[0099] 对其进行详述，如前所述，通过使高频电流流经，天线本体24的电位将上升（例 如参照图5 (A)、图5度)）。此时，若在天线本体24与绝缘管22间存在空间23,则会成为下 述形式，即，在天线本体24与绝缘管22的表面之间，存在于该空间23中的小的静电电容 C3与存在于绝缘管22的厚度内的相对较大的静电电容C4串联连接，因此该串联合成静电 电容小。因而，绝缘管22的表面难W受到天线本体24的电位上升的影响，因此能够抑制绝 缘管22表面的电位上升。由此，能够抑制等离子体16的电位上升。与此相对，若天线本体 24 (具体而言为其金属管26)不隔着所述空间23而与绝缘管22的内壁接触，则不存在所述 串联的静电电容C3,因此绝缘管22的表面将容易受到天线本体24的电位上升的影响，绝缘 管22表面的电位上升也会变大。由此，等离子体16的电位上升也会变大。
[0100] 也可如图1所示的示例般，将电容器64串联连接于天线电路的返回导体62。在该 返回导体62中也存在电感及电阻。若设置有电容器64,则能够利用该电容性电抗来减小高 频电流的闭合回路整体的阻抗的虚数部，从而能够减小该阻抗。因而，容易使高频电流 V流经天线20。电容器64的静电电容C2例如只要设为下述程度即可，即，其电容性电抗能 够抵消返回导体62中存在的感应性电抗。
[0101] (2)天线等的其他实施方式
[0102] 接下来，对天线20等的几种其他实施方式进行说明。W下，对于与之前参照图1~ 图5(A)、图5度）所说明的实施方式相同或相当的部分标注相同的符号，主要说明与之前的 实施方式的不同之处。而且，主要说明W下的各实施方式间的不同之处。
[0103] 之前的实施方式的天线20采用了下述结构，即，例如参照图2,在中空绝缘体28 的外周面设置有电容器30,并从第1电极32及第2电极34将导线部（或图3的连接导体 38、40)引出并连接至各金属管26上。
[0104] 中空绝缘体28的材质如上所述，例如为玻璃、氧化侣等陶瓷或者聚酸酸酬（P邸K) 或聚苯硫酸（PP巧等工程塑料等，但一般而言，他们的导热率远小于金属。将几种材料的导 热率的示例表示如下。
[0105] 阳EK :约 0. 26[W/mK]
[010引 PPS :约 0. 3 ~0. 55 [W/mK]
[0107] 玻璃：约l[W/m时
[010引 侣：约 236[W/mK]
[010引 铜：约 398[W/mK]
[0110] 因而，即便使冷却水44流经中空绝缘体28内，但由于中空绝缘体28的导热率小， 因此电容器30的冷却效果仍不太好，在此点上存在进一步改善的余地。而且，还存在进一 步简化电容器30部分的结构的期望。
[0111] 因此，W下对进一步改善了运些方面的天线20的几种实施方式进行说明。
[0112] 图6所示的实施方式的天线20中，其天线本体24也具有与所述中空绝缘体28两 侧的金属管26电性串联地相连的电容器30。目P，采用了将中空绝缘体28两侧的金属管26 与电容器30电性串联连接的结构。因而，在电容器30部分为一个的情况下，该天线20的 等效电路与图5所示的等效电路相同。
[0113] 说明该电容器30的结构如下。目P，若将中空绝缘体28的其中一个端部与金属管 26的连接部称作第1连接部66,将另一端部与金属管26的连接部称作第2连接部68,则电 容器30 (a)兼用第1连接部66侧的金属管26的一部分来作为该电容器30的第1电极，且 具备：化）介电体36,设置在从第1连接部66侧的金属管26的外周部直到中空绝缘体28 的外周部的区域；W及（C)第2电极34,该第2电极34是设置在从介电体36的外周部直 到第2连接部68侧的金属管26的外周部的区域，且与第2连接部68侧的金属管26电连 接的电极，其具有介隔介电体36而重叠于第1连接部66侧的金属管26的区域CA。换言 之，介电体36是跨及第1连接部66侧的金属管26的外周部与中空绝缘体28的外周部而 设置。第2电极34是从第1连接部66侧的金属管26上的介电体36的外周部跨及第2连 接部68侧的金属管26的外周部而设置。
[0114] 所述重叠的区域CA在此处形成静电电容，因此可称作静电电容形成区域。电容器 30兼用包含该静电电容形成区域CA的部分的金属管26来作为该电容器的第1电极。
[011引金属管26、中空绝缘体28、第2电极34及介电体36等的材质的示例如前所述。
[0116] 介电体36的中空绝缘体28侧的端部也可越过第2连接部68而延伸至第2连接 部68侧的金属管26的外周部为止。但是，设为不会妨碍第2电极34与该侧的金属管26 的电连接的情况。
[0117] 第1连接部66侧的金属管26上的第2电极34优选W下述方式设置，即，除了从 介电体36的轴方向的前端部算起的规定距离化W外覆盖介电体36。若如此，则该侧的金 属管26与第2电极34之间的沿面距离会增大，因此能够提高两者间的耐电压。因而，该距 离化的大小只要根据所需的耐电压来决定即可。
[011引该电容器30的静电电容C能够W与前述的数1相同的下式表达。S为所述静电电 容形成区域CA的面积，d为第2电极34与其下的金属管26间的距离，ε为介电体36的 介电常数。如后述的另一实施方式（参照图7、图9等）般，在介电体36或介电体片材36a 的两面形成有金属膜70、72的情况下，S为两金属膜70、72相对向的静电电容形成区域CA 的面积，d为介电体36或介电体片材36a的厚度，ε为介电体36或介电体片材36a的介电 常数。因而，通过改变所述S、t ε中的一个W上，能够调整电容器30的静电电容C。
[011引[数引
[0120] C = ε · S/d
[0121] 本实施方式的情况下，对于中空绝缘体28与其两侧的金属管26的连接部，也可使 用图4所示的示例般的管用锥形螺丝结构。此时，与金属管26的端部接合的金属制且为母 螺纹的锥形螺丝部42 (参照图4)为金属制且与金属管26电性导通，因此在图6所示的实 施方式中，将所述锥形螺丝部42认为是金属管26的一部分即可。在W下所述的其他实施 方式中也同样如此。
[0122] 本实施方式的天线20也具有与中空绝缘体28两侧的金属管26电性串联地相连 的所述电容器30,因此起到与之前的实施方式的天线20所起到的前述效果（即所述效果 1~效果4)同样的效果。关于所述效果4,本实施方式的电容器30采用了下述结构，即，兼 用第1连接部66侧的金属管26的一部分来作为该电容器30的第1电极，在其外周部具有 介电体36,进而在其外周部具有第2电极34,因此也无须太过增大金属管26与其外侧的绝 缘管22之间的距离，且也无须太过增大对流经内部的冷却水44的流动的阻力。
[0123] 除此W外，本实施方式的天线20还起到下述进一步的效果。
[0124] 电容器30兼用第1连接部66侧的金属管26的一部分来作为该电容器30的第1 电极，且在从该金属管26的外周部直到中空绝缘体28的外周部的区域内设置有介电体36， 并且在该金属管26内流经有冷却水44,因此能够利用该金属管26的高导热率来效率良好 地冷却介电体36。如之前已例示般，用于金属管26的侣、铜等的导热率远比用于中空绝缘 体28的绝缘物大。其结果，能够抑制伴随高频电力的施加而引起的介电体36的溫度上升 所造成的损伤，从而能够提高电容器30的耐热性。
[01巧]进而，电容器30兼用第1连接部66侧的金属管26的一部分来作为该电容器30 的第1电极，因此无须单独设置第1电极，因而能够实现结构的简化及零件个数的削减。
[0126] 也可如图7所示的实施方式般，在构成电容器30的介电体36的内侧面及外侧面 上，W相对向的方式且彼此电绝缘地形成有金属膜70、72。此时，内侧面的金属膜70电连接 于第1连接部66侧的金属管26,外侧面的金属膜72电连接于第2电极34。
[0127] 另外，图7、图9、图10中，省略了绝缘管22的图示，但天线与之前的实施方式的情 况同样具有绝缘管22。
[012引作为在介电体36上形成金属膜70、72的形成方法，例如只要使用真空蒸锻、离子 锻敷（ion planting)、瓣锻等公知的薄膜形成方法即可。金属膜70、72的材质例如为侣、 铜、他们的合金等，但并不限于此。
[0129] 在所述实施方式的情况下，优选如图7所示的示例般，在介电体36的外侧面，除了 从轴方向的前端部算起的规定距离DzW外形成金属膜72,在内侧面，除了从轴方向的与所 述为相反侧的前端部算起的规定距离化W外形成金属膜70。两距离〇2、〇3例如设为DsN叹； 即可。若如此，则两金属膜70、72间及金属管26与第2电极34间的沿面距离会增大，因此 能够提高他们间的耐电压。因而，两距离〇2、化的大小只要根据所需的耐电压来决定即可。 对于后述的介电体片材36a上形成的金属膜70、72也同样如此。
[0130] 在电容器30部分为所述结构的情况下，还具有下述优点，即，其静电电容形成区 域CA成为两金属膜70、72相对向的区域，能够比图6所示的实施方式的情况扩大静电电容 形成区域CA。
[0131] 通过将电容器30部分设为所述结构，从而由介电体36与形成在其两面的金属膜 70、72来确实地规定电容器30的静电电容，因此，关于构成电容器30的部分的金属管26及 第2电极34的加工W及安装，不再需要高精度。其结果，电容器30部分的制作变得容易。
[0132] 对其进行详述，在图6所示的结构的情况下，假设在介电体36与其内侧的金属管 26之间或与外侧的第2电极34之间存在间隙，则静电电容有可能不符合设计，而偏离设计 值。为了消除所述间隙，一个对策是提高构成电容器30的部分的金属管26及第2电极34 的加工精度W及他们的安装精度，但在图7所示的结构中，由介电体36与形成在其两面的 金属膜70、72来确实地规定电容器30的静电电容，而不受所述部分的金属管26及第2电 极34的加工精度W及他们的安装精度的影响，因此，关于所述部分的金属管26及第2电极 34的加工W及安装，不再需要高精度。其结果，电容器30部分的制作变得容易。
[0133] 对图7所示的电容器30部分的变形例进行说明，也可使所述介电体36由介电体 片材36a构成，并在其两个主面上，W相对向的方式且彼此电绝缘地形成有金属膜70、72。 将该带金属膜的介电体片材36a的一例的平面图示于图8。
[0134] 另外，在图8中，为了便于理解介电体片材36a背面的金属膜70,是与表面的金 属膜72稍许错开地加 W图示，但在实际的电容器中无须如此般错开。而且，图8中的影线 化atching)是为了让金属膜72的区域便于理解，并非表示剖面。
[0135] 如图8所示，在介电体片材36a的其中一个主面（图的背面侧）上形成有金属膜 70,在另一个主面（图的表面侧）上，W与金属膜70相向的方式形成有金属膜72,且两金属 膜70、72彼此电绝缘。更具体而言，在形成于介电体片材36a的其中一个主面上的金属膜 70的Ξ边，设置有规定宽度的金属膜非形成区域74~76。同样，在形成于介电体片材36a 的另一个主面上的金属膜72的Ξ边，设置有规定宽度的金属膜非形成区域77~79。设置 运些区域的理由将后述。
[0136] 在介电体片材36a上形成金属膜70、72的形成方法及金属膜70、72的材质的示例 与所述相同。介电体片材36a的材质的示例与所述介电体36的材质的示例相同。
[0137] 图10为图9的D-D剖面图，但除了第2电极34的结构W外，与图7的示例相同， 因此也一边参照该图10 -边进一步说明图7所示的电容器30部分的所述变形例，带金属 膜的介电体片材36a除了圆周方向的端部W外，单层卷绕在从第1连接部66侧的金属管26 的外周部直到中空绝缘体28的外周部的区域。若进行双重卷绕，则表背的金属膜70、72间 会短路（skxrt)，因此要避免此情况。圆周方向的端部84、86的介电体片材36a彼此重叠。 [013引本变形例中，第2电极34包含金属片材，将该第2电极34 W按压该介电体片材 36a的方式卷绕在从带金属膜的介电体片材36a的外周部直到第2连接部68侧的金属管 26的外周部的区域。卷绕次数既可为1次，也可为多次。卷绕的金属片材的末端部例如使 用热缩管等公知的部件来固定即可。通过如上所述般卷绕金属片材，将介电体片材36a的 其中一个主面的金属膜70电连接于金属管26,并且将另一个主面的金属膜72电连接于第 2电极34。
[0139] 图8所示的金属膜非形成区域77、74分别为相当于图7所示的距离〇2、〇3的部分， 通过设置运些区域，能够加大电容器30的轴方向（换言之，天线20的轴方向）上的沿面距 离而提高耐电压。而且，通过设置所述金属膜非形成区域75、76、78、79，能够在如图10所示 般卷绕的介电体片材36a的圆周方向上形成未形成有金属膜70、72的端部84、86。由此，能 够加大从介电体片材36a的圆周方向上的端部直到金属膜70、72为止的沿面距离而提高耐 电压。进而，通过使端部84、86彼此重叠，能够起到W下所述的效果。
[0140] 通过将电容器30部分设为所述结构，从而由介电体片材36a与形成在其两面的金 属膜70、72来确实地规定电容器30的静电电容，因此关于构成电容器30的部分的金属管 26及第2电极34的加工W及安装，不再需要高精度。其结果，电容器30部分的制作变得容 易。其详细情况与在介电体36的两面形成有金属膜70、72时的所述说明相同。
[0141] 而且，如参照图10所说明般，使圆周方向的端部84、86的介电体片材36a彼此重 叠，因此金属管26与第2电极34之间的沿面距离进一步变大，从而能够进一步提高金属管 26与第2电极34之间的耐电压。
[0142] 进而，构成第2电极34的金属片材是W按压带金属膜的介电体片材36a的方式而 卷绕，因此能够减小介电体片材36a与金属管26之间的热阻而进一步提高介电体片材36a 的冷却效果。同时，能够确保介电体片材36a两面的金属膜70及金属膜72与金属管26及 第2电极34之间的电连接。
[0143] 将电容器30具有如上所述的带金属膜70、72的介电体片材36a时的天线的另一 实施方式示于图9、图10。
[0144] 对于电容器30的部分，主要