>[0024]图2B为本发明中状态侦测装置的较佳实施例电路方框示意图。
[0025]图2C为本发明中受控开关装置的实施例电路方框示意图。
[0026]图2D为本发明中控制信号产生器的实施例电路方框示意图。
[0027]图3为本案发明脉波宽度调节装置工作时的实施例波形示意图。
[0028]图4为本发明中可调整电性负载的另一实施例示意图。
[0029]图5为本发明一种脉波宽度调节装置的另一较佳实施例电路方框示意图。
[0030]附图标号简单说明:
栓锁单元10 ;第一组开关电路11 ;第二组开关电路12 ;第一端口字符线WLA ;第二端口字符线WLB ;位线BLA、BLB ;静态随机存取内存单元Un[N]、…、UO[N],…、Un[0]…、UO [O];第一端口字符线 WLA [N]、.'WLA [O];第二端口字符线 WLB [N]、.'WLB [O];状态侦测装置20 ;时脉信号产生器21 ;可调整电性负载201 ;控制信号产生器202 ;第一负载导线2011 ;第二负载导线2012 ;受控开关装置2013 ;第一金氧半晶体管20131 ;第二金氧半晶体管20132 ;受控放电路径2021 ;电压触发单元2022 ;位线数据感测装置29 ;系统时脉CLK ；第一负载导线RBLA ;第二负载导线RBLA’;受控开关装置41 ;第三负载导线RBLB ;第四负载导线RBLB’;受控开关装置42 ;第一金氧半晶体管MA ;第二金氧半晶体管MB ;状态侦测装置50 ;逻辑电路装置500 ;时脉信号产生器51。
【具体实施方式】
[0031]体现本发明特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的态样上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及图示在本质上系当作说明之用，而非用以限制本发明。
[0032]请参见图2A，其系本发明所发展出来关于一种脉波宽度调节装置的较佳实施例电路方框示意图，本实施例是以静态随机存取内存为例来进行说明，但是本实施例实际上可以广泛地应用于N端口静态随机存取内存或是其它类似的N端口记忆单元中，但不限于此，其中N大于或等于2皆可以适用。如图所示，本实施例是以双端口静态随机存取内存来进行说明。该双端口静态随机存取内存中具有复数个静态随机存取内存单元Un [N]、…、U0 [N],…、Un [O]...、U。[O]以及复数组字符线(word line)，每组字符线中包含有第一端口字符线与第二端口字符线，例如图中所示的WLA [N]、WLB [N]，或是WLA [O]、WLB [O]。
[0033]而本发明所发展出来的脉波宽度调节装置主要包含有状态侦测装置20以及时脉信号产生器21，状态侦测装置20系电性连接于该等第一端口字符线WLA[N]、…、WLA[0]与该等第二端口字符线WLB[N]、…、WLB[0]，其主要可因应同一字符线组中的第一端口字符线与第二端口字符在线的电压值皆位于第一准位范围而相对应发出一第一控制信号，反之，当同一字符线组的第一端口字符线与第二端口字符在线的电压值不是皆位于该第一准位范围时，便相对应发出一第二控制信号。至于电性连接于该状态侦测装置20的时脉信号产生器21则是用以产生送往该等组字符线的时脉信号，该时脉信号位于该第一准位电压值范围的时间长度系可因应该等控制信号而改变，例如，当字符线时脉信号的脉波宽度因应同一字符线组的第一端口字符线与第二端口字符在线的电压值是否皆位于该第一准位范围而有所不同。
[0034]请参见图2B，其系上述状态侦测装置20的较佳实施例电路方框示意图，状态侦测装置20主要包含有可调整电性负载201以及控制信号产生器202，可调整电性负载201电性连接于该等第一端口字符线WLA[N]、…、WLA[O]与该等第二端口字符线WLB[N]、…、WLB[0]，其主要可因应同一字符线组中的第一端口字符线与第二端口字符在线的电压值皆同时位于第一准位范围时而由第一负载值调整为第二负载值，反之，当同一字符线组的第一端口字符线与第二端口字符在线的电压值不是皆位于该第一准位范围时，可调整电性负载201则维持在第一负载值。以图中为例，该可调整电性负载201包含有第一负载导线2011、第二负载导线2012以及受控开关装置2013，受控开关装置2013电性连接于该等第一端口字符线WLA [N]、…、WLA [O]、该等第二端口字符线WLB [N]、…、WLB [O]、该第一负载导线2011以及该第二负载导线2012，受控开关装置2013系因应同一字符线组中的该第一端口字符线与该第二端口字符线的电压值皆位于该第一准位范围时，将该第一负载导线2011电性连接至该第二负载导线2012，进而让该可调整电性负载201由数值较小的该第一负载值调整为数值较大的该第二负载值，反之，同一字符线组中的该第一端口字符线与该第二端口字符线的电压值并非皆位于该第一准位范围时，将该第一负载导线2011与该第二负载导线2012间保持断路，进而让该可调整电性负载201维持在数值较小的该第一负载值。而上述第一负载导线2011与第二负载导线2012的负载值系接近此随机存取内存中的一位线(bit line)的等效负载值，其中负载值可为电容值、电阻值或两者的组合。较佳地，第一负载导线2011及第二负载导线2012可以与随机存取内存中的位线平行设置，且其长度或宽度与该位线的长度或宽度相近似或成比例关系，藉此仿真出等效的负载值。
[0035]而上述受控开关装置2013的实施例则可以如图2C所示，利用两两串接在一起的第一金氧半晶体管20131与第二金氧半晶体管20132来构成，第一金氧半晶体管20131的闸极电性连接至该第一端口字符线WLA，其源极电性连接至该第一负载导线2011，而第二金氧半晶体管20132的闸极电性连接至该第二端口字符线WLB，其源极电性连接至该第二负载导线2012，其汲极电性连接至该第一金氧半晶体管20131的汲极。
[0036]至于电性连接于该可调整电性负载201的控制信号产生器202，其可因应该第一负载值的出现而相对应产生第一控制信号或该第二负载值的出现而相对应产生第二控制信号给时脉信号产生器21，使得时脉信号产生器21所产生的时脉信号位于该第一准位电压值范围的时间长度系因应该可调整电性负载201的负载值的改变而改变。如图2D所示为例，其中控制信号产生器202可以包含有受控放电路径2021以及电压触发单元2022，受控放电路径2021电性连接于该可调整电性负载201中的该第一负载导线2011，受控放电路径2021于一特定时间中提供该可调整电性负载201进行一放电动作，而使该可调整电性负载上的电压值随时间而逐渐降低，直到降低到一门坎值时，电压触发单元2022便发出该第一或第二控制信号。以本图为例，受控放电路径2021主要是由一金氧半晶体管来完成，其闸极电性连接至与系统时脉CLK同步或是相关联的一第二时脉信号，其汲极电性连接至该第一负载导线2011，其源极电性连接至一接地点。而该金氧半晶体管的组件尺寸与电路特性系可以仿真图1栓锁单元10内四个晶体管中接地的某一个晶体管即可。至于该电压触发单元2022则可以用如图所示的非门来完成，其输入端串接至该第一负载导线2011，而该输出端则用以输出该控制信号。
[0037]因此，当受控放电路径2021因受到与系统时脉CLK同步或是有关联的第二时脉信号触发而开启后，可调整电性负载201便会开始从第一准位范围(本实施例是高电压准位)开始放电，直到电压低到可触发该非门输出高准位的该控制信号给后续的电路，由于当同一字符线组中的该第一端口字符线与该第二端口字符线的电压值皆位于该第一准位范围时，该第一负载导线2011将电性连接至该第二负载导线2012，进而让该可调整电性负载201由数值较小的该第一负载值调整为数