一种具有过压保护功能的数据驱动器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及数据驱动器领域，更具体地涉及一种具有过压保护功能的数据驱动器。
【背景技术】
[0002]现有的数据驱动器一般在CMOS工艺下实现，而CMOS工艺的晶体管通常只能工作在工艺特定的电压值下，若电源电压超过工艺特定的电压值，则晶体管会工作在过压状态下，这会大大减少晶体管的使用寿命。特别的，如数据驱动器，由于其数据驱动管存在大的寄生电容，故当数据驱动管的栅极电压变化时，其寄生电容会不停的对栅极进行充放电，从而使得栅极电压的摆幅增大，导致过压问题更加严重。而实际的设计中，存在使用低压晶体管在高压下工作，以输出更高摆幅的数据的情况，此时数据驱动管必然会存在过压问题，若不进行过压保护，其数据驱动管的使用寿命必然大大减小。
[0003]因此，有必要提供一种能够对数据驱动管进行过压保护的数据驱动器。
【发明内容】
[0004]鉴于以上内容，有必要提供一种能够对数据驱动管进行过压保护的具有过压保护的数据驱动器。
[0005]一种具有过压保护功能的数据驱动器，所述具有过压保护功能的数据驱动器包括一第一晶体管、一第二晶体管、一缓冲器、一连接于所述缓冲器及所述第一晶体管之间的第一电平转换器、一连接于所述缓冲器及所述第二晶体管之间的第二电平转换器、一与所述第一电平转换器相连的第一电流源、一与所述第二电平转换器相连的第二电流源、一与所述第二电流源相连的降压器件、一与所述第一电流源相连的升压器件、一与所述缓冲器相连的信号输入端、一与所述第一晶体管及所述第二晶体管相连的信号输出端、一与所述第一电流源、所述降压器件、所述第一电平转换器及所述第一晶体管相连的第一电源端、一与所述缓冲器相连的第二电源端及一接地端，所述第一电流源和所述升压器件为所述第一电平转换器提供低电位，所述第二电流源和所述降压器件为所述第二电平转换器提供高电位。
[0006]相对现有技术，本发明一种具有过压保护功能的数据驱动器，通过升压器件、降压器件和电平转换器对数据驱动管的栅极电压进行升压和降压处理，以保证数据驱动管的栅源和栅漏之间不会存在过压，同时，数据驱动管可输出全电压摆幅的信号，从而实现了低压晶体管输出高压摆幅信号。
【附图说明】
[0007]图1为本发明一种具有过压保护功能的数据驱动器较佳实施方式的系统框图。
[0008]图2为本发明一种具有过压保护功能的数据驱动器较佳实施方式的电路结构图。
[0009]图3为本发明一种具有过压保护功能的数据驱动器的电平转换器的电路结构图。
【具体实施方式】
[0010]现在参考附图描述本发明的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。如上所述，本发明提供了一种具有过压保护功能的数据驱动器，可对数据驱动管进行过压保护，以实现低压晶体管输出高摆幅的数据。
[0011]请参考图1，图1为本发明一种具有过压保护功能的数据驱动器较佳实施方式的系统框图。如图1所示，本发明一种具有过压保护功能的数据驱动器包括一第一晶体管Ml、一第二晶体管M2、一缓冲器BUF、一第一电平转换器LTH1、一第二电平转换器LTH2、一第一电流源I1、一第二电流源12、一降压器件、一升压器件、一信号输入端VIN、一信号输出端V0UT、一第一电源端VCC、一第二电源端VDD和一接地端GND。
[0012]请再结合参考图2，图2为图1所示一种具有过压保护功能的数据驱动器的电路结构图；如图2所示，本发明一种具有过压保护功能的数据驱动器包括一第一晶体管Ml、一第二晶体管M2、一缓冲器BUF、一第一电平转换器LTHl、一第二电平转换器LTH2、一第一电流源I1、一第二电流源12、一二极管D1、一二极管D2、一信号输入端VIN、一信号输出端V0UT、一第一电源端VCC、一第二电源端VDD和一接地端GND ;其中，该二极管Dl为图1所示的升压器件；该二极管D2为图1所示的降压器件。
[0013]所述缓冲器BUF包括四个端口，分别为第一端口 1、第二端口 2、第三端口 3、第四端口 4，所述第一电平转换器LTHl包括四个端口，分别为第一端口 1、第二端口 2、第三端口3、第四端口 4，所述第二电平转换器LTH2包括四个端口，分别为第一端口 1、第二端口 2、第三端口 3、第四端口 4 ;所述信号输入端VIN与所述缓冲器BUF的第三端口 3相连，所述第二电源端VDD与所述缓冲器BUF的第一端口 I相连，所述缓冲器BUF的第四端口 4、所述第一电平转换器LTHl的第三端口 3和所述第二电平转换器LTH2的第三端口 3共同连接，所述缓冲器BUF的第二端口 2与所述接地端GND相连，所述第一电流源Il的一端与所述第一电源端VCC相连，所述第一电流源的另一端Vg、所述第一二极管Dl的正端与所述第一电平转换器LTHl的第二端口 2共同连接，所述第一二极管Dl的负端与接地端GND相连，所述第二电流源12的一端与所述接地端相连，所述第二电流源12的另一端Vp、所述第二二极管D2的负端与所述第二电平转换器LTH2的第一端口 I共同连接，所述第二二极管D2的正端与所述第一电源端VCC相连，所述第一电平转换器LTHl的第一端口 I与所述第一电源端VCC相连，所述第一电平转换器LTHl的第四端口 4与所述第一晶体管Ml的栅极相连，所述第二电平转换器LTH2的第二端口 2与所述接地端GND相连，所述第二电平转换器LTH2的第四端口 4与所述第二晶体管M2的栅极相连，所述第一晶体管Ml的源极与所述第一电源端VCC相连，所述第一晶体管Ml的漏极与所述信号输出端VOUT相连，所述第二晶体管M2的源极与所述接地端GND相连，所述第二晶体管M2的漏极与所述信号输出端VOUT相连。
[0014]现设定所述第一电源端VCC的电压值为VCH，所述第二电源端VDD的电压值为VDL,且VCH大于VDL，设定所述第一晶体管Ml和所述第二晶体管M2只能工作在电压值为VDL的电源下，若所述第一晶体管Ml和所述第二晶体管M2工作在电压值为VCH的电源下，则此时存在过压问题；
[0015]设定VCH和VDL的差值为VT，则有
[0016]VCH-VDL=VT
[0017]