本实用新型涉及一种基于LTCC的带封装壳体的滤波器结构。
背景技术：
低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic LTCC)，是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术，已经成为无源集成的主流技术，成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。
半导体组装技术(Assembly technology)的提高主要体现在它的封装型式(Package)不断发展。通常所指的组装(Assembly)可定义为：利用膜技术及微细连接技术将半导体芯片(chip)和框架(Lead-Frame)或基板(Substrate)或塑料薄片(Film)或印刷线路板中的导体部分连接以便引出接线引脚，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺技术。半导体器件的封装型式，大概有三次重大的革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩正封装的出现，它不但满足了市场高引脚的需求，而且大大地改善了半导体器件的性能；晶片级封装、系统封装、芯片级封装是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装减到最小。
目前，芯片级封装主要采用多层板设计并以铝腔等方式封装，这种封装方式，体积大，不容易集成。基于上述的封装方式，一般采用单片级联，滤波器的频率高，与其他器件级联时容易出现失配从而影响技术指标。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种基于LTCC的带封装壳体的滤波器结构，封装产品体积小，且能够简化封装工艺及封装材料。
本实用新型所采用的技术方案是：一种基于LTCC的带封装壳体的滤波器结构，包括低温共烧陶瓷基板，低温共烧陶瓷基板上联接有滤波器，低温共烧陶瓷基板上方设置有边框能够包覆低温共烧陶瓷基板的封装框，封装框上设置有与封装框匹配的盖板，直接将滤波器埋入低温共烧陶瓷基板，并在低温共烧陶瓷基板上设置封装框，使得封装后的产品体积小且易于与外部组件级联，适用于毫米波多芯片组件应用。
进一步地，封装框包括至少一个框架结构，框架结构之间通过边框连接，适用多功能的封装器件。
进一步地，低温共烧陶瓷基板包括相互连接的至少两层低温共烧陶瓷基板，滤波器背埋在中间层的低温共烧陶瓷基板上，且滤波器的接头延伸至最外层的低温共烧陶瓷基板，实现了金属孔接地以及屏蔽的功能，并实现了多层间的过渡与互连。
进一步地，封装框为铜制封装框。
进一步地，盖板为铜制盖板。
本实用新型的有益效果是：
(1)直接将滤波器埋入低温共烧陶瓷基板，并在低温共烧陶瓷基板上设置封装框，简化封装工艺及封装材料，使得封装后的产品体积小且易于与外部组件级联，适用于毫米波多芯片组件应用。
(2)滤波器的接头延伸至最外层的低温共烧陶瓷基板，实现了金属孔接地以及屏蔽的功能，并实现了多层间的过渡与互连。
附图说明
图1是本实用新型焊接封装框后的基板结构示意图。
图2是本实用新型的焊接盖板后的实物图。
图3是本实用新型的LTCC封装结构图。
图4是本实用新型的滤波器仿真曲线图。
图中标记为：1-低温共烧陶瓷基板，2-滤波器，3-盖板，4-封装框，5-框架结构，6-滤波器的仿真曲线，7-过渡段带来的电容电感效应曲线。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
实施例1：
本实用新型的一种基于LTCC的带封装壳体的滤波器2结构，以Ka波段带通滤波器2、8层低温共烧陶瓷基板1为例，如图3所示，首先将滤波器2背埋入第4层基板中，并与第5层耦合，采用同轴的方式过渡到第8层，使滤波器2实现了金属孔接地以及屏蔽的功能，同时实现了多层间射频设计无源器件的过渡与互连，降低滤波器2的驻波以及损耗，还可以将其他元器件焊接在低温共烧陶瓷基板1上；其次，根据低温共烧陶瓷基板1的尺寸及功能分区需要确定框架结构5数量及尺寸，将多个框架结构5用铜一体成型形成封装框4，将封装框4的外边框焊接在低温共烧陶瓷基板1的边缘，中间分区框架焊接在低温共烧陶瓷基板1上，使其焊接在低温共烧陶瓷基板1上的元器件能够处于相应的框架结构5内，达到分块封装的目的，焊接完成后如图1所示，最后在封装框4上焊接铜制盖板3，焊接盖板3后的实物图如图2所示，即完成整个封装过程。同时，如图4所示，滤波器的仿真曲线6出现频偏，仿真时应将图4中所示的过渡段带来的电容电感效应曲线7对应的电容电感效应加入仿真。