子，并且其中第一场效应晶体管的漏端子被耦合到第二场效应晶体管的源极。
6.根据权利要求1的所述可调的电容电路，其中: 所述变容二极管晶体管被形成在衬底中或在衬底上；并且 所述衬底被偏置使得变容二极管晶体管的漏体二极管和源体二极管被反向偏置。
7.根据权利要求6的所述可调的电容电路，其中所述衬底是具有至少500欧姆?厘米的电阻率的硅衬底。
8.根据权利要求1的所述可调的电容电路，其中 所述变容二极管晶体管被形成在衬底中或在衬底上；并且 一个或多个基体区被偏置使得所述变容二极管晶体管的漏基体二极管和源基体二极管被反向偏置。
9.根据权利要求8的所述可调的电容电路，其中所述衬底是绝缘体上半导体的衬底或绝缘体上硅的衬底。
10.根据权利要求1的所述可调的电容电路，其中 所述可调的电容电路包括多个变容二极管晶体管对，所述多个变容二极管晶体管对被串联I禹合以充当变容~■极管晶体管对的串联电路； 所述多个变容二极管晶体管对的第一场效应晶体管对包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管； 所述多个变容二极管晶体管对的第二场效应晶体管对包括第三场效应晶体管和第四场效应晶体管； 所述第一场效应晶体管的源端子与所述第一场效应晶体管的漏端子耦合； 所述第一场效应晶体管的栅端子与所述第二场效应晶体管的栅端子耦合； 所述第二场效应晶体管的源端子与所述第二场效应晶体管的漏端子、与所述第三场效应晶体管的源端子以及与所述第三场效应晶体管的漏端子耦合； 所述第三场效应晶体管的栅端子与所述第四场效应晶体管的栅端子耦合；并且 所述第四场效应晶体管的源端子与所述第四场效应晶体管的漏端子耦合。
11.根据权利要求1的所述可调的电容电路，其中: 所述多个变容二极管晶体管的第一场效应晶体管的源端子和漏端子经由第一阻抗元件被耦合到参考电势；或 所述多个变容二极管晶体管的第二场效应晶体管的源端子和漏端子经由第二阻抗元件被耦合到参考电势。
12.根据权利要求1的所述可调的电容电路，其中: 所述多个变容二极管晶体管的第一场效应晶体管的栅端子经由第一栅阻抗元件被耦合到控制电压供应器；并且 所述多个变容二极管晶体管的第二场效应晶体管的栅端子经由第一栅阻抗元件或经由第二栅阻抗元件被耦合到控制电压供应器。
13.根据权利要求1的所述可调的电容电路，其中所述可调的电容电路包括被配置为在两个离散值之间切换控制电压的控制电压供应器，所述控制电压被施加到所述多个变容二极管晶体管的变容二极管晶体管的控制端子。
14.根据权利要求13的所述可调的电容电路，其中所述控制电压供应器被配置为提供控制电压使得所述变容二极管晶体管对于控制电压的第一离散值在反型模式下进行工作，并且使得所述变容二极管晶体管对于控制电压的第二离散值在积累模式下进行工作。
15.根据权利要求1的所述可调的电容电路，其中所述变容二极管晶体管的沟道长度长于5 μ m。
16.根据权利要求15的所述可调的电容电路，其中: 第一偏置状态中的所述变容二极管晶体管的栅源电容与第二偏置状态中的栅源电容之间的比率至少是3 ； 第一偏置状态中的栅源电容得到最大值；并且 第二偏置状态中的栅源电容得到最小值。
17.根据权利要求15的所述可调的电容电路，其中所述变容二极管晶体管的栅电极每个包括多个到金属化层的接触，其中所述接触沿着栅电极分布。
18.根据权利要求1的所述可调的电容电路，其中: 所述可调的电容电路包括并联耦合的多个可切换的电容支路； 第一可切换的电容支路包括第一多个变容二极管晶体管，所述第一多个变容二极管晶体管被串联耦合以充当变容二极管晶体管的第一串联电路；并且 第二可切换的电容支路包括第二多个变容二极管晶体管，所述第二多个变容二极管晶体管被串联耦合以充当变容二极管晶体管的第二串联电路。
19.根据权利要求18的所述可调的电容电路，其中所述可调的电容电路包括控制电路，所述控制电路被配置为在两个不同的电容值之间切换第一可切换的电容支路，并且在两个不同的电容值之间切换第二可切换的电容支路。
20.根据权利要求19的所述可调的电容电路，其中所述控制电路被配置为可切换地施加第一栅源偏置电压或第二栅源偏置电压到第一可切换的电容支路的变容二极管晶体管，其中选择第一栅源偏置电压使得第一可切换的电容支路的变容二极管晶体管的栅源电容对于第一栅源偏置电压来说与最大的电容差异不超过10%，并且 其中选择第二栅源偏置电压使得第一可切换的电容支路的变容二极管晶体管的栅源电容对于第二栅源偏置电压来说与最小的电容差异不超过10 %。
21.根据权利要求19的所述可调的电容电路，其中所述控制电路被配置为可切换地施加第一栅源偏置电压或第二栅源偏置电压到第二可切换的电容支路的变容二极管晶体管，其中选择第一栅源偏置电压使得第二可切换的电容支路的变容二极管晶体管的栅源电容对于第一栅源偏置电压来说与最大的电容差异不超过10%，并且其中选择第二栅源偏置电压使得第二可切换的电容支路的变容二极管晶体管的栅源电容对于第二栅源偏置电压来说与最小的电容差异不超过10%。
22.根据权利要求19的所述可调的电容电路，其中所述控制电路被配置为在各自的高的电容状态与各自的低的电容状态之间切换可切换的电容支路中的每个。
23.根据权利要求18的所述可调的电容电路，其中所述可切换的电容支路包括不同的最大的电容值。
24.一种天线调谐器，包括根据权利要求1的可调的电容电路。
25.一种用于提供可调的电容的方法，所述方法包括: 使用多个串联耦合的变容二极管晶体管来提供第一电容，其中所述变容二极管晶体管在第一偏置条件下进行工作；并且 使用多个变容二极管晶体管来提供第二电容，其中该变容二极管晶体管在第二偏置条件下进行工作。
26.—种可调的电容电路，包括: 多个变容二极管晶体管，所述多个变容二极管晶体管被串联耦合，其中所述变容二极管晶体管被形成在衬底中或在衬底上，并且其中所述衬底被偏置使得变容二极管晶体管的漏体二极管和源体二极管被反向偏置， 所述多个变容二极管晶体管的第一场效应晶体管的源端子与所述第一场效应晶体管的漏端子耦合， 所述多个变容二极管晶体管的第二场效应晶体管的源端子与所述第二场效应晶体管的漏端子耦合，并且 所述第一场效应晶体管的栅端子与所述第二场效应晶体管的栅端子耦合，使得所述第一场效应晶体管充当第一变容二极管晶体管，并且使得所述第二场效应晶体管充当第二变容二极管晶体管， 所述第一场效应晶体管的电容依赖于施加到所述第一场效应晶体管的栅源偏置电压，并且 所述第二场效应晶体管的电容依赖于施加到所述第二场效应晶体管的栅源偏置电压； 其中所述第二场效应晶体管的源端子和漏端子经由阻抗元件被耦合到参考电势，所述第一场效应晶体管的栅端子和所述第二场效应晶体管的栅端子经由栅阻抗元件被耦合到控制电压供应器，并且所述控制电压供应器被配置为在两个离散值之间切换施加到所述场效应晶体管的栅端子的控制电压。
27.—种可调的电容电路，包括: 串联耦合的多个变容二极管元件，其中每个变容二极管元件包括第一晶体管，所述第一晶体管包括 控制节点，所述控制节点被耦合到所述变容二极管元件的第一端子并且被耦合到调谐节点，以及 多个输出节点，所述多个输出节点被耦合到所述变容二极管元件的第二端子。
28.权利要求27的可调的电容电路，其中每个变容二极管元件进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管被耦合在所述变容二极管元件的第一端子与所述第一晶体管的控制节点之间，其中所述第二晶体管包括被耦合到所述第一晶体管的控制节点的控制节点和被耦合到所述变容二极管元件的第一端子的多个输出节点。
29.权利要求28的可调的电容电路，进一步包括多个放电电阻器，所述多个放电电阻器被耦合在所述变容二极管元件的相应的第一端子与参考节点之间。
30.权利要求29的可调的电容电路，其中所述参考节点包括地节点。
31.权利要求28的可调的电容电路，进一步包括多个偏置电阻器，所述多个偏置电阻器被耦合在调谐节点与所述第一和第二晶体管的相应的控制节点之间。
32.权利要求27的可调的电容电路，其中: 所述第一晶体管包括第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管； 所述第一晶体管的控制节点包括第一 MOS晶体管的栅极；并且 所述多个输出节点包括第一 MOS晶体管的源极和漏极。
33.一种电路,包括: 多个可调的电容支路，所述多个可调的电容支路被耦合到各自的多个支路调谐节点，其中每个可调的电容支路包括串联耦合的多个变容二极管元件，每个变容二极管元件包括第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合到所述变容二极管元件的第一端子并且耦合到各自的支路调谐节点的控制节点，以及耦合到所述变容二极管元件的第二端子的多个输出节点。
34.权利要求33的所述电路，进一步包括多个偏置电压供应器，所述多个偏置电压供应器具有耦合到各自的多个支路调谐节点的输出。
35.权利要求34的所述电路，其中所述多个偏置电压供应器中的每个被配置为提供离散的偏置电压。
36.权利要求35的所述电路，其中所述多个偏置电压供应器中的每个被配置为提供两个尚散的偏置电压。
37.权利要求33的所述电路，其中所述多个可调的电容支路被并联耦合。
【专利摘要】本发明涉及用于可调的电容电路的系统和方法。一种可调的电容电路包括串联耦合的多个变容二极管晶体管。一种天线调谐器包括这样的可调的电容电路。
【IPC分类】H03K19-084
【公开号】CN104579304
【申请号】CN201410564583
【发明人】W.巴卡尔斯基
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年10月22日
【公告号】DE102014115295A1, US20150109072