一种埋入式电源模块结构的制作方法

文档序号:16287475发布日期:2018-12-14 23:23阅读:452来源:国知局
一种埋入式电源模块结构的制作方法

本实用新型涉及电源模块制作技术领域,具体涉及一种埋入式电源模块结构。



背景技术:

磁芯是电源模块必不可少的材料,埋入磁芯工艺,也是电源模块制作的关键工艺。目前,是市面上存在以下两种方式,均存在以下不足:

(1)磁芯粘接方式,将电源模块的绕组做在电路板内部,在布局磁芯的区域,电路板做开槽,一种磁芯分为上磁芯和下磁芯两部分,且两部分都是表露在电路板外部,通过粘接实现与电源模块连接;另一种是带磁芯的独立器件焊接,磁芯作为独立器件的一部分,通过焊接的方式与电源模块连接,该方式占用电路板的布局空间,不利于电源模块高密小型化设计;

(2)磁芯整体埋入方式,将整个磁芯全部埋入电路板内部,电源模块的绕组由电路板构成,磁芯所在的电路板上、下表层都可布局其它元器件,如电阻、电容等。该方式根据埋入电路板内部磁芯的摆放方式不同,又可以分为卧式埋磁和立式埋磁。该方法由于整个磁芯埋入电路板内部,不能通过散热器直接散热,不利于磁芯散热,从而导致整个电源模块的稳定性不佳。



技术实现要素:

本实用新型的目的是克服现有的磁芯整体埋入方式,不能通过散热器直接散热,不利于磁芯散热的问题。本实用新型的埋入式电源模块结构,将磁芯植入在PCB上基板、PCB下基板之间,为了良好的放置将磁芯,PCB上基板、PCB下基板形成EE结构或者EI结构,其增加了盲孔用于散热,提高散热效果,整个制作方法,简单有效,且埋入式电源模块结构体积小,制作成本低,具有良好的应用前景。

为了达到上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:

一种埋入式电源模块结构,包括PCB上基板和PCB下基板,所述PCB上基板的上表面粘接有电源模块芯片、电容,所述PCB下基板的上表面开设有等间隔分布的两个下开槽,各下开槽内植入有磁芯,所述PCB上基板焊接在PCB下基板的上方,所述磁芯的上表面延伸出或者齐平于PCB下基板的上表面,所述磁芯的绕线部分通过盲孔与分别与PCB上基板的上表面、PCB下基板的下表面相导通,所述盲孔内设置有电镀铜。

前述的一种埋入式电源模块结构,所述盲孔为激光钻孔或机械钻孔。

前述的一种埋入式电源模块结构,所述磁芯的上表面延伸出PCB下基板的上表面时,所述PCB上基板的下表面设置有等间隔分布的两个上开槽,所述上开槽位于对应的下开槽的正上方,所述PCB下基板与PCB上基板构成EE结构,所述上开槽用于放置磁芯的上表面延伸出PCB下基板的上表面的区域,所述

前述的一种埋入式电源模块结构,所述磁芯的上表面齐平于PCB下基板的上表面时,所述PCB上基板的下表面为平面,所述PCB下基板与PCB上基板构成EI结构。

前述的一种埋入式电源模块结构,所述PCB下基板的下表面设置散热铜片,所述散热铜片与盲孔相联通。

前述的一种埋入式电源模块结构,所述磁芯通过吸取贴合设备植入下开槽内。

本实用新型的有益效果是:本实用新型的埋入式电源模块结构,将磁芯植入在PCB上基板、PCB下基板之间,为了良好的放置将磁芯,PCB上基板、PCB下基板形成EE结构或者EI结构,其增加了盲孔用于散热,提高散热效果,整个制作方法,简单有效,且埋入式电源模块结构体积小,制作成本低,具有良好的应用前景。

附图说明

图1是本实用新型的埋入式电源模块结构一个实施例的结构示意图;

图2是本实用新型的埋入式电源模块结构另一个实施例的结构示意图。

附图中标记的含义如下:

1:PCB上基板;2:PCB下基板;201:散热铜片;3:电源模块芯片;4:电容;5:下开槽;6:磁芯;7:盲孔;8:上开槽。

具体实施方式

下面将结合说明书附图,对本实用新型作进一步的说明。

如图1所示,本实用新型的埋入式电源模块结构,包括PCB上基板1和PCB下基板2,所述PCB上基板1的上表面粘接有电源模块芯片3、电容4,PCB下基板2的上表面开设有等间隔分布的两个下开槽5,各下开槽5内植入有磁芯6,所述PCB上基板1焊接在PCB下基板2的上方,所述磁芯6的上表面延伸出或者齐平于PCB下基板2的上表面,所述磁芯6的绕线部分通过盲孔7与分别与PCB上基板1的上表面、PCB下基板2的下表面相导通,所述盲孔7内设置有电镀铜。

优选的,磁芯6通过吸取贴合设备植入下开槽5内。

优选的,PCB下基板2的下表面设置散热铜片201,散热铜片201与盲孔7相联通,盲孔7为激光钻孔或机械钻孔,加工方便,盲孔7内设置有电镀铜,从而使,埋入设计的磁芯6,能够良好的散热效果。

优选的,本实用新型的埋入式电源模块结构一个实施例,如图1所示,所述磁芯6的上表面延伸出PCB下基板2的上表面时,所述PCB上基板1的下表面设置有等间隔分布的两个上开槽8,所述上开槽8位于对应的下开槽5的正上方,所述PCB下基板2与PCB上基板1构成EE结构,该EE结构设计的好处能够降低PCB板钻孔加工难度,上开槽8用于放置磁芯6的上表面延伸出PCB下基板2的上表面的区域,

本实用新型的埋入式电源模块结构另一个实施例,如图2所示,所述磁芯6的上表面齐平于PCB下基板2的上表面时,所述PCB上基板1的下表面为平面,所述PCB下基板2与PCB上基板1构成EI结构,该EI结构设计的好,能够简化PCB制造流程,降低模块组装难度。

本实用新型的埋入式电源模块结构的制作方法,第一个实施例,包括以下步骤,

步骤(A1),根据电源模块结构的要求,选择待植入磁芯6的磁芯环厚度、绕线部分匝数,该步骤为现有技术;

步骤(B1),根据选择的磁芯6的磁芯环厚度、绕线部分匝数,分别计算PCB上基板1、PCB下基板2的厚度;

(B11),通过磁芯6的磁芯环厚度,得到磁芯6的磁通量μ和横截面积A,计算出有效磁路长度lc,

其中,L为电源模块结构所要求的电感量、n为磁芯6的绕线部分匝数;

(B12),根据有效磁路长度lc,计算得到PCB上基板1和PCB下基板2的整体板厚H,如下式所示,

H=(lc-2(W外半径+d))/2

其中,W外半径为磁芯环的外半径,d为保护距离,

且d<(PCB上基板1和PCB下基板2整体的短侧边E-2W外半径)/2,

根据整体板厚H,PCB上基板1的厚度为PCB下基板2的三分之二,从而分别得到PCB上基板1和PCB下基板2的厚度;

步骤(C1),在PCB下基板2的上表面开设有等间隔分布的两个下开槽5,各下开槽5的深度为磁芯环厚度0.2-0.5mm,各下开槽5的宽度比磁芯6的宽度大0.2-0.5mm;

步骤(D1),将磁芯6通过吸取贴合设备植入到对应的下开槽5内;

步骤(E1),将PCB上基板1焊接在PCB下基板2的上方,从而PCB下基板2与PCB上基板1构成EI结构;

步骤(F1),通过激光钻孔或机械钻孔在PCB上基板1和PCB下基板2开设盲孔,且在盲孔内增加电镀铜,使磁芯6通过盲孔7与分别与PCB上基板1的上表面、PCB下基板2的下表面相导通;

步骤(G1),在PCB上基板1的上表面粘接电源模块芯片3、电容4,在PCB下基板2的下表面增加散热铜片201,完成电源模块结构的制作,所述散热铜片201通过盲孔7与磁芯6相连接。

本实用新型的埋入式电源模块结构的制作方法,第二个实施例,包括以下步骤,

步骤(A2),根据电源模块结构的要求,选择待植入磁芯6的磁芯环厚度、绕线部分匝数,该步骤为现有技术;

步骤(B2),根据选择的磁芯6的磁芯环厚度、绕线部分匝数,分别计算PCB上基板1、PCB下基板2的厚度;

(B21),通过磁芯6的磁芯环厚度,得到磁芯6的磁通量μ和横截面积A,计算出有效磁路长度lc,

其中,L为电源模块结构所要求的电感量、n为磁芯(6)的绕线部分匝数;

(B22),根据有效磁路长度lc,计算得到PCB上基板1和PCB下基板2的整体板厚H,如下式所示,

H=(lc-2(W外半径+d))/2

其中,W外半径为磁芯环的外半径,d为保护距离,

且d<(PCB上基板1和PCB下基板2整体的短侧边E-2W外半径)/2,

根据整体板厚H,PCB上基板1的厚度为PCB下基板2的三分之二,从而分别得到PCB上基板1和PCB下基板2的厚度;

步骤(C2),在PCB下基板的上表面开设有等间隔分布的两个下开槽,各下开槽的深度为磁芯环厚度的1/2,各下开槽的宽度比磁芯的宽度大0.2-0.5mm;在PCB上基板的上表面开设有等间隔分布的两个上开槽,各上开槽的深度为磁芯环厚度1/2,各上开槽的宽度比磁芯的宽度大0.2-0.5mm;

步骤(D2),将磁芯6通过吸取贴合设备植入到对应的下开槽5内;

步骤(E2),将PCB上基板1焊接在PCB下基板2的上方,从而PCB下基板2与PCB上基板1构成EI结构;

步骤(F2),通过激光钻孔或机械钻孔在PCB上基板1和PCB下基板2开设盲孔,且在盲孔内增加电镀铜,使磁芯6通过盲孔7与分别与PCB上基板1的上表面、PCB下基板2的下表面相导通;

步骤(G2),在PCB上基板1的上表面粘接电源模块芯片3、电容4,在PCB下基板2的下表面增加散热铜片201,完成电源模块结构的制作,所述散热铜片201通过盲孔7与磁芯6相连接。

综上所述,本实用新型的埋入式电源模块结构,将磁芯植入在PCB上基板、PCB下基板之间,为了良好的放置将磁芯,PCB上基板、PCB下基板形成EE结构或者EI结构,其增加了盲孔用于散热,提高散热效果,整个制作方法,简单有效,且埋入式电源模块结构体积小,制作成本低,具有良好的应用前景。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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