本申请涉及电路技术领域，尤其涉及一种调光电路及其发光装置。
背景技术：
目前，利用可控硅对发光二极管(Light Emitting Diode,LED)进行调光是常见的LED调光技术之一。然而，在可控硅调光电路中，在通过可控硅调光器改变光的亮度时，在改变光的亮度时输入电压和电流也会瞬间变化大，容易在电路中产生震荡从而导致电路无法正常工作。
为了解决这个问题，现有技术往往通过添加吸收电路来消除上述这种震荡，即可以通过添加RC吸收电路消除这种震荡，提升电路的稳定性。如图1 所示为可控硅的调光电路，包括：可控硅调光器D、整流电路DB1、用于差模滤波的电容CX1、用于高频滤波的电容C1以及RC吸收电路R1和C2。如图 2所示，为加了震荡消除电路R1和C2之前和之后电路中电流和电压瞬间变化大时的变化示意图，显然，在加了RC吸收电路R1和C2之后，能够缓解电路中电流和电压瞬间变化大时对电路产生的震荡。
在上述场景中，由于RC电路中电阻R的存在，也就必然会导致整个电路功率损耗的增加。
技术实现要素：
本申请实施例提供一种调光电路及其发光装置，用于解决现有的调光电路中，由于吸收电路中电阻的存在导致整个调光电路的功率损耗增加的问题。
本申请实施例提供一种调光电路，包括：调光器、整流电路和吸收电路，其中：
所述调光器的输出端与所述整流电路的输入端连接，所述整流电路的输出端与所述吸收电路的输入端连接；
所述吸收电路包括第一电容、第一电阻和控制开关模块，所述控制开关模块与所述第一电阻并联。
优选地，所述控制开关模块包括反向二极管、金属氧化物半导体场效应管、第二电容和第二电阻，其中，
所述第一电阻的一端与所述反向二极管的正极连接，所述反向二极管的负极与所述金属氧化物半导体场效应管的漏极连接，所述第一电阻的另一端与所述金属氧化物半导体场效应管的源极连接；
所述第二电容的两端分别与所述金属氧化物半导体场效应管的栅极和所述金属氧化物半导体场效应管的源极连接，所述第二电阻与所述第二电容并联。
优选地，所述控制开关模块包括三极管、第二电容和第二电阻，其中，
所述第一电阻的一端与所述三极管的集电极连接，所述第一电阻的另一端与所述三极管的发射极连接；
所述第二电容的两端分别与所述三极管的基极和发射极连接，所述第二电阻与所述第二电容并联。
优选地，所述金属氧化物半导体场效应管为N型金属氧化物半导体场效应管。
优选地，当所述第二电容充电达到所述金属氧化物半导体场效应管的栅极开启电压时，所述金属氧化物半导体场效应管处于导通状态。
优选地，所述控制开关模块包括SCR可控硅整流元件、第二电容和第二电阻，其中，
所述第一电阻的一端与所述SCR的阳极连接，所述第一电阻的另一端与所述SCR的阴极连接；
所述第二电容的两端分别与所述SCR的控制极和所述SCR的阴极连接；所述第二电阻与所述第二电容并联。
优选地，当所述第二电容充电达到所述SCR的控制极开启电压时，所述 SCR处于导通状态。
优选地，所述调光电路还包括第三电容和第四电容，其中，
所述第三电容的两端分别与所述整流电路的两个输入端连接；
所述整流电路的两个直流输出端分别与所述第四电容的两端连接；
所述第四电容与所述吸收电路并联。
优选地，所述控制开关模块包括数字开关。
本申请实施例还提供一种发光装置，包括上述所述的调光电路和灯具。
本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
本申请实施例提供的调光电路，包括调光器、整流电路和吸收电路，其中吸收电路包括第一电容、第一电阻和控制开关模块，由于控制开关模块与第一电阻的并联，当该控制开关模块处于导通状态时，由于第一电阻处于短路状态，该调光电路中的主要电流将不会流经该第一电阻，也就能够减少该吸收电路中第一电阻的功率损耗。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为现有技术中的一种调光电路的结构示意图；
图2为现有技术中的调光电路在加了吸收电路前后的调光时电流电压的变化对比图；
图3为本申请实施例提供的一种调光电路的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种调光电路的具体实现方式的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的另一种调光电路的具体实现方式的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的再一种调光电路的具体实现方式的结构示意图。
具体实施方式
为了解决现有技术中存在的上述问题，本申请实施例提供一种调光电路，及其装置，相较于现有技术而言，该调光电路在RC吸收电路上增加了控制开关模块，该控制开关模块RC吸收电路中的电阻并联，当该控制开关模块处于导通状态时，RC吸收电路中的电阻便处于短路状态，因此能够在控制开关模块处于导通状态时减小RC吸收电路中电阻的功率损耗。
下面结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参加图3，为本请实施例提供的一种调光电路的结构示意图。该调光电路包括：调光器D、整流电路DB1和吸收电路X加入标号，其中，调光器D 的输出端与整流电路DB1的输入端连接，整流电路DB1的输出端与吸收电路 X的输入端连接，吸收电路X包括第一电容C2、第一电阻R1和控制开关模块 Q，该控制开关模块Q与第一电阻R1并联。其中，调光器D可以是可控硅调光器。当该调光电路中的电流电压处于稳定状态时，可以通过控制控制开关模块Q的导通来减小吸收电路X中第一电阻R1的功率损耗。
其中，整流电路可以是整流桥，也就是桥式整流，该整流桥在实际应用中可以是全波整流和半波整流。
在实际应用中，该控制开关模块Q可以有以下三种实现方式：
第一种，请参见图4，该控制开关模块Q包括反向二极管D1、金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)Q1、第二电容C3和第二电阻R2，其中，第一电阻R1的一端与反向二极管D1的正极连接，反向二极管D1的负极与MOS管Q1的漏极连接，第一电阻R1的另一端与MOS 管的源极连接；第二电容C3的两端分别与MOS管Q1的栅极和MOS管Q1 的源极连接；第二电阻R2与第二电容C3并联。其中，这里的金属氧化物半导体场效应管为N型金属氧化物半导体场效应管。
当第一电容C2充电时，由于C3电容的充电延迟作用，MOS管Q1则会延迟导通，C2充电瞬间电流流经第一电阻R1，因此，此时R1能够起到吸收震荡的作用。
当第二电容C3充电达到MOS管Q1的栅极开启电压时，MOS管Q1则处于导通状态，在MOS管Q1处于导通状态时，第一电阻R1则处于短路的状态，此时，电路中的主要电流则只流经反向二极管D1和MOS管Q1，而由于MOS 管Q1的导通电阻较小，反向二极管D1的功率损耗也比较小，因此，此时在 MOS管Q1和反向二极管D1上的功率损耗则可以忽略不计，因此也就能够减小调光电路的功率损耗。
而当第一电容C2处于放电状态时，由于电路中反向二极管D1的存在，能够避免放电电流在MOS管中形成回路。
第二种，请参加图5，该控制开关模块包括三极管Q2、第二电容C3和第二电阻R2，其中，第一电阻R1的一端与三极管Q2的集电极连接，第一电阻 R1的另一端与三极管Q2的发射极连接；第二电容C3的两端分别与三极管Q2 的基极和发射极连接；第二电阻R2与第二电容C3并联。
当第二电容C3充电达到三极管Q2的栅极开启电压时，三极管Q2则处于导通状态，在三极管Q2处于导通状态时，第一电阻R1则处于短路的状态，此时，电路中的主要电流则只流经三极管Q2，而由于三极管Q2的导通电阻较小，因此，此时在三极管Q2上的功率损耗则可以忽略不计，因此也就能够减小调光电路的功率损耗。
第三种，请参加图6，该控制开关模块包括SCR可控硅整流元件Q3、第二电容C3和第二电阻R2，其中，所述第一电阻R1的一端与SCR的阳极连接，第一电阻R1的另一端与SCR的阴极连接；第二电容C3的两端分别与SCR的控制极和SCR的阴极连接；第二电阻R2与第二电容C3并联。
当第二电容C3充电达到SDR的控制极开启电压时，SDR处于导通状态，在SDR处于导通状态时，第一电阻R1则处于短路的状态，此时，电路中的主要电流则只流经SDR，而由于SDR的导通电阻较小，因此，此时在SDR上的功率损耗则可以忽略不计，因此也就能够减小调光电路的功率损耗。
可选的，上述控制开关模块在实际应用中还可以以数字开关来实现。
此外，为了滤除该电路中的差模干扰和高频干扰，该调光电路还可以包括第三电容CX1和第四电容C1，其中，第三电容CX1的两端分别与整流电路 DB1的两个输入端连接，该第三电容CX1用于滤除电路中的差模干扰；整流电路DB1的两个直流输出端分别与第四电容C1的两端连接，且第四电容C1 与吸收电路X并联，该第四电容C1用于滤除电路中的高频干扰。
本申请实施例提供的调光电路，包括调光器、整流电路和吸收电路，其中吸收电路包括第一电容、第一电阻和控制开关模块，由于控制开关模块与第一电阻的并联，当该控制开关模块处于导通状态时，由于第一电阻处于短路状态，该调光电路中的主要电流将不会流经该第一电阻，也就能够减少该吸收电路中第一电阻的功率损耗。
本申请实施例还提供一种灯具，所述灯具可以包括发光装置和上述调光电路。所述发光装置包括基板及设置于基板上的LED，所述灯具还包括灯体组设有所述发光装置及驱动组件设置有所述调光电路并电性连接所述发光装置。
本领域的技术人员应明白，尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。