关，在步骤532中激活第=RF开关，并且在步骤534中，电容禪合在第 二串联RF开关和公共端口之间。
[0027] 根据实施例，一种电路包括：在相应的多个RF端口和公共RF端口之间禪合的多个 开关网络，W及控制电路。多个开关网络中的每一个包括在其相应的RF端口和公共RF端口 之间禪合的第一开关，并且多个开关网络中的至少一个包括在第一开关和公共RF端口之 间禪合的可选择的网络，使得可选择的网络提供处于第一状态的DC路径和处于第二状态 的串联电容。该控制电路被配置成通过下述方式建立RF路径：激活多个开关网络之一的第 一开关，并且去激活剩余多个开关网络的第一开关，并且当控制电路在第一模式下操作时， 将剩余多个开关网络之一中的可选择的网络置于第一状态，并且当控制电路在第二模式下 操作时，将剩余多个开关网络之一中的可选择的网络置于第二状态。在一些实施例中，多个 开关网络被布置在集成电路上。
[0028] 在实施例中，第一开关包括第一多个串联连接的晶体管。可选择的网络可包括第 二多个串联连接的晶体管。此外，可选择的网络在打开第二多个串联连接的晶体管时处于 第一状态，并在关掉第二多个串联连接的晶体管时处于第二状态。
[0029] 在实施例中，串联电容包括第二多个串联连接的晶体管的栅一一漏和栅一一源电 容。在其它实施例中，可选择的网络包括与开关并联禪合的电容器。
[0030] 在实施例中，与第一开关网络中的第一开关串联的可选择的网络被配置成在第一 模式中衰减在第二开关网络中传播的信号的=次谐波。可选择的网络可进一步包括在相应 的RF端口和参考节点之间禪合的并联开关。
[0031] 在实施例中，该电路进一步包括：禪合到公共RF端口的天线，W及禪合到多个RF 端口中的至少一个的功率放大器。匹配网络可进一步禪合在公共RF端口和天线之间。
[0032] 根据进一步的实施例，操作电路的方法包括：通过激活在第一端口和公共端口之 间禪合的第一串联RF开关、去激活在第二端口和第一节点之间禪合的第二串联RF开关、去 激活在第S端口和公共端口之间禪合的第S串联RF开关并在第一节点和公共端口之间禪 合电阻，提供从第一端口到公共端口的第一RF路径。该方法进一步包括：通过激活第二串 联RF开关、去激活第一RF开关和第=RF开关并在第一节点和公共端口之间禪合电阻，提 供从第二端口到公共端口的第二RF路径，并且通过激活第S串联RF开关、去激活第一串联 RF开关和第二串联RF开关并在第一节点和公共端口之间禪合电容，提供从第二端口到公 共端口的第SRF路径。
[0033] 在实施例中，激活第一串联RF开关包括激活第一多个串联连接的晶体管，激活第 二串联RF开关包括激活第二多个串联连接的晶体管，并且激活第=串联RF开关包括激活 第=多个串联连接的晶体管。在实施例中，在第一节点和公共端口之间禪合电容包括去激 活在第一节点和公共端口之间禪合的第四多个串联连接的晶体管，并且在第一节点和公共 端口之间禪合电阻包括激活第四多个串联连接的晶体管。可替代地，在第一节点和公共端 口之间禪合电容包括关掉旁路开关，该旁路开关与在第一节点和公共端口之间禪合的电容 器并联禪合，并且在第一节点和公共端口之间禪合电阻包括打开旁路开关。
[0034] 在实施例中，提供第一RF路径进一步包括在第S串联RF开关和公共端口之间禪 合进一步的电阻，提供第二RF路径进一步包括在第=串联RF开关和公共端口之间禪合进 一步的电容，并且提供第=RF路径进一步包括在第=串联RF开关和公共端口之间禪合进 一步的电阻。
[0035] 该方法可进一步包括：向第一RF路径提供第一频率，并向第=RF路径提供第二频 率，其中第二频率大于第一频率。在实施例中，提供第一RF路径进一步包括：使用第二串联 RF开关的电容和寄生电容的串联组合来衰减第一频率的谐波。该方法可进一步包括：通过 激活第一串联RF开关、去激活第二RF开关和第=RF开关并在第一节点和公共端口之间禪 合电容，为低电容提供从第一端口到公共端口的第一RF路径。
[0036] 根据进一步的实施例，一种电路包括：在相应的多个RF端口和公共端口之间禪合 的多个RF开关网络，使得多个RF开关网络中的每一个包括：在相应的RF端口和公共端口 之间禪合的第一开关部分；W及在第一开关部分和公共端口之间禪合的第二开关部分。该 电路还包括控制电路，该控制电路被配置成：通过激活多个RF开关网络之一的相应的第一 开关部分和第二开关部分而建立从多个RF端口之一到公共端口的RF路径，并且去激活剩 余多个RF开关网络的第一开关部分。在第一模式中，控制电路去激活剩余多个RF开关网 络的第二开关部分，而在第二模式中，控制电路激活剩余多个RF开关网络中的至少一个的 第二开关部分。
[0037] 第一开关部分可包括第一多个串联连接的晶体管，而第二开关部分可包括第二多 个串联连接的晶体管。在实施例中，第二模式被配置成通过用剩余多个RF开关网络中第一 开关部分的寄生电容来电容性地加载公共端口而衰减RF信号的谐波。
[003引在实施例中，该电路进一步包括：禪合到公共端口的天线，W及禪合到多个RF端 口中的至少一个的功率放大器。
[0039] 根据进一步的实施例，一种电路包括：在第一端口和公共端口之间禪合的第一串 联RF开关，在第二端口和第一节点之间禪合的第二串联RF开关，在第S端口和公共端口之 间禪合的第S串联RF开关，W及在第一节点和公共端口之间禪合的开关串联电容电路，其 中该开关串联电容电路被配置成是处于电容性状态的电容器和处于电阻性状态的电阻器。 该电路还包括控制电路，该控制电路被配置成：通过激活第一串联RF开关、去激活第二串 联RF开关、去激活第=串联RF开关并将开关串联电容电路置于电阻性状态，提供从第一端 口到公共端口的第一RF路径。通过激活第二串联RF开关、去激活第一串联RF开关、去激 活第=RF开关并将开关串联电容电路置于电阻性状态，该控制电路进一步提供从第二端 口到公共端口的第二RF路径。通过激活第=串联RF开关、去激活第一串联RF开关、去激 活第二RF开关并将开关串联电容电路置于电容性状态，还由控制电路提供从第=端口到 公共端口的第=RF路径。第一串联RF开关、第二串联RF开关、第=串联RF开关和开关串 联电容电路可被布置在集成电路上。该电路可进一步包括在进一步的端口和公共节点之间 禪合的进一步的串联RF开关。
[0040] 在实施例中，第一串联RF开关包括第一多个串联连接的晶体管，第二串联RF开关 包括第二多个串联连接的晶体管，而第SRF开关包括第S多个串联连接的晶体管。开关串 联电容电路可包括第四多个串联连接的晶体管，当关掉第四多个串联连接的晶体管时，开 关串联电容处于电容性状态，而当打开第四多个串联连接的晶体管时，开关串联电容处于 电阻性状态。
[0041] 在实施例中，开关串联电容的电容包括第四多个开关晶体管的栅一一漏和栅一一 源电容。在实施例中，第一多个晶体管多于第二多个晶体管。开关串联电容电路可包括与 开关并联禪合的电容器。
[0042] 在实施例中，开关串联电容电路和第二串联RF开关被配置成：当第一RF路径是活 动的时，衰减由第一RF路径传播的信号的S次谐波。该电路可进一步包括：在第一端口和 参考节点之间禪合的第一并联RF开关，在第二端口和参考节点之间禪合的第二并联RF开 关，W及在第S端口和参考节点之间禪合的第S并联RF开关。在一些实施例中，该电路进 一步包括在第SRF开关和公共端口之间禪合的进一步的开关串联电容电路。
[0043] 在实施例中，该控制电路被进一步配置成：当提供第一RF路径且当提供第SRF路 径时，将进一步的开关串联电容电路置于电阻性状态，并且当提供第二RF路径时，将进一 步的开关串联电容电路置于电容性状态。
[0044] -些实施例的优点包括在RF开关系统中实现高线性而不使用额外的滤波组