弹性波装置以及弹性波模块的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及弹性波装置以及弹性波模块。
【背景技术】
[0002]以往，已知一种激励电极形成在压电基板上的弹性波装置(SurfaceAcousticWave:以下，简称为SAW装置)。该SAW装置利用能够通过激励电极与压电基板的关系来将电信号与声表面波相互变换的特性，而被用作得到特定的频率的滤波器。
[0003]在被用于移动电话等移动终端的双工器中，以往，主要使用电介质滤波器，但近年来，开始使用能够高性能且小型轻量化的SAW装置。作为在安装有电容器等的电路基板安装了SAW装置的SAW模块而被搭载于移动终端。在移动终端中，SAW模块具有将从天线部收发的电信号通过双工器滤波成接收信号和发送信号的作用。
[0004]近年来，随着移动终端的小型化发展，SAW装置的低高度化变得必须。作为使SAW装置低高度化的构造，已知例如晶圆级封装(Wafer Level Package:以下，简称为WLP)构造(例如，参照日本特开2010-56671号公报)JLP构造的SAW装置是具有与形成于压电基板的激励电极电连接的贯通导体的罩体被配置于压电基板上的构造。
【发明内容】
[0005]-发明要解决的课题_
[0006]但是，由于WLP构造的SAW装置是将罩体侧向下来安装于电路基板的装置，因此对于罩体要求安装时的耐冲击性。
[0007]因此，本发明鉴于上述情况而提出，其目的在于，提供一种能够提高罩体的耐冲击性的弹性波装置。
[0008]_解决课题的手段-
[0009]本发明的弹性波装置具备:压电基板、激励电极、电极焊盘和罩体。激励电极被配置在压电基板上。电极焊盘被配置在压电基板上，与激励电极电连接。罩体被配置在压电基板上，以使得与激励电极之间配置振动空间。罩体在内部具有与电极焊盘电连接的贯通导体，并且该罩体的与压电基板对置的面向激励电极侧靠近地弯曲。
[0010]-发明效果-
[0011 ]根据本发明，能够提供一种能够提高罩体的耐冲击性的弹性波装置。
【附图说明】
[0012]图1是本发明的一实施方式所涉及的SAW装置的外观俯视图。
[0013]图2是在图1的SAW装置中取下罩体时的俯视图。
[0014]图3是将图2的SAW装置的一部分放大的俯视图。
[0015]图4相当于在1-1线来将图1的SAW装置切断时的剖面。
[0016]图5是将图4的SAW装置的一部分放大的放大剖视图。
[0017]图6是在图5中说明机理的图。
[0018]图7表示图1的SAW装置的变形例，是将在图1的1-1线进行切断时的剖面放大的图。
[0019]图8表示图1的SAW装置的变形例，是将在图1的1-1线进行切断时的剖面放大的图。
[0020]图9表示图1的SAW装置的变形例，是将在图1的1-1线进行切断时的剖面放大的图。
[0021]图10表示本发明的一实施方式所涉及的SAW模块的剖视图，相当于通过图1的1-1线来切断的剖面。
[0022]图11表示图1的SAW装置的变形例，是透视状态的俯视图。
[0023]图12表示图1的SAW装置的变形例，是将通过图1的1-1线来切断时的剖面放大的图。
[0024]图13是表示制造图12所示的SAW装置的制造工序的每个工序的主要部分的剖视图。
[0025]图14表示图1的SAW装置的变形例，是将通过图1的I_I线来切断时的剖面放大的图。
【具体实施方式】
[0026]以下，参照附图来说明本发明的实施方式所涉及的SAW装置。另外，以下的说明中使用的图是示意性的，附图上的尺寸比率等并不一定与现实的部件一致。
[0027]〈SAW装置的结构〉
[0028]以下，说明本发明的一实施方式所涉及的SAW装置。本实施方式所涉及的SAW装置I如图1?9、11?14所示，具有:压电基板2、激励电极3、电极焊盘4、罩体5以及贯通导体6。
[0029]SAW装置I能够以晶圆级来形成各个结构。SAW装置I在移动终端中，具有对天线部与信号运算电路(例如，IC)交换的电信号进行滤波的功能。
[0030]SAW装置I具有多个电极焊盘4，经由其中的任意电极焊盘4来进行信号的输入。被输入的信号通过激励电极3等而被滤波。然后，SAW装置I经由多个电极焊盘4之中的除了输入信号所进入的电极焊盘4以外的电极焊盘4来输出滤波的信号。
[0031]压电基板2由钽酸锂单晶、铌酸锂单晶、四硼酸锂单晶等具有压电性的单晶的基板构成。压电基板2例如形成为长方体状，具有矩形形状并且相互平行且平坦的上表面2A以及第2主面2B。压电基板2的大小被适当地设定即可。压电基板2的厚度例如能够设定为0.2_以上0.5mm以下。压电基板2的一边的长度例如能够设定为0.6mm以上3mm以下。
[0032]在压电基板2上设置激励电极3。如图3所示，激励电极3由梳齿状电极构成。在以下的说明中，存在表示为梳齿状电极3的情况。梳齿状电极3的至少2根汇流条电极3a被对置配置，具有在相互的方向上延伸并且两者交叉的电极指3b。多个梳齿状电极3也可以构成通过串联连接或者并联连接等来连接的梯型SAW滤波器。此外，多个梳齿状电极3也可以构成多个激励电极3被排列在一个方向的双模SAW谐振器滤波器。
[0033]如图3等所示，电极焊盘4被配置在压电基板2上。电极焊盘4的俯视形状被适当地设定即可。在本实施方式中，电极焊盘4是圆形的。电极焊盘4的数量以及配置位置根据由多个激励电极3构成的滤波器的结构来适当地设定即可。电极焊盘4的宽度例如能够设定为60Mi以上ΙΟΟμπι以下。
[0034]如图3所示，电极焊盘4通过布线7而与激励电极3电连接。布线7在上表面2Α上形成为层状，将激励电极3的汇流条电极3a与电极焊盘4电连接。另外，布线7不是必须形成于上表面2A，例如也可以存在隔着绝缘体而立体交叉的部分。
[0035]激励电极3、电极焊盘4以及布线7(形成于上表面2A的部分)能够通过相同的制造工序来形成。因此，激励电极3、电极焊盘4以及布线7例如由相同的导电材料构成。作为导电材料，例如能够使用Al-Cu合金等Al合金。此外，激励电极3、电极焊盘4以及布线7例如被设定为相同的膜厚。作为这些的厚度，例如能够设定为10nm以上500nm以下。
[0〇36] 针对通过派射法、蒸镀法、CVD(Chemical Vapor Deposit1n，化学气相沉积)法等薄膜形成法而形成的金属膜，能够通过使用了过微小投影曝光机(步进器，stepper)或者RIE(Reactive 1n Etching，反应离子蚀刻)装置的光刻法，来形成激励电极3、布线7以及电极焊盘4。
[0037]也可以在激励电极3、布线7以及电极焊盘4上形成保护膜。保护膜由绝缘性材料构成，例如能够使用氧化硅(S12)、氮化硅(Si3N4)或者硅(Si)等。保护膜的厚度能够设定为5nm以上50nm以下。
[0038]能够利用光刻法对通过CVD法、溅射法等薄膜形成法而形成的膜进行图案化来得到保护膜。通过形成这种保护膜，能够保护激励电极3以及布线7，能够难以被氧化。另外，保护膜被设置为使电极焊盘4的上表面露出。
[0039]保护膜也可以形成在上表面2A的整体。在该情况下，后述的密封树脂8被配置在罩体5与保护膜之间即可。由此，由于能够使罩体5与密封树脂8的热膨胀系数的差比密封树脂8与压电基板2的热膨胀系数的差小，因此能够难以由于热膨胀系数的差而进行剥离。其结果，能够提高密封树脂8的紧贴性。
[0040]为了提高与后述的凸块(bump)lO的紧贴性或者电特性，也可以在电极焊盘4上配置层叠了金属材料的连接电极4’。连接电极4’的厚度例如能够设定为Ιμπι以上2μπι以下。这种连接电极4 ’能够通过剥离(I if tof f)法来形成。连接电极4 ’的材料被适当地选择即可。在使用由铜构成的金属凸块来作为凸块10的情况下，例如能够使用将钛以及铜依次层叠而得到的材料。
[0041]罩体5被配置在压电基板2上。罩体5能够通过由陶瓷材料构成的陶瓷基板、或者由有机材料构成的有机基板、或者由感光性材料构成的薄片状的部件等构成。罩体5被配置成在与激励电极3之间形成振动空间Sp。本实施方式中是罩体5由有机基板构成的情况。
[0042]构成罩体5的有机基板例如能够使用在由环氧树脂等有机材料构成的基材中配置由玻璃等构成的纤维5a的基板。纤维5a在罩体5的平面方向(xy方向)上延伸。在X方向延伸的纤维5a与在y方向延伸的纤维5a被编织为在俯视下成网眼状。这样通过具有纤维5a，从而在安装SAW装置I时受到的力容易在纤维5a中传播并在平面方向上散开，因此应力被分散，能够提高罩体5的耐冲击性。另外，罩体5也可以不具有纤维5a。
[0043]罩体5的厚度例如能够被设定为80μπι以上300μπι以下。罩体5的平面方向的宽度例如能够设定为0.6mm