值均为20K Ω。
[0029]所述的第一逻辑链路由非门IC1、非门IC2、电阻R12、二极管D4、电阻R9、电阻R10、电容C6及二极管D2组成。连接时，非门IC2的输入端与非门ICl的输出端相连接，其输出端则顺次经电阻R12和二极管D4后与与非门IC4的正极输入端相连接。同时，该非门IC2的输出端还与半桥控制驱动电路相连接。
[0030]所述二极管D2的P极与非门ICl的输入端相连接，其N极顺次经电阻RlO和电容C6后与非门ICl的输入端相连接，即从二极管D2的N极顺次经电阻RlO和电容C6后需要与二极管D2的P极形成一个电回路。电阻R9则与二极管D2相并联。同时，所述电容C6与电阻RlO的连接点接地，二极管D2的N极形成本发明的一个输出端CT1，而功率放大器P3的输出端则形成本发明的第三个输出端CT3。
[0031]所述的第二逻辑链路由异或门IC6、二极管D5、二极管D6、二极管D3、电阻Rll和电容C7组成。连接时，二极管D5的P极与与非门IC4的正极输入端相连接，其N极与异或门IC6的第一输入端相连接。二极管D3的N极与非门IC3的输入端相连接，其P极则形成本发明的第二个输出端CT2，而电阻Rll要与二极管D3相并联。
[0032]电容C7的正极与二极管D3的N极相连接，其负极接地；二极管D6的N极与异或门IC6的第一输入端相连接，其P极则与二极管D3的P极相连接。同时，异或门IC6的第二输入端与非门IC5的输出端相连接后再与半桥控制驱动电路相连接，而异或门IC6的输出端则与功率放大器P2的负极输入端相连接。
[0033]为确保运行效果，该电容C6和电容C7均为贴片电容，而电阻R9、电阻R10、电阻Rll和电阻R12的阻值均为15ΚΩ。
[0034]所述半桥控制驱动电路的结构如图2所示，其由驱动芯片Ul，场效应管MOSl，三极管Q4，电阻R13，电阻R14，电阻R15，电阻R16，电阻17，二极管D8，二极管D9，稳压二极管D7，极性电容C8，极性电容C9和极性电容ClO组成。
[0035]其中，二极管D8的N极与三极管Q4的发射极相连接、其P极则经电阻R13后与非门IC2的输出端相连接，极性电容C8的正极与二极管D8的P极相连接、负极接地，稳压二极管D7则与极性电容CS相并联，从而起到稳定电压的作用。
[0036]同时，极性电容ClO的正极经电阻R16后与驱动芯片Ul的RT管脚相连接、其负极则经电阻R14后与场效应管MOSl的栅极相连接，电阻R15则串接在场效应管MOSl的栅极和源极之间，极性电容C9的正极与驱动芯片Ul的CT管脚相连接、其负极则与场效应管MOSl的漏极相连接，由此场效应管MOSl则可以对输入驱动芯片Ul的电压进行控制，使驱动芯片Ul能够进行更好的驱动。
[0037]电阻R17的一端与驱动芯片Ul的HV管脚相连接、其另一端则与三极管Q4的基极相连接，二极管D9的P极与驱动芯片Ul的VS管脚相连接、N极则与功率放大器Pl的正极输入端相连接。所述场效应管MOSl的源极则与非门IC5的输出端相连接，极性电容ClO的负极则与功率放大器Pl的负极相连接。所述驱动芯片Ul的VCC管脚和其VB管脚分别与二极管D8的P极和N极相连接，其SGND管脚和VS管脚均与极性电容ClO的负极相连接，其PGND管脚接地；所述三极管Q4的集电极与极性电容ClO的负极相连接。为了达到更好的驱动效果，该驱动芯片Ul优先采用GR6953型集成电路来实现，其具有单电源供电、且内置20V稳压线路、低功耗启动等优点。
[0038]如上所述，便可以很好的实现本发明。
【主权项】
1.基于半桥控制驱动电路的开关功率放大式逻辑控制系统，其包括与非门IC4，输入端与与非门IC4的输出端相连接的非门IC5，输出端与与非门IC4的负极输入端相连接的非门IC3，与与非门IC4的正极输入端相连接的第一逻辑链路和第二逻辑链路，以及与第一逻辑链路、第二逻辑链路及非门IC5的输出端相连接的开关功率放大电路；其特征在于，还包括有输入端分别与第一逻辑链路以及非门IC5的输出端相连接、输出端则与开关功率放大电路相连接的半桥控制驱动电路；所述半桥控制驱动电路由驱动芯片U1，场效应管M0S1，三极管Q4，N极与三极管Q4的发射极相连接、P极则经电阻R13后与第一逻辑链路相连接的二极管D8，正极与二极管D8的P极相连接、负极接地的极性电容C8，与极性电容C8相并联的稳压二极管D7，正极经电阻R16后与驱动芯片Ul的RT管脚相连接、负极则经电阻R14后与场效应管MOSl的栅极相连接的极性电容C10，串接在场效应管MOSl的栅极和源极之间的电阻R15，正极与驱动芯片Ul的CT管脚相连接、负极则与场效应管MOSl的漏极相连接的极性电容C9，一端与驱动芯片Ul的HV管脚相连接、另一端则与三极管Q4的基极相连接的电阻R17，以及P极与驱动芯片Ul的VS管脚相连接、N极则与极性电容ClO的负极一起形成该半桥控制驱动电路的输出端的二极管D9组成；该半桥控制驱动电路的输出端则与开关功率放大电路相连接；所述场效应管MOSl的源极则与非门IC5的输出端相连接；所述驱动芯片Ul的VCC管脚和其VB管脚分别与二极管D8的P极和N极相连接，其SGND管脚和VS管脚均与极性电容ClO的负极相连接，其PGND管脚接地；所述三极管Q4的集电极与极性电容ClO的负极相连接。2.根据权利要求1所述的基于半桥控制驱动电路的开关功率放大式逻辑控制系统，其特征在于，所述开关功率放大电路由功率放大器Pl，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器Pl的输出端与负极输入端之间的电阻Rl和电容Cl，串接在功率放大器P2的输出端与正极输入端之间的电阻R2和电容C2，基极与功率放大器PI的输出端相连接、集电极经电阻R3后与功率放大器P3的正极输入端相连接的三极管Q1，基极与三极管Ql的发射极相连接、集电极经电阻R4后与功率放大器P3的负极输入端相连接的三极管Q2，基极经电阻R6后与功率放大器P2的输出端相连接、集电极经电阻R5后与三极管Q2的基极相连接的三极管Q3，正极与功率放大器P3的负极输入端相连接、而负极与三极管Q2的发射极相连接并接地的电容C4，与电阻R6相并联的电容C3，一端与三极管Q3的基极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R7，一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R8，与电阻R8相并联的电容C5，以及N极与三极管Ql的集电极相连接、P极外接-4V电压的二极管Dl组成；所述二极管D9的N极与功率放大器Pl的正极输入端相连接，第二逻辑链路的输出端与功率放大器P2的负极输入端相连接，而极性电容ClO的负极则分别与功率放大器Pl的负极输入端和功率放大器P2的正极输入端相连接。3.根据权利要求2所述的基于半桥控制驱动电路的开关功率放大式逻辑控制系统，其特征在于，所述第一逻辑链路由非门IC1，输入端与非门ICl的输出端相连接、输出端顺次经电阻R12、二极管D4后与与非门IC4的正极输入端相连接的非门IC2，P极与非门ICl的输入端相连接、N极顺次经电阻RlO和电容C6后与非门ICl的输入端相连接的二极管D2，以及与二极管D2相并联的电阻R9组成；所述电容C6与电阻RlO的连接点接地，且非门IC2的输出端经电阻R13后与二极管D8的P极相连接。4.根据权利要求3所述的基于半桥控制驱动电路的开关功率放大式逻辑控制系统，其特征在于，所述的第二逻辑链路由异或门IC6，P极与与非门IC4的正极输入端相连接、N极与异或门IC6的第一输入端相连接的二极管D5，N极与非门IC3的输入端相连接、P极经二极管D6后与异或门IC6的第一输入端相连接的二极管D3，与二极管D3相并联的电阻R11，以及正极与二极管D3的N极相连接、负极接地的电容C7组成；所述异或门IC6的第二输入端与非门IC5的输出端相连接，异或门IC6的输出端则与功率放大器P2的负极输入端相连接。5.根据权利要求4所述的基于半桥控制驱动电路的开关功率放大式逻辑控制系统，其特征在于，所述电容Cl、电容C2、电容C6和电容C7均为贴片电容；所述电容C3、电容C4和电容C5均为电解电容。6.根据权利要求5所述的基于半桥控制驱动电路的开关功率放大式逻辑控制系统，其特征在于，所述电阻R1、电阻R2的阻值均为1K Ω，电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8的阻值均为20K Ω，电阻R9、电阻R10、电阻RlI和电阻R12的阻值均为15K Ω。7.根据权利要求6所述的基于半桥控制驱动电路的开关功率放大式逻辑控制系统，其特征在于，所述的驱动芯片Ul为GR6953集成电路。
【专利摘要】本发明公开了基于半桥控制驱动电路的开关功率放大式逻辑控制系统，包括与非门IC4，输入端与非门IC4的输出端相连的非门IC5，输出端与非门IC4的负极输入端相连的非门IC3，与非门IC4的正极输入端相连的第一逻辑链路和第二逻辑链路，以及与第一逻辑链路、第二逻辑链路及非门IC5的输出端相连的开关功率放大电路，还包括有输入端分别与第一逻辑链路以及非门IC5的输出端相连接、输出端则与开关功率放大电路相连接的半桥控制驱动电路；本发明采用半桥控制驱动电路来进行驱动，并且采用GR6953集成电路作为驱动芯片，使其驱动速度更快，并具有低功耗启动的优点，从而使本发明能耗比传统的逻辑控制系统降低1/2。
【IPC分类】H05B37/02
【公开号】CN104968077
【申请号】CN201510323857
【发明人】雷明方
【申请人】成都颉盛科技有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年6月13日
【公告号】CN104470080A