1.一种电子器件的制造方法，是至少依次具有有机功能层、防溶出膜及密封膜的电子器件的制造方法，其特征在于，具有：
将有机硅树脂涂布后照射真空紫外线而形成所述防溶出膜的工序；和
将金属醇盐和氟代醇的混合液在所述防溶出膜上涂布后、照射真空紫外线而形成所述密封膜的工序。
2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于，在所述形成防溶出膜的工序中，在有机硅树脂中混合硅氧烷系溶剂而涂布。
3.根据权利要求2所述的电子器件的制造方法，其特征在于，所述硅氧烷系溶剂为环状硅氧烷系溶剂。
4.根据权利要求2或3所述的电子器件的制造方法，其特征在于，使所述硅氧烷系溶剂的含量(质量)相对于所述有机硅树脂在1～30倍的范围内。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的电子器件的制造方法，其特征在于，所述防溶出膜的涂布后的湿膜厚为10μm以下。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的电子器件的制造方法，其特征在于，在所述形成防溶出膜的工序中，真空紫外线的照射量为0.1～10j/cm2的范围内。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的电子器件的制造方法，其特征在于，在所述形成密封膜的工序中，真空紫外线的照射量为0.1～10j/cm2的范围内。