专利名称：电器开关触头系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电器控制装置，尤其是用于接通、关断或转换电路的电器开关触头系统。
电器开关是常用的控制装置，应用广，形式各异种类繁多，有单极、双极、三极，有手动开关如刀开关、钮子开关、按键开关、滑动开关、空气开关(或称空气断路器)，……，有电动式开关如继电器、接触器，……等。不管其形式种类如何，都有共同的任务，就是接通、关断或转换电路，都有共同的核心部件，就是机械式触头系统，都有共同的特点，就是靠触头系统实现接通、关断或转换电路，都有共同缺点，就是在额定工作条件(电压、电流)下接通、关断或转换电路时触头间产生电弧，在高额定电压(例如交流220V～、380V～、直流440V_)重负荷条件下接通、关断或转换电路时触头间产生的电弧是具有破坏性的，电弧产生高热使触头表面熔化形成“毛刺”，进一步加快损坏触头使整个开关报废，电弧严重时烧毁触头甚至产生所谓“熔焊事故”使电路失控，造成电路系统更大的意外损失，现行大容量开关采用灭弧罩来抑制电弧，灭弧罩也常常烧坏使开关报废。半导体无触点开关在接通、关断或转换电路时不产生电弧，被推广应用，但半导体无触点开关在关断状态呈高阻抗而不是阻抗无穷大，特别是半导体器件会因质量问题或是电路出现超值峰值电压等原因击穿损坏，使用在全天候自动连续运行的重要电路中人们是不放心的，所以目前半导体无触点开关还不能取代上述的各种机械触头式开关。
本发明的目的是提供一种电器开关触头系统，它不但能在额定条件下接通、关断或转换电路，且能抑制在接通、关断或转换电路时触头间的电弧。
本发明的目的是这样实现的在有动触头、静触头的电器开关触头系统基础上，增加过渡触头及半导体无触点开关，半导体无触点开关两端分别与静触头、过渡触头电连接。本发明所述的半导体无触点开关K由半导体开关器件和辅助电子电路组成，一只晶体三极管便可成为半导体直流开关器件，双向晶闸管可成为半导体交流开关器件，随着半导体技术的发展，不断涌现出各种各样的半导体开关器件应用于半导体无触点开关，从单只半导体开关器件发展到集成电路的混合型开关器件，从早期的半控型器件发展到现在的全控型器件，有单极型器件、双极型器件及由双极型器件和单极型器件混合而成的混合型器件例如各种晶闸管、电力晶体管(GTR)、功率场控晶体管(功率MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(SITH)、MOS晶闸管(MCT)，……等，器件的耐压能力、过流能力、通态压降、小功率驱动、开关速度……等不断改进，这就给本发明提供了可供选用的半导体开关器件。辅助电子电路的任务是为不同的半导体开关器件提供不同形式(交流的、直流的、……)的驱动信号驱动半导体开关器件从截止进入导通，由于使用要求不同，采用的半导体开关器件不同，辅助电子电路的组成千变万化，辅助电子电路与半导体开关器件的组合形式有多种多样，驱动方式也多种多样。利用半导体无触点开关的截止、导通特性辅助触头的接通或分断，电路接通过程是在半导体无触点开关处于截止呈高阻抗的状态下动触头与过渡触头作过渡性初步接入，然后驱动半导体无触点开关进入导通状态，半导体无触点开关两端处于低的导通压降低阻抗状态下动触头与静触头接通实现接通电路，不会产生破坏性电弧，关断电路过程是在半导体无触点开关处于导通条件之下动触头与静触头分断，此时半导体无触点开关能以极短时间内进入导通状态使电路电流经半导体无触点开关持续流通，不会产生破坏性电弧。然后又令半导体无触点开关截止，半导体无触点开关截止呈高阻抗状态下动触头再与过渡触头分断实现分断电路，不会产生破坏性电弧。要令半导体无触点开关截止或要驱动半导体无触点开关进入导通状态，需要产生驱动信号去驱动半导体无触点开关进入导通或需要令驱动信号消失使半导体无触点开关因失去驱动信号而截止。还需要时间控制，控制进入导通和截止的时刻，这些任务，采用电子电路可有多种方法来完成，采用机械触头也有多种方法来完成。
采用电子方式是触头系统中半导体无触点开关的辅助电子电路设置延时电路、产生驱动信号的电路及令驱动信号消失的电路。接通电路过程是半导体无触点开关没有驱动信号而处于截止呈高阻抗状态下，动触头与过渡触头接通，延时电路延时一个合适时间后电子电路产生驱动信号驱动半导体无触点开关进入导通状态，半导体无触点开关两端处于低阻抗低导通压降状态，然后动触头与静触头接通实现接通电路，不产生破坏性电弧。关断电路过程是在半导体无触点开关处于导通条件之下动触头与静触头分断，此时半导体无触点开关能以极短时间内进入导通状态，使电路电流经半导体无触点开关持续流通，不产生破坏性电弧，然后延时电路延时一个合适时间后电子电路令驱动信号消失，半导体无触点开关因失去驱动信号而截止呈高阻抗状态，然后动触头与过渡触头分断实现分断电路，不产生破坏性电弧。
采用机械方式是触头系统中设置控制触头，半导体无触点开关控制端与控制触头电连接。接通电路过程是在半导体无触点开关没有驱动信号处于截止呈高阻抗状态下动触头与过渡触头接通，经过一个延时时间，动触头与控制触头接通，将驱动信号传送入半导体无触点开关控制端驱动半导体无触点开关进入导通状态，半导体无触点开关两端处于低阻抗低导通压降状态，然后动触头与静触头接通实现接通电路，关断电路过程是在半导体无触点开关处于导通条件之下动触头与静触头分断，此时半导体无触点开关能以极短时间进入导通状态，使电路电流经半导体无触点开关持续流通，不产生破坏性电弧，又经过一个延时时间动触头与控制触头分断令控制端的驱动信号消失，半导体无触点开关截止呈高阻抗状态，然后动触头与过渡触头分断实现分断电路，不产生破坏性电弧。
采用机械方式还有采用其他驱动方式的方法，接通电路过程是首先动触头与控制触头接通，将控制端的驱动信号短路，在半导体无触点开关没有驱动信号而截止呈高阻抗状态下动触头与过渡触头接通，经过一个延时时间动触头与控制触头分断使驱动信号被短路的状况随即解除，半导体无触点开关有驱动信号而进入导通，半导体无触点开关两端处于低阻抗低导通压降状态，然后动触头与静触头接通实现接通电路，不产生破坏性电弧。关断电路过程是半导体无触点开关处于导通条件之下动触头与静触头分断，此时半导体无触点开关能以极短时间内进入导通状态，使电路电流经半导体无触点开关持续流通，不产生破坏性电弧，经过一延时时间，动触头与控制触头接通，使驱动信号被短路，驱动信号消失令半导体无触点开关截止呈高阻抗状态，然后动触头与过渡触头分断实现分断电路，不产生破坏性电弧。
上述是电路的接通和关断，实际上，电路的关断和电路的接通两者的组合便可构成电路的转换，严格来说机械式触头在接通、关断或转换电路时总会在触头间产生放电火花，本文所述不会产生破坏性电弧是指已将电弧明显地抑制在很小的程度，不致于熔化触头表面损坏触头的程度，本发明让触头在串联高阻状态之下作过渡性接入或分断，在并联低阻抗低压降状态下接通或过渡性初步分离，触头间产生的电火花是很小的，这与现行触头系统在重负荷、高额定电压(几佰伏)状态下接通、关断电路时触头间产生的电弧相比，上述的电弧是被明显地抑制了。有些场合对电火花的要求很严，为了进一步抑制电火花，还增加吸收触头和RC吸收电路，RC吸收电路两端分别与静触头和吸收触头电连接，在关断电路过程第一步动触头与静触头分断时动触头仍与吸收触头接通，从分断瞬间至半导体无触点开关进入导通的极短时间利用RC吸收电路进一步将可能产生的电火花吸收抑制掉。本发明电器开关触头系统的半导体无触点开关的组成有电子电路，触头系统配套电动装置后功能会大大扩展，如增加定时电路后可使本电器开关触头系统能定时接通或关断电路，若增设电流、电压传感器后可使触头系统具有过流跳闸、过压跳闸等保护功能，按需增设温度或压力或光或磁……等传感器可使本电器开关触头系统成为智能化电器开关触头系统，帮助人们智能地控制(接通、关断或转换)电路。由于触头间的电弧被抑制了，本发明触头系统的触头接触方式可采用如闸刀开关那样的刀插入接触方式，使触头的接触面积增大，使触头的通流能力增大。
由于采用上述方案，本电器开关触头系统在接通、关断或转换电路时触头间的电弧被明显地抑制了，使触头系统的工作寿命和可靠性提高了，使电器开关耐用了，也避免或减少了因触头系统烧毁或“熔焊事故”而造成电路系统更大的损失，采用的过渡性部件也便宜，在同等额定条件(电压、电流)下可使电器开关成本降低。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
图1是半导体无触点开关部分示例电路图。
图2是本发明第一个实施例电原理图。
图3是图2实施例半导体无触点开关原理图。
图4是本发明第二个实施例电原理图及构造示意图。
图5是图2实施例构造示意图。
图6是本发明第三个实施例电原理图及构造图。
图中K半导体无触点开关 M、N半导体无触点开关两端 A1动触头A2静触头 A3过渡触头 A4吸收触头 A5控制触头 X1、X2触头系统引出端 Y1、Y2电源输入端 U电源 RL负载 J1、J2、J3继电器(接触器)图1中(a)是由半导体开关器件(S)及辅助电子电路(E1)组成的半导体无触点开关(K)，半导体无触点开关两端是M、N，半导体无触点开关控制端是B0，图1(b)双向晶闸管T3作为半导体开关器件，一只电阻R0也可构成辅助电子电路，它可向双向晶闸管T3提供驱动信号使T3进入导通状态，T3与R0组成半导体无触点开关(K)，控制端是B1，若将B1与N端短路则说半导体无触点开关的控制端被短路，则驱动信号被短路或说驱动信号消失，半导体无触点开关因失去驱动信号而截止。图1(c)的半导体无触点开关(K)控制端是B2，若将B2与M端接通，则有驱动信号驱动半导体无触点开关(K)进入导通状态。图1(d)是固态半导体无触点开关，将驱动信号从B3B4送入即可驱动半导体无触点开关(K)进入导通状态，有些产品将B3B4短接便可驱动半导体无触点开关进入导通状态，电子电路变化万千，驱动方式也多种多样，图1虽然只列出几种形式的半导体无触点开关便有B1方式、B2方式、B3B4方式等不同的驱动方式。
图2(a)中，以X1、X2为引出端的电器开关触头系统有动触头(A1)、静触头(A2)，还有过渡触头(A3)及半导体无触点开关(K)，半导体无触点开关两端(M、N)分别与静触头、过渡触头电连接。触头的安排符合动作顺序要求接通顺序是第一步动触头与过渡触头接通，第二步动触头又与静触头接通，关断顺序是第一步动触头与静触头分断，第二步动触头再与过渡触头分断。电路关断状态时各触头处于分断状态，电路接通过程是沿箭头方向第一步动触头与过渡触头接通，是过渡性初步接入，是在半导体无触点开关与过渡触头形成串联高阻状态下进行的不会产生破坏性电弧，经过一个延时时间后触头系统的半导体无触点开关中的辅助电子电路产生驱动信号驱动半导体无触点开关导通呈低阻抗及约1伏左右的低压降状态，电路进入过渡性开通U-Y1-RL-X1-M-K-N-A3-A1-X2-Y2-U，不产生电弧，此时半导体无触点开关与静触头、动触头(过渡触头)形成并联低阻抗低压降状态，第二步动触头又与静触头接通实现接通电路(如图中虚线A0)U-Y1-RL-X1-A2-A1-X2-Y2-U，不会产生破坏性电弧，关断电路过程反箭头方向第一步动触头与静触头分断，此时电子电路有驱动信号驱动半导体无触点开关，半导体无触点开关在开通条件下能在极短的时间进入导通使电路电流经半导体无触点开关持续流通，不会产生破坏性电弧，又经过一个延时时间后触头系统的半导体无触点开关中的辅助电子电路令驱动信号消失，半导体无触点开关失去驱动信号而截止，电路进入过渡性关断，不产生电弧，处于截止呈高阻抗的半导体无触点开关又与过渡触头形成串联高阻状态，在串联高阻状态下第二步动触头再与过渡触头分断实现关断电路，不会产生破坏性电弧。图2中若电源u是直流电源则半导体无触点开关(K)要按电源极性连接。若电源u是交流电源则半导体无触点开关(K)按交流接法，静触头(A2)可与M端电连接也可与N端电连接，效果是等同的，见图2(a)(b)。图2(a)(b)(c)(d)可以有不同的电连接法，但其效果是等同的，说明第一个实施例有多种实施方法。关断电路过程第一步动触头与静触头分断时，动触头与吸收触头(A4)保持接通，从分断瞬间起至半导体无触点开关进入导通的极短时间内利用R1C1吸收电路进一步将触头间可能产生的电火花吸收抑制掉。
图3中，以X1、X2为引出端的电器开关触头系统有动触头(A1)、静触头(A2)，还有过渡触头(A3)及半导体无触点开关(K)，半导体无触点开关两端(M、N)分别与静触头、过渡触头电连接。触头的安排符合动作顺序要求接通顺序是第一步动触头与过渡触头接通，第二步动触头又与静触头接通，关断顺序是第一步动触头与静触头分断，第二步动触头再与过渡触头分断。本发明附图中示例双向晶闸管作为半导体无触点开关中的半导体开关器件，实际上也可采用上述其他半导体开关器件，图3(a)中以交流电源U为例，各点电压波形见图3(b)，在t1时间动触头(A1)与过渡触头(A3)接通，此时U2(以N点为参考点，余同)从零起升高给电子电路提供直流电源，电压比较器IC1灵敏度高，其输入电压UA、UB取值很小也有效。当Y1端为正半周时UA＞UB，电压比较器输出UC为高电位，Y1端为负半周时UA＝0V，UB为负值，UC也为高电位，当U过零点时U和U1的瞬时值为零，UA＝0V，由于直流电源U2经RB使UB稍大于UA，使得UC为低电位，在时间t1半导体无触点开关无驱动信号处于截止呈高阻抗状态，半导体无触点开关与过渡触头形成串联高阻状态，t1时接通过程第一步动触头与过渡触头接通不会产生破坏性电弧。t1后UD、UE、UF很快升高，UF一方面使由非门F3和F4组成的双稳态电路置零，输出端UG为低电位，另一方面UF使T2管导通，使UQ为低电位，半导体无触点开关维持原来的截止状态，此时U1≈U，经过一个延时时间到t2时UF降低至T2管截止，此时UQ≈UE，跟随器T1管输出高电位驱动半导体无触点开关导通，这就是上述的“经过一个延时时间电子电路产生驱动信号驱动半导体无触点开关导通”，不产生电弧，电路进入过渡性开通U-Y1-RL-X1-M-K-N-A3-A1-X2-Y2-U。t2后U1大大降低，是双向晶闸管的管压降，但仍保持使电压比较器有正常的输入输出。导通后呈低阻低压降的半导体无触点开关与静触头、动触头(过渡触头)形成并联低阻低压降状态，在t3时第二步动触头又与静触头接通实现接通电路U-Y1-RL-X1-A2-A1-X2-Y2-U，不会产生破坏性电弧。时间t3后U1＝0，UA＝0，U2和RB共同作用使UB＞0，使UC为低电位。关断电路过程动触头反箭头方向后退在时间t4时第一步动触头与静触头分断，此时有二种可能第一种是t4瞬时正好是U的过零点，则t4瞬时过后UC即为高电位，第二种是t4瞬时U不是过零点则t4瞬时UC即为高电位，t4时UC、UE、UQ急升为高电位，使半导体无触点开关处于开通条件之下，半导体无触点开关能在极短时间内导通使电路电流经半导体无触点开关持续流通，不会产生破坏性电弧。t4时H点有一正向脉冲UH触发由非门F1和F2组成的单稳态电路，U3变为低电位，经过一个单稳态延时后在时间t5时UJ从低电位急升为高电位，R点有一正向脉冲UR触发由非门F3和F4组成的双稳态电路使其输出UG变为高电位使T2管导通，使UQ降为低电位，半导体无触点开关失去驱动信号而截止，这就是上述的“延时一个合适时间后电子电路令驱动信号消失”，此时电路进入过渡性关断，不产生电弧。半导体无触点开关又与过渡触头形成串联高阻状态，t6时第二步动触头与过渡触头分断实现关断电路，不会产生破坏性电弧。在t4时动触头与静触头分断时，动触头(A1)与吸收触头(A4)仍保持接通，利用R1C1吸收电路进一步将动触头与静触头间可能产生的电火花吸收抑制掉。
继电器(接触器)是一种电控电动形式的电器开关，图4(1)由多个继电器(接触器)组成的以X1、X2为引出端的继电器(接触器)触头系统有动触头(A1)、静触头(A2)，还有过渡触头(A3)及半导体无触点开关(K)，半导体无触点开关两端(M、N)分别与静触头、过渡触头电连接。触头的安排符合动作顺序要求接通顺序是第一步动触头与过渡触头接通，第二步动触头又与静触头接通，关断顺序是第一步动触头与静触头分断，第二步动触头再与过渡触头分断。触头系统的构成是将继电器(接触器)J1、J2、J3的常开触头中J11、J21和J31电气连接在一起构成触头系统的动触头(A1)，J1的另一触头J12作为触头系统的过渡触头(A3)，J3的另一触头J32作为触头系统的静触头(A2)，J2的另一触头J22则作为吸收触头(A4)。图4(1)中省略了产生U3、U10、U20、U30的电路。图中半导体无触点开关的组成、电原理及各点波形与图3相同。参见图3(b)在t1时间U10从低电位变为高电位使J1吸合，实现接通顺序第一步动触头(A1)与过渡触头(A3)接通，此时半导体无触点开关无驱动信号处于截止状态，半导体无触点开关与过渡触头形成串联高阻状态，不会产生破坏性电弧，经过一个延时时间到t2时电子电路产生驱动信号(UQ)驱动半导体无触点开关导通，不产生电弧。t2时间后半导体无触点开关又与静触头、过渡触头形成并联低阻低压降状态，到t3时U30从低电位变为高电位，J3吸合，实现接通顺序第二步动触头与静触头接通实现电路的接通U-Y1-RL-X1-A2-A1-X2-Y2-U，不产生破坏性电弧。关断顺序第一步即t4时U30从高电位变为低电位，J3释放，动触头(A1)与静触头(A2)分断，此时UE、UQ为高电位，使半导体无触点开关处于导通条件之下，能在极短的时间内导通使电路持续开通U-Y1-RL-X1-M-K-N-A3-A1-X2-Y2-U，不产生电弧。又经过一延时时间到t5时电子电路令驱动电信号消失即UQ从高电位变为低电位使半导体无触点开关失去驱动电信号而截止，电路进入过渡性关断，不产生电弧，此时半导体无触点开关又与过渡触头形成串联高阻状态，到t6时U10从高电位变为低电位，J1释放，实现关断顺序第二步动触头与过渡触头分断实现关断电路，不会产生破坏性电弧。U20、J2及R1C1吸收电路是为了进一步抑制电火花而设的。图4(2)是具有以X1、X2为引出端的触头系统的继电器(接触器)的正视图，图4(3)是图4(2)的H1向视图，图4(4)是图4(2)的I1-I1剖视图，图4(5)是图4(3)的I2-I2剖视图，J1、J2、J3、K组装于电路板(G1)上。
图5是图2实施例的滑动式电器开关构造示意图，图5(1)是正视图，图5(2)是图5(1)的H2向视图，图5(3)是图5(1)的I3-I3剖视图，图5(4)是图5(2)的I4-I4剖视图，图5(5)是图5(3)中动件(A00)的H3向、H4向视图，图5(6)是图5(3)中静件(D0)的H3向视图。从图5中可见，以X1、X2为引出端的触头系统有动触头(A1)、静触头(A2)，还有过渡触头(A3)及半导体无触点开关(K)，半导体无触点开关两端(M、N)分别与静触头、过渡触头电连接。这些电连接均在电路板(G1)上实现。图5(5)所示动件(A00)是在绝缘体上装上耐磨合金动触头(A0)而成，还有最简单的做法是用双面敷铜板经刻蚀而成，静件(D0)也可用双面敷铜板一面刻蚀成各触头，另一面刻蚀成引线将各触头引至电路板(G1)。图中可见左右两边对称结构，可以并联运用扩展触头通流容量，也可作为分别以X1、X2和X3、X4为引出端的双极型电器开关触头系统。图中各触头的安排符合动作顺序要求接通顺序是图5(4)(5)(6)所示动件(A00)沿箭头方向，第一步动触头(A1)与过渡触头(A3)接通，第二步动触头(A1)又与静触头(A2)接通。关断顺序是动件(A00)反箭头方向，第一步动触头(A1)与静触头(A2)分断，第二步动触头再与过渡触头分断。吸收触头(A4)是在进一步抑制电火花时使用。
图6(a)中，以X1、X2为引出端的电器开关触头系统有动触头(A1)、静触头(A2)，还有过渡触头(A3)及半导体无触点开关(K)，半导体无触点开关两端(M、N)分别与静触头、过渡触头电连接。本系统采用机械触头方式完成延时驱动，采用的驱动方式是B2方式，设置控制触头(A5)，半导体无触点开关控制端(B2)与控制触头(A5)电连接，电路关断时，各触头处于分断状态，接通过程沿箭头方向第一步动触头(A1)与过渡触头(A3)接通，此时半导体无触点开关(K)无驱动信号而截止呈高阻抗状态，不会产生破坏性电弧，“经过一个延时时间”后触头系统的动触头(A1)与控制触头(A5)接通，动触头(A1)将驱动信号经控制触头(A5)送往控制端(B2)驱动半导体无触点开关(K)进入导通状态U-Y1-X1-N-K-M-A3-A1-X2-R1-Y2，不产生电弧。半导体无触点开关两端处于约1伏左右的低压降低阻抗状态，第二步动触头与静触头接通实现接通电路U-Y1-X1-A2-A1-X2-RL-Y2，不产生破坏性电弧。关断电路过程反箭头方向第一步动触头与静触头分断，此时半导体无触点开关处于导通条件之下能以极短时间内进入导通状态，电路电流经半导体无触点开关(K)持续流通，不会产生破坏性电弧。又经过一个延时时间后，触头系统的动触头(A1)与控制触头(A5)分断令控制端(B2)的驱动信号消失，半导体无触点开关因失去驱动信号而截止呈高阻抗，半导体无触点开关与过渡触头又形成串联高阻抗状态，第二步动触头与过渡触头分断实现分断电路时不会产生破坏性电弧。图6(c)采用B1驱动方式，接通电路过程沿箭头方向动触头(A1)首先与控制触头(A5)接通，然后动触头(A1)与过渡触头(A3)作过渡性接入时，由于半导体无触点开关控制端(B1)对N端短路，驱动信号被短路，半导体无触点开关处于截止呈高阻抗状态，不产生破坏性电弧。经过一个延时时间后动触头(A1)与控制触头(A5)分断，半导体无触点开关控制端(B1)与N端短路的状况随即解除，产生驱动信号驱动半导体无触点开关(K)进入导通状态U-Y1-X1-M-K-N-A3-A1-X2-RL-Y2，不产生破坏性电弧。半导体无触点开关两端处于约1伏左右的低导通压降低阻抗状态，第二步动触头与静触头接通实现接通电路U-Y1-X1-A2-A1-X2-RL-Y2，不产生破坏性电弧。关断电路过程反箭头方向动触头与静触头分断，此时半导体无触点开关(K)处于导通条件之下能以极短时间内进入导通，电路电流经半导体无触点开关持续流通，不会产生破坏性电弧，又经过一个延时时间后，动触头(A1)与控制触头(A5)接通，半导体无触点开关控制端(B1)对N端短路，驱动信号被短路而消失，半导体无触点开关因失去驱动信号而截止呈高阻抗，半导体无触点开关与过渡触头形成串联高阻抗状态，动触头与过渡触头分断实现分断电路时不产生破坏性电弧。图6中，由于电子电路变化万千，驱动方式多种多样，静触头(A2)可与半导体无触点开关M端电连接也可与N端电连接，本发明第三个实施例中有多种实施方法，由于可采用的半导体无触点开关很多，所选用的驱动方式也多种多样，半导体无触点开关两端与触头的电连接法又有灵活性使得本发明的实施例可有很多，本文只列举几种典型的例子。图6(e)是对应于电原理6(a)(b)的滑动式电器开关构造示意图中的动件(A00)的H3、H4向视图及静件(D0)的H3向视图，详细图示参见滑动式电器开关构造5，图6(f)是对应于电原理6(c)(d)的滑动式电器开关构造示意图中的动件(A00)的H3、H4向视图及静件(D0)的H3向视图，详细图示参见图5。
权利要求
1.一种用于接通、关断或转换电路的电器开关触头系统有动触头、静触头，其特征是还有过渡触头及半导体无触点开关，半导体无触点开关两端分别与静触头、过渡触头电连接。
全文摘要
一种用于接通、关断或转换电路的电器开关触头系统,借助过渡性部件协助抑制在接通,关断或转换电路时触头间的电弧,利用半导体无触点开关截止时呈高阻抗,导通时半导体无触点开关两端处于低压降低阻抗实施电路的接通或关断,使得在接通、关断电路时能抑制触头间的电弧。
文档编号H03K17/72GK1246720SQ9911610
公开日2000年3月8日 申请日期1999年3月29日 优先权日1998年8月31日
发明者罗宏基 申请人:罗宏基