弹性波装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及弹性波装置。
【背景技术】
[0002] W往，作为弹性波装置，提出了使用基板端面反射弹性波的端面反射型的弹 性波装置。端面反射型的弹性波装置中，通过形成在压电基板上的IDTdnterdigital Trans化cer)电极所激发的弹性波传播至基板的端面，在该端面反射。此种端面反射型的弹 性波装置例如如下制造。目P，首先，将圆盘状的压电晶片和热膨胀系数小于该压电晶片的支 撑晶片接合，制作圆盘状的复合晶片。接着，在该复合晶片的压电晶片上分割出多个规定尺 寸的矩形区域，在各个矩形区域形成IDT电极。然后，通过划片机等切割装置，将复合晶片 按矩形区域切割。如此，得到具备有压电基板与支撑基板接合而成的近长方体状复合基板， W及形成在压电基板上的IDT电极的弹性波装置。另外，使用复合基板是为了减小溫度变 化时的压电基板的大小变化，抑制弹性波装置的对于溫度变化的频率特性变化。
[0003] 但是，切割复合晶片时，压电晶片的切割面会产生缺口，其成为寄生信号（因共振 而在峰前后产生的小而不需要的峰）增加的原因。为了抑制此种寄生信号，专利文献1、2 中，采用如下的制法。目P，专利文献1中，采用的顺序是：（1)在形成IDT电极前，在矩形区 域周边，用划片机设置切割沟；（2)接着研磨压电晶片的表面，除去切割沟的开口附近的缺 口，（3)接着形成IDT电极，（4)然后使用宽度小于切割沟的划片机，切下弹性波装置。另一 方面，专利文献2中，采用的顺序是：（1)在复合晶片中设置了压电晶片的多个矩形区域上， 分别形成IDT电极；（2)接着在每个矩形区域，通过激光切割法，从支撑晶片侧切槽至未到 达压电晶片的深度；（3)然后通过施加可W分割支撑晶片的应力，切下弹性波装置。 现有技术文献 专利文献
[0004] 【专利文献1】日本专利特开2002-261559号公报 【专利文献2】日本专利特开2002-9583号公报
【发明内容】
阳〇化]但是，上述的专利文献1、2中，虽然记载了通过除去弹性波反射端面、即与弹性波 传播方向正交的端面的缺口而抑制寄生信号，但没有考虑与弹性波传播方向平行的端面。 本发明者们发现，与弹性波传播方向平行的端面是没有缺口的光滑面时，该端面会反射不 需要的弹性波，成为寄生信号增加的一个原因。
[0006] 本发明的主要目的是解决此种课题，更确切地抑制端面反射型的弹性波装置中的 寄生信号。
[0007] 本发明的弹性波装置， 是端面反射型的弹性波装置，在支撑基板与压电基板相接合而成的近长方体状复合基 板中的所述压电基板上，配置有一对相互插入的IDT电极， 所述压电基板的侧面中的与弹性波传播方向正交的第I侧面的缺口尺寸，在弹性波波 长入的1/10W下， 所述压电基板的侧面中的与弹性波传播方向平行的第2侧面的缺口尺寸，大于所述第 1侧面的缺口尺寸，在弹性波波长A的1/2W上、50倍W下。
[000引该弹性波装置中，由于反射期望波长的弹性波的第1侧面的缺口尺寸在弹性波波 长入的1/10W下，因此第1侧面上的反射量充分提高。此外，由于难W产生第1侧面位置 偏离引起的弹性波相位变化，因而可W抑制伴随相位变化而产生的寄生信号。另一方面，由 于第2侧面的缺口尺寸大于第1侧面的缺口尺寸、在弹性波波长A的1/2W上、50倍W下， 因此不需要的波长的弹性波难W在第2侧面反射，运一点也可W抑制寄生信号的发生。第2 侧面的缺口尺寸不足波长A的1/2时，不需要的波长的弹性波容易在第2侧面反射，容易 发生寄生信号，因此并不理想。第2侧面的缺口尺寸超过波长A的50倍时，谐振器的Q值 会恶化，因此并不理想。
[0009] 本发明的弹性波装置中，所述第2侧面的缺口尺寸优选在弹性波波长A的12. 5 倍W上、50倍W下。运样的话，可W进一步抑制寄生信号的发生。
[0010] 本发明的弹性波装置中，优选所述支撑基板的热膨胀系数小于所述压电基板。运 样的话，可W减小溫度变化时的压电基板大小的变化，抑制弹性波装置的相对于溫度变化 的频率特性的变化。
【附图说明】
[0011] 【图1】弹性波装置10的侧视图。 【图2】弹性波装置10的平面图。 【图3】图2的A-A截面图。 【图4】显示弹性波装置10的制造流程的侧视图。 【图5】切割的说明图。 符号说明 10弹性波装置，12压电基板，12a第1侧面，1化第2侧面，14支撑基板，15复合基 板，16、18IDT电极，16a、18a基部，1化、18b宽电极栅线，16c、18c细电极栅线，22压电晶 片，24支撑晶片，25复合晶片。
【具体实施方式】
[0012] 接着，根据【附图说明】本发明的实施方式。图1及图2是本实施方式的弹性波装置 10的侧视图及平面图，图3是图2的A-A截面图。
[0013] 弹性波装置10是端面反射型的弹性波装置，在压电基板12与支撑基板14接合而 成的近长方体状复合基板15中的压电基板12上，配置有一对相互插入的IDT电极16、18。
[0014] 压电基板12是可W传播声表面波（SAW)的基板。作为该压电基板12的材质，可 举出粗酸裡化T)、妮酸裡（LN)、妮酸裡-粗酸裡固溶体单晶、水晶、棚酸裡、氧化锋、氮化侣、 娃酸嫁铜（LGS)、粗酸嫁铜（LGT)等。其中，优选LT或LN。运是因为LT和LN的SAW的传 播速度快，机电禪合系数大，因而适合用作高频率并且宽频带频率用的弹性波装置。压电基 板12的厚度并无特别限定，例如可W是0. 2~50ym。该压电基板12具有与弹性波传播 方向（SAW传播方向）正交的第I侧面12a、与SAW传播方向平行的第2侧面12b。被激发 的SAW的波长为A、互相相对的第1侧面12a相互间的距离为L(参照图3)的话，L设计为 入/2的整数倍。
[0015] 支撑基板14的热膨胀系数小于压电基板12,通过直接键合在压电基板12的背面 而接合，或者通过有机粘合层接合。通过使支撑基板14的热膨胀系数小于压电基板12,可 W抑制溫度变化时的压电基板12的大小变化，可W抑制将复合基板15用于弹性波装置10 时的频率特性的溫度变化。作为支撑基板14的材质，可举出娃、蓝宝石、氮化侣、氧化侣、棚 娃酸盐玻璃、石英玻璃等，优选娃或蓝宝石。此外，支撑基板14的厚度并无特别限定，例如 可W是 200 ~1200Jim。
[0016] 复合基板15是压电基板12与支撑基板14接合而成。接合可W采用直接键合，也 可W采用通过有机粘合层接合的间接接合。此种复合基板15为近长方体状，其尺寸并无特 别限定，例如纵横可W是ImmX2mm或2mmX2. 5mm等。 阳017] IDT电极16具备有：与SAW传播方向平行的基部16a;从基部16a起，向着与SAW 传播方向正交的方向延伸的宽电极栅线16b;从基部16a起，向着与SAW传播方向正交的方 向延伸、配置在SAW传播方向端部的细电极栅线16c。此外，IDT电极18也相同的具备有基 部18a、宽电极栅线18b、细电极栅线18c。两IDT电极16、18互不接触，分离配置。具体的， IDT电极16的2个宽电极栅线16b中的一方配置为插入到IDT电极18的相邻2个宽电极 栅线18b之间，另一方配置为插入到宽电极栅线18b和细电极栅线18c之间。在运里，被激 发的弹性表面波波长为A的话，如图3所示，宽电极栅线16b、18b的宽度为A/4,邻接的电 极栅线的缝隙宽度也是A/4,细电极栅线16c、18c的宽度是A/8。 阳01引此种弹性波装置10中，被IDT电极16、18激发的波长A的SAW传播至压电基板 12的第1侧面12曰，在第1侧面12a反射。本实施方式中，由于第1侧面12a的缺口尺寸在 SAW波长A的1/10W下，因此第1侧面12a上的反射量充分提高。此外，由于第1侧面12a 的面精度高，难W产生第1侧面12a的位置偏离所引起的SAW的相位变化，因此可W抑制伴 随相位变化所产生的寄生信号。另一方面，第2侧面12b的缺口尺寸大于第1侧面12a的 缺口尺寸，具体在波长A的1/2W上、50倍W下。因此，不需要的波长的SAW难W在第2侧 面1化反射，运一点也可W抑制寄生信号的发生。
[0019] 接着，使用图4如下说明弹性波装置10的制造方法。图4显示的是弹性波装置10 的制造流程的侧视图。
[0020] 首先，准备好具有定向平面（0巧的圆盘状压电晶片22、W及相同形状的支撑晶片 24(参照图4