件的 能力。进一步的优点包括允许RF开关在高电压击穿性能和滤波之间权衡。进一步的优点 包括对感性负载(诸如在失谐天线中发现的那些）的电容性预匹配。
[0045] 虽然已经参考说明性实施例描述了本发明，但并不旨在W限制性意义解释该描 述。在参考该描述时，说明性实施例的各种修改和组合W及该发明的其它实施例将对本领 域技术人员显而易见。
【主权项】
1. 一种电路，包括： 在相应的多个RF端口和公共RF端口之间耦合的多个开关网络，其中： 多个开关网络中的每一个包括在其相应的RF端口和公共RF端口之间耦合的第一开 关，以及 多个开关网络中的至少一个包括在第一开关和公共RF端口之间耦合的可选择的网 络，其中可选择的网络提供处于第一状态的DC路径和处于第二状态的串联电容；以及 控制电路，被配置成通过下述方式建立RF路径： 激活多个开关网络之一的第一开关，并且去激活剩余多个开关网络的第一开关，以 及 当控制电路在第一模式下操作时，将剩余多个开关网络之一中的可选择的网络置于 第一状态，以及 当控制电路在第二模式下操作时，将剩余多个开关网络之一中的可选择的网络置于 第二状态。2. 根据权利要求1所述的电路，其中第一开关包括第一多个串联连接的晶体管。3. 根据权利要求2所述的电路，其中： 可选择的网络包括第二多个串联连接的晶体管； 当打开第二多个串联连接的晶体管时，可选择的网络处于第一状态；以及 当关掉第二多个串联连接的晶体管时，可选择的网络处于第二状态。4. 根据权利要求3所述的电路，其中串联电容包括第二多个串联连接的晶体管的 概 漏和概 源电容。5. 根据权利要求1所述的电路，其中可选择的网络包括与开关并联耦合的电容器。6. 根据权利要求1所述的电路，其中与第一开关网络中的第一开关串联的可选择的网 络被配置成在第一模式中衰减在第二开关网络中传播的信号的三次谐波。7. 根据权利要求1所述的电路，其中可选择的网络进一步包括在相应的RF端口和参考 节点之间耦合的并联开关。8. 根据权利要求1所述的电路，其中多个开关网络被布置在集成电路上。9. 根据权利要求1所述的电路，进一步包括： 耦合到公共RF端口的天线；以及 耦合到多个RF端口中的至少一个的功率放大器。10. 根据权利要求9所述的电路，进一步包括：在公共RF端口和天线之间耦合的匹配 网络。11. 一种操作电路的方法，该电路包括：在第一端口和公共端口之间親合的第一串联 RF开关，在第二端口和第一节点之间耦合的第二串联RF开关，以及在第三端口和公共端口 之间耦合的第三串联RF开关，该方法包括： 通过激活第一串联RF开关、去激活第二串联RF开关和第三串联RF开关并在第一节点 和公共端口之间耦合电阻，提供从第一端口到公共端口的第一RF路径； 通过激活第二串联RF开关、去激活第一串联RF开关和第三串联RF开关并在第一节点 和公共端口之间耦合电阻，提供从第二端口到公共端口的第二RF路径；以及 通过激活第三串联RF开关、去激活第一串联RF开关和第二串联RF开关并在第一节点 和公共端口之间耦合电容，提供从第二端口到公共端口的第三RF路径。12. 根据权利要求11所述的方法，其中： 激活第一串联RF开关包括激活第一多个串联连接的晶体管； 激活第二串联RF开关包括激活第二多个串联连接的晶体管；以及 激活第三串联RF开关包括激活第三多个串联连接的晶体管。13. 根据权利要求12所述的方法，其中： 在第一节点和公共端口之间耦合电容包括去激活在第一节点和公共端口之间耦合的 第四多个串联连接的晶体管；以及 在第一节点和公共端口之间耦合电阻包括激活第四多个串联连接的晶体管。14. 根据权利要求12所述的方法，其中： 在第一节点和公共端口之间耦合电容包括关掉旁路开关，该旁路开关与在第一节点和 公共端口之间耦合的电容器并联耦合；以及 在第一节点和公共端口之间耦合电阻包括打开旁路开关。15. 根据权利要求11所述的方法，其中： 提供第一RF路径进一步包括在第三串联RF开关和公共端口之间耦合进一步的电阻； 提供第二RF路径进一步包括在第三串联RF开关和公共端口之间耦合进一步的电容； 以及 提供第三RF路径进一步包括在第三串联RF开关和公共端口之间耦合进一步的电阻。16. 根据权利要求11所述的方法，进一步包括： 向第一RF路径提供第一频率；以及 向第三RF路径提供第二频率，其中第二频率大于第一频率。17. 根据权利要求16所述的方法，其中提供第一RF路径进一步包括：使用第二串联RF 开关的电容和寄生电容的串联组合来衰减第一频率的谐波。18. 根据权利要求11所述的方法，进一步包括：通过激活第一串联RF开关、去激活第 二RF开关和第三RF开关并在第一节点和公共端口之间耦合电容，为低电容提供从第一端 口到公共端口的第一RF路径。19. 一种电路，包括： 在第一端口和公共端口之间耦合的第一串联RF开关； 在第二端口和第一节点之间耦合的第二串联RF开关； 在第三端口和公共端口之间耦合的第三串联RF开关； 在第一节点和公共端口之间耦合的开关串联电容电路，其中该开关串联电容电路被配 置成是处于电容性状态的电容器和处于电阻性状态的电阻器；以及 控制电路，被配置成： 通过激活第一串联RF开关、去激活第二串联RF开关、去激活第三串联RF开关并将 开关串联电容电路置于电阻性状态，提供从第一端口到公共端口的第一RF路径； 通过激活第二串联RF开关、去激活第一串联RF开关、去激活第三RF开关并将开关 串联电容电路置于电阻性状态，提供从第二端口到公共端口的第二RF路径；以及 通过激活第三串联RF开关、去激活第一串联RF开关、去激活第二RF开关并将开关 串联电容电路置于电容性状态，提供从第三端口到公共端口的第三RF路径。20. 根据权利要求19所述的电路，其中： 第一串联RF开关包括第一多个串联连接的晶体管； 第二串联RF开关包括第二多个串联连接的晶体管；以及 第三RF开关包括第三多个串联连接的晶体管。21. 根据权利要求20所述的电路，其中： 开关串联电容电路包括第四多个串联连接的晶体管； 当关掉第四多个串联连接的晶体管时，开关串联电容处于电容性状态；以及 当打开第四多个串联连接的晶体管时，开关串联电容处于电阻性状态。22. 根据权利要求21所述的电路，其中开关串联电容的电容包括第四多个开关晶体管 的概 漏和概 源电容。23. 根据权利要求21所述的电路，其中第一多个晶体管多于第二多个晶体管。24. 根据权利要求20所述的电路，其中开关串联电容电路包括与开关并联耦合的电容 器。25. 根据权利要求19所述的电路，进一步包括：在第三RF开关和公共端口之间耦合的 进一步的开关串联电容电路，其中控制电路被进一步配置成： 当提供第一RF路径且当提供第三RF路径时，将进一步的开关串联电容电路置于电阻 性状态；以及 当提供第二RF路径时，将进一步的开关串联电容电路置于电容性状态。26. 根据权利要求19所述的电路，进一步包括：在进一步的端口和公共端口之间耦合 的进一步的串联RF开关。
【专利摘要】本发明涉及用于射频开关的系统和方法。根据实施例，一种电路包括：在相应的多个RF端口和公共RF端口之间耦合的多个开关网络，以及控制电路。多个开关网络中的每一个包括在其相应的RF端口和公共RF端口之间耦合的第一开关，并且多个开关网络中的至少一个包括在第一开关和公共RF端口之间耦合的可选择的网络，使得可选择的网络提供处于第一状态的DC路径和处于第二状态的串联电容。
【IPC分类】H03K17/687
【公开号】CN105322933
【申请号】CN201510298149
【发明人】W.巴卡尔斯基, N.伊尔科夫
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年6月3日
【公告号】DE102015108819A1, US20150349770