接，并使两者间的阻抗匹配。输出匹配电路MN3将输出级放大器PA2与输出开关SW2进行连接，并使两者间的阻抗匹配。控制电路CU对输入开关SW1、输出开关SW2、驱动级放大器PA1以及输出级放大器PA2的动作进行控制。例如，控制电路CU对驱动级放大器PA1以及输出级放大器PA2的偏置点进行控制，或者对输入开关SW1以及输出开关SW2的开关动作进行控制。
另外，需要注意的是，图1只不过是示出构成功率放大模块M1的各部件的连接关系，并不是示出安装上的布局关系。此外，为了便于说明，例示了放大器的连接级数为2的情况，但是连接级数也可以为3以上。
图2是示出功率放大模块M1的各构成部件的布局关系的说明图。功率放大模块M1的各构成部件配置在基板100。基板100也被称为布线基板或安装基板。输入开关SW1、输出开关SW2以及控制电路CU集成化在单个IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片C1。在此，附图标记10、20、30分别示出配置输入开关SW1、输出开关SW2以及控制电路CU的区域。控制电路CU配置在输入开关SW1与输出开关SW2之间。驱动级放大器PA1以及输出级放大器PA2集成化在单个IC芯片C2。附图标记40示出配置输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2的区域。此外，附图标记50示出配置输出匹配电路MN3的区域。另外，在从与基板100的安装面垂直的方向观察时，IC芯片C1、C2构成具有四个边的形状(例如，长方形或正方形等矩形)。另外，为了便于说明，省略了分别对IC芯片C1、C2、输入匹配电路MN1、级间匹配电路MN2以及输出匹配电路MN3进行连接的布线的图示。
IC芯片C2配置在输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2(区域40)与输出匹配电路MN3(区域50)之间。为了便于说明，将输入开关SW1(区域10)、控制电路CU(区域30)以及输出开关SW2(区域20)的排列方向称为排列方向D1。将IC芯片C2的四个边中的与排列方向D1大致平行且与IC芯片C1最接近的边称为边L1。此外，将IC芯片C2的四个边中的与输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2(区域40)最接近的边称为边L2。此外，将IC芯片C2的四个边中的与输出匹配电路MN3(区域50)最接近的边称为边L3。此时，边L2和边L3将边L1置于中间而对置。即，输入匹配电路MN1和级间匹配电路MN2(区域40)、IC芯片C2以及输出匹配电路MN3(区域50)的排列方向与排列方向D1平行。此外，将IC芯片C1的四个边中的与排列方向D1大致垂直且与输入开关SW1(区域10)最接近的边称为边L4。将IC芯片C1的四个边中的与排列方向D1大致垂直且与输出开关SW2(区域20)最接近的边称为边L5。此时，边L2以及边L4配置在功率放大模块M1的相同侧(在图2所示的例子中为左侧)，边L3以及边L5配置在功率放大模块MI的相同侧(在图2所示的例子中为右侧)。
图3是示出功率放大模块M1的接地面的位置关系的说明图。在IC芯片C1的两个主面中的与基板100相接的主面(例如，背面)的输入开关SW1(区域10)与输出开关SW2(区域20)之间形成有接地面G1。此外，在IC芯片C2的两个主面中的与基板100相接的主面(例如，背面)形成有接地面G2。在基板100中，埋设有接地层G3，接地面G1、G2与接地层G3通过过孔(未图示)电连接。
根据实施方式1涉及的功率放大模块M1，由于输入开关SW1(区域10)、输出开关SW2(区域20)以及控制电路CU(区域30)集成化在单个IC芯片C1，所以无需通过导线、设置在基板100上的布线对它们进行连接。由此，能够削减搭载在基板100的部件的件数，能够实现小型化以及低成本化。此外，通过在输入开关SW1(区域10)与输出开关SW2(区域20)之间形成控制电路CU(区域30)，从而控制电路CU(区域30)抑制输入开关SW1(区域10)与输出开关SW2(区域20)之间的电磁耦合，能够确保两者间的充分的隔离度。由此，能够抑制功率放大模块M1的无用的振荡动作。特别是，通过在输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2(区域40)与输出匹配电路MN3(区域50)之间配置IC芯片C2，从而能够确保输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2与输出匹配电路MN3之间的充分的隔离度。此外，通过将输入开关SW1(区域10)、输入匹配电路MN1(区域40)以及级间匹配电路MN2(区域40)配置在功率放大模块M1的相同侧，并将输出开关SW2(区域20)以及输出匹配电路MN3(区域50)配置在功率放大模块M1的相同侧，从而能够提高隔离效果。此外，通过在IC芯片C1的背面的输入开关SW1(区域10)与输出开关SW2(区域20)之间形成接地面G1，并在IC芯片C2的背面形成接地面G2，从而能够提高隔离效果。与接地面G1、G2连接的接地层G3优选形成为，在从与基板100的安装面垂直的方向观察时，将功率放大模块M1的各构成部件彼此之间(特别是，输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2(区域40)与输出匹配电路MN3(区域50)之间)隔开。由此，能够进一步提高隔离效果。另外，图3的附图标记SL1示出RF信号通过的信号路径。与离散地配置了功率放大模块M1的各构成部件的现有的结构相比较，根据实施方式1涉及的功率放大模块M1，能够将信号路径SL1的长度设为所需最小限度，因此具有能够降低插入损耗这样的优点。
图4是示出实施方式2的功率放大模块M2的各构成部件的布局关系的说明图。功率放大模块M2与实施方式1的不同点在于，代替实施方式1的IC芯片C1、C2而具备IC芯片C3。其中，功率放大模块M2的各构成部件的连接关系与图1所示的连接关系相同。
在图4中，附图标记60、70分别示出形成驱动级放大器PA1以及输出级放大器PA2的区域。输入开关SW1(区域10)、输出开关SW2(区域20)、控制电路CU(区域30)、驱动级放大器PA1(区域60)以及输出级放大器PA2(区域70)集成化在单个IC芯片C3。IC芯片C3在输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2(区域40)与输出匹配电路MN3(区域50)之间，倒装芯片安装在基板100。另外，为了便于说明，省略了分别对IC芯片C3、输入匹配电路MN1、级间匹配电路MN2以及输出匹配电路MN3进行连接的布线的图示。
在输入开关SW1(区域10)与输出开关SW2(区域20)之间形成有控制电路CU(区域30)。在输入开关SW1(区域10)与控制电路CU(区域30)之间，形成有驱动级放大器PA1(区域60)和/或输出级放大器PA2(区域70)。在输入开关SW1(区域10)、驱动级放大器PA1(区域60)以及输出级放大器PA2(区域70)与输出开关SW2(区域20)之间，形成有控制电路CU(区域30)。将IC芯片C3的四个边中的与输入开关SW1(区域10)以及驱动级放大器PA1(区域60)最接近的边称为边L6，将与输出级放大器PA2(区域70)最接近的边称为边L7。此时，边L6与边L7对置。
图5是示出功率放大模块M2的接地面的位置关系的说明图。在IC芯片C3的两个主面中的与基板100相接的主面(例如，背面)形成有接地面G4。在基板100中，埋设有接地层G5，接地面G4与接地层G5通过过孔(未图示)电连接。
根据实施方式2涉及的功率放大模块M2，由于输入开关SW1(区域10)、输出开关SW2(区域20)、控制电路CU(区域30)、驱动级放大器PA1(区域60)以及输出级放大器PA2(区域70)集成化在单个IC芯片C3，所以无需通过导线、设置在基板100上的布线对它们进行连接。由此，能够削减搭载在基板100的部件的件数，能够实现小型化以及低成本化。特别是，在实施方式2中，与实施方式1相比，更能够削减搭载在基板100的部件的件数，因此具有容易进行IC芯片C3向基板100的倒装芯片安装的优点。此外，通过在IC芯片C3的背面形成接地面G4，从而能够确保输入输出信号间的充分的隔离度。与接地面G4连接的接地层G5优选形成为，在从与基板100的安装面垂直的方向观察时，将功率放大模块M2的各构成部件彼此之间(特别是，输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2与输出匹配电路MN3之间)隔开。由此，能够进一步提高隔离效果。另外，图4的附图标记SL2示出RF信号通过的信号路径。与离散地配置了功率放大模块M2的各构成部件的现有的结构相比较，根据实施方式2涉及的功率放大模块M2，能够将信号路径SL2的长度设为所需最小限度，因此具有能够降低插入损耗这样的优点。
图6是示出实施方式3的功率放大模块M3的各构成部件的安装上的布局关系的说明图。在功率放大模块M3中，区域10、60间的相对位置关系以及区域40、50间的相对位置关系与实施方式2的功率放大模块M2不同。其中，功率放大模块M3的各构成部件的连接关系与图1所示的连接关系相同。此外，在实施方式3中，也与实施方式2同样地，IC芯片C3具有接地面G4，在基板100中，埋设有接地层G5，接地面G4与接地层G5通过过孔(未图示)电连接。此外，为了便于说明，省略了分别对IC芯片C3、输入匹配电路MN1(区域40)、级间匹配电路MN2(区域40)以及输出匹配电路MN3(区域50)进行连接的布线的图示。在以下的说明中，以实施方式2、3的不同点为中心进行说明，并省略关于两者的共同点的详细说明。
在驱动级放大器PA1(区域60)和/或输出级放大器PA2(区域70)与控制电路CU(区域30)之间配置有输入开关SW1(区域10)。为了便于说明，将驱动级放大器PA1(区域60)、输入开关SW1(区域10)、控制电路CU(区域30)以及输出开关SW2(区域20)的排列方向称为排列方向D2。将IC芯片C3的四个边中的与排列方向D2大致平行且与输出级放大器PA2最接近的边称为边L8。此外，将IC芯片C3的四个边中的与边L8正交且与驱动级放大器PA1(区域60)最接近的边称为边L9。此时，输出匹配电路MN3(区域50)与边L8平行地配置，且与IC芯片C3的四个边中的边L8最接近。此外，输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2(区域40)与边L9平行地配置，且与IC芯片C3的四个边中的边L9最接近。
根据实施方式3涉及的功率放大模块M3，能够在相互正交的两个方向上形成输入输出信号的布线，因此能够确保输入输出信号间的充分的隔离度。另外，图6的附图标记SL3示出RF信号通过的信号路径。与离散地配置了功率放大模块M3的各构成部件的现有的结构相比较，根据实施方式3涉及的功率放大模块M3，能够将信号路径SL3的长度设为所需最小限度，因此具有能够降低插入损耗这样的优点。
图7是示出实施方式4涉及的功率放大模块M4的各构成部件的安装上的布局关系的说明图。功率放大模块M4与实施方式1的功率放大模块M1的不同点在于，不具备输入开关SW1。其中，功率放大模块M4的各构成部件的连接关系与图1所示的连接关系相同。在以下的说明中，以实施方式1、4的不同点为中心进行说明，省略关于两者的共同点的详细说明。
输出开关SW2(区域20)以及控制电路CU(区域30)集成化在单个IC芯片C4。驱动级放大器PA1以及输出级放大器PA2集成化在单个IC芯片C5。其中，需要注意的是，省略了分别对IC芯片C4、C5、输入匹配电路MN1(区域40)、级间匹配电路MN2(区域40)以及输出匹配电路MN3(区域50)进行连接的布线的图示。为了便于说明，将控制电路CU(区域30)以及输出开关SW2(区域20)的排列方向称为排列方向D3。将IC芯片C5的四个边中的与排列方向D3大致平行且与IC芯片C4最接近的边称为边L10。将IC芯片C5的四个边中的与输入匹配电路MN1(区域40)以及级间匹配电路MN2(区域40)最接近的边称为边L11。将IC芯片C5的四个边中的与输出匹配电路MN3(区域50)最接近的边称为边L12。此时，边L11与边L12将边L10置于中间而对置。此外，将IC芯片C4的四个边中的与排列方向D3大致垂直且与控制电路CU(区域30)最接近的边称为边L13。将IC芯片C4的四个边中的与排列方向D3大致垂直且与输出开关SW2(区域20)最接近的边称为边L14。此时，边L11以及边L13配置在功率放大模块M4的相同侧(在图7所示的例子中为左侧)，且边L12以及边L14配置在功率放大模块M4的相同侧(在图7所示的例子中为右侧)。
根据实施方式4涉及的功率放大模块M4，由于输出开关SW2(区域20)以及控制电路CU(区域30)集成化在单个IC芯片C4，所以无需通过导线、设置在基板100上的布线对它们进行连接。由此，能够削减搭载在基板100的部件的件数，能够实现小型化以及低成本化。此外，通过在输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2(区域40)与输出匹配电路MN3(区域50)之间配置IC芯片C5，从而能够确保输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2(区域40)与输出匹配电路MN3(区域50)之间的充分的隔离度。此外，通过将输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2(区域40)配置在功率放大模块M4的相同侧，并将输出开关SW2(区域20)以及输出匹配电路MN3(区域50)配置在功率放大模块M4的相同侧，从而能够确保输入输出信号间的充分的隔离度。另外，图7的附图标记SL4示出RF信号通过的信号路径。与离散地配置了功率放大模块M4的各构成部件的现有的结构相比较，根据实施方式4涉及的功率放大模块M4，能够将信号路径SL4的长度设为所需最小限度，因此具有能够降低插入损耗这样的优点。
图8是示出实施方式5涉及的功率放大模块M5的各构成部件的安装上的布局关系的说明图。功率放大模块M5与实施方式4的不同点在于，代替实施方式4的IC芯片C4、C5而具备IC芯片C6。其中，功率放大模块M5的各构成部件的连接关系与图1所示的连接关系相同。
驱动级放大器PA1(区域60)、输出级放大器PA2(区域70)、控制电路CU(区域30)以及输出开关SW2(区域20)集成化在单个IC芯片C6。其中，需要注意的是，省略了分别对IC芯片C6、输入匹配电路MN1(区域40)、级间匹配电路MN2(区域40)以及输出匹配电路MN3(区域50)进行连接的布线的图示。IC芯片C6被倒装芯片安装在基板100。在驱动级放大器PA1(区域60)以及输出级放大器PA2(区域70)与输出开关SW2(区域20)之间形成有控制电路CU(区域30)。此外，将IC芯片C6的四个边中的与输出级放大器PA2(区域70)以及输出匹配电路MN3(区域50)最接近的边称为边L15，将与驱动级放大器PA1(区域60)、输入匹配电路MN1(区域40)以及级间匹配电路MN2(区域40)最接近的边称为边L16。此时，边L15与边L16对置。
根据实施方式5涉及的功率放大模块M5，由于输出开关SW2(区域20)，控制电路CU(区域30)、驱动级放大器PA1(区域60)以及输出级放大器PA2(区域70)集成化在单个IC芯片C6，所以无需通过导线、设置在基板100上的布线对它们进行连接。由此，能够削减搭载在基板100的部件的件数，能够实现小型化以及低成本化。特别是，在实施方式5中，与实施方式4相比，更能够削减搭载在基板100的部件的件数，因此具有容易进行IC芯片C6向基板100的倒装芯片安装的优点。因为IC芯片C6配置在输入匹配电路MN1以及级间匹配电路MN2(区域40)与输出匹配电路MN3(区域50)之间，所以能够确保输入输出信号间的充分的隔离度。另外，图8的附图标记SL5示出RF信号通过的信号路径。与离散地配置了功率放大模块M5的各构成部件的现有的结构相比较，根据实施方式5涉及的功率放大模块M5，能够将信号路径SL5的长度设为所需最小限度，因此具有能够降低插入损耗这样的优点。
图9是示出实施方式6的功率放大模块M6的各构成部件的安装上的布局关系的说明图。在功率放大模块M6中，区域40、50间的相对位置关系与实施方式5的功率放大模块M5不同。其中，功率放大模块M6的各构成部件的连接关系与图1所示的连接关系相同。将IC芯片C6的四个边中的与驱动级放大器PA1(区域60)、输入匹配电路MN1(区域40)以及级间匹配电路MN2(区域40)最接近的边称为边L17。此时，边L15与边L17大致正交。
根据实施方式6涉及的功率放大模块M6，能够在相互正交的两个方向上形成输入输出信号的布线，因此能够确保输入输出信号间的充分的隔离度。另外，图9的附图标记SL6示出RF信号通过的信号路径。与离散地配置了功率放大模块M6的各构成部件的现有的结构相比较，根据实施方式6涉及的功率放大模块M6，能够将信号路径SL6的长度设为所需最小限度，因此具有能够降低插入损耗这样的优点。
图10是示出本实施方式7涉及的功率放大模块M7的结构的说明图。功率放大模块M7与实施方式1的功率放大模块M1的不同点在于，具备多个双工器DPX1、DPX2、DPX3、DPX4和天线开关ANT-SW。天线开关ANT-SW具备与双工器DPX1、DPX2、DPX3、DPX4分别连接的端子P51、P52、P53、P54和与天线ANT连接的天线端子P55。天线开关ANT-SW通过在多个端子P51、P52、P53、P54与天线端子P55之间选择性地建立信号路径，从而将多个输出信号路径Tx1、Tx2、Tx3、Tx4中的任一个与天线端子P55选择性地进行连接。控制电路CU对天线开关ANT-SW的开关动作进行控制。
双工器DPX1将通过输出信号路径Tx1输入到双工器DPX1的RF信号(发送信号)和从天线开关ANT-SW的端子P51输入到双工器DPX1的RF信号(接收信号)进行分离。同样地，双工器DPX2、DPX3、DPX4将发送信号和接收信号进行分离。被双工器DPX1、DPX2、DPX3、DPX4进行了滤波的接收信号分别通过接收信号路径Rx1、Rx2、Rx3、Rx4。
图11是示出功率放大模块M7的各构成部件的安装上的布局关系的说明图。在此，附图标记80、91、92、93、94分别示出配置天线开关ANT-SW、以及双工器DPX1、DPX2、DPX3、DPX4的区域。驱动级放大器PA1(区域60)、输出级放大器PA2(区域70)、输入开关SW1(区域10)、输出开关SW2(区域20)、控制电路CU(区域30)以及天线开关ANT-SW(区域80)集成化在单个IC芯片C7。其中，需要注意的是，省略了分别对IC芯片C7、双工器DPX1(区域91)、DPX2(区域92)、DPX3(区域93)、DPX4(区域94)、输入匹配电路MN1(区域40)、级间匹配电路MN2(区域40)以及输出匹配电路MN3(区域50)进行连接的布线的图示。IC芯片C7被倒装芯片安装在基板100。IC芯片C7配置在配置双工器DPX1、DPX2的区域91、92与配置双工器DPX3、DPX4的区域93、94之间。在输入开关SW1(区域10)与输出开关SW2(区域20)之间形成控制电路CU(区域30)。此外，在IC芯片C7的两个主面中的与基板100相接的主面(例如，背面)的输出开关SW2(区域20)与天线开关ANT-SW(区域80)之间形成有接地面G6。在基板100中，埋设有接地层G7，接地面G6与接地层G7通过过孔(未图示)电连接。另外，输入开关SW1(区域10)、输出开关SW2(区域20)、控制电路CU(区域30)、驱动级放大器PA1(区域60)以及输出级放大器PA2(区域70)的相对位置关系与实施方式3相同，因此省略其详细说明。
根据实施方式7涉及的功率放大模块M7，由于驱动级放大器PA1(区域60)、输出级放大器PA2(区域70)、输入开关SW1(区域10)、输出开关SW2(区域20)、控制电路CU(区域30)以及天线开关ANT-SW(区域80)集成化在单个IC芯片C7，所以无需通过导线、设置在基板100上的布线对它们进行连接。由此，能够削减搭载在基板100的部件的件数，能够实现小型化以及低成本化。此外，通过在输入开关SW1(区域10)与输出开关SW2(区域20)之间配置控制电路CU(区域30)，从而控制电路CU(区域30)抑制输入开关SW1(区域10)与输出开关SW2(区域20)之间的电磁耦合，能够确保两者间的充分的隔离度。由此，能够抑制功率放大模块M7的无用的振荡动作。特别是，通过在输出开关SW2(区域20)与天线开关ANT-SW(区域80)之间形成接地面G6，从而能够提高两者间的隔离度。此外，通过将IC芯片C7的背面的接地面G6与基板100的接地层G7进行连接，从而能够确保输出开关SW2与天线开关ANT-SW(区域80)之间的充分的隔离度。与接地面G6连接的接地层G7优选形成为，在从与基板100的安装面垂直的方向观察时，将功率放大模块M7的各构成部件彼此之间(特别是，区域40与区域91、92之间、以及区域50与区域93、94之间)隔开。由此，能够进一步提高隔离效果。另外，图11的附图标记SL7示出RF信号通过的信号路径。与离散地配置了功率放大模块M7的各构成部件的现有的结构相比较，根据实施方式7涉及的功率放大模块M7，能够将信号路径SL7的长度设为所需最小限度，因此具有能够降低插入损耗这样的优点。
另外，为了对IC芯片C1至C7进行区分，有时将IC芯片Ci称为第iIC芯片(其中，i为1至7的整数)。此外，为了对边L1至边L17进行区分，有时将边Lj称为第j边(其中，j为1至17的整数)。此外，在对接地面G1、G2进行区分的情况下，有时将接地面G1称为第一接地面，将接地面G2称为第二接地面。
以上说明的实施方式用于使本发明容易理解，并非用于对本发明进行限定解释。本发明能够在不脱离其主旨的情况下进行变更或改良，并且本发明还包含其等价物。即，只要具备本发明的特征，则本领域技术人员对实施方式施加了适当的设计变更的方式也包含于本发明的范围。实施方式具备的元件及其配置等并不限定于例示的元件及其配置等，能够适当地进行变更。