1.一种温度补偿型移相器，其特征是包括温度检测单元，移相单元和可调器件单元，其中移相器单元的输入端口连接至射频输入端口，移相单元的输入/输出端口连接至可调器件单元的输出/输入端口，移相单元的输出端连接射频输出端口；温度检测单元输入端口连接电压/电流源信号输入端口，温度检测单元的输出端口连接可调器件单元的输入端口。
2.根据权利要求1所述的一种温度补偿型移相器，其特征是所述的移相单元包括三个晶体管：M1晶体管、M2晶体管和M3晶体管，三个电阻：R1电阻、R2电阻和R3电阻，以及三个电感：L1电感、L2电感和L3电感；其中M1晶体管的栅极和R1电阻的A端连接，M1晶体管的源极和L1电感的A端连接同时连接射频输入端口，M1晶体管的漏极与L2电感的A端连接同时连接至输出端口，R1电阻的B端连接至Ven控制信号端，L1电感的B端与L2电感的B端相连，同时与M2晶体管的漏极相连；M2晶体管的栅极与R2电阻的A端相连，M2晶体管的源极与M3晶体管的漏极相连，同时与L3电感的A端、可调器件单元输出/输入端口相连，R2电阻的B端与B控制信号端相连；M3晶体管的栅极与R3电阻的A端相连，M3晶体管的源极接地；R3电阻的B端与Venf控制电压端相连；L3电感的B端接地。
3.根据权利要求2所述的一种温度补偿型移相器，其特征是所述的移相单元中的M1晶体管、M2晶体管和M3晶体管为NMOS管。
4.根据权利要求1所述的一种温度补偿型移相器，其特征是所述的可调器件单元包括一个VC1压控电容和C1隔直电容；VC1压控电容的A端与C1隔直电容的A端相连，同时连到可调器件单元的输入端口，VC1压控电容的B端接地；C1隔直电容的B端与可调器件单元的输出/输入端口相连。
5.根据权利要求1所述的一种温度补偿型移相器，其特征是所述的温度检测单元包括三个晶体管：M4晶体管、P1晶体管和P2晶体管，R4电阻和D1二极管；P1晶体管源极与VDD电源端相连，P1晶体管的栅极与P2晶体管的栅极以及P1晶体管的漏极相连，P1晶体管的漏极还与M4晶体管的漏极相连；P2晶体管的源极与VDD电源端相连，P2晶体管的漏极与R4电阻的A端相连，同时与可调器件单元的输入端口相连；R4电阻的B端与地相连；M4晶体管的栅极与D1二极管的正极相连，M4晶体管的源极与地相连；D1二极管的负极接地。
6.根据权利要求5所述的一种温度补偿型移相器，其特征是所述的温度检测单元中M4晶体管为NMOS管，P1晶体管和P2晶体管为PMOS管。