Saw过滤器的制造方法
【专利摘要】根据本发明的一实施例的SAW过滤器，包括：基板；上部母线，配置于所述基板上；下部母线，在所述基板上与所述上部母线相对地配置；第1叉指IDT，一端与所述上部母线连接而配置；第2叉指IDT，一端与所述下部母线连接而配置；钝化部，形成于所述第1叉指IDT及第2叉指IDT上；第1金属部，形成于所述钝化部上，包括全部所述上部母线区域，并且，包括所述第1叉指IDT的一部分区域；第2金属部，形成于所述钝化部上，包括全部所述下部母线区域，并且，包括所述第2叉指IDT的一部分区域。上述的根据本发明的一实施例的SAW过滤器具有能够控制对SAW过滤器发生的寄生效应，并使得工序单纯化。
【专利说明】
SAW过滤器
技术领域
[0001]本发明涉及SAW过滤器，尤其涉及一种在SAW过滤器的IDT电极上部配置金属部而改善SAW过滤器特性的SAW过滤器。【背景技术】
[0002]表面声波(Surface Acoustic Wave)是沿着弹性体基板的表面传播的声波，作为压电效果的结果，从电信号生成声波，声波的电场集中于基板表面附近，而与位于其表面上的其他半导体的传导电子相互作用。声波传播的媒质是电子机械性结合系数高、声波能源损失低的暗物质，半导体是传导电子的移动度高、阻抗率最佳地直流电源要素低，能够确保最佳的效率，利用上述的表面声波与半导体传导电子的相互作用，以电子机械性元件替代电子线路即为表面声波元件(SAW device)。
[0003]此类表面声波元件的构成为在压电媒质的表面的两端以金属薄膜设置爪形状的输入电极和输出电极，并以高频输入，变换为表面声波，并通过输出电极检测电波特性，复归为电信号。应用其的示例为延时线元件、放大器、波形转换器、光束偏转器、束开关等。
[0004]在以往技术中记载有为了解决表面声波元件的特性，以一定的间隔配置叉指的发明。但，此类表面声波元件发生纹波(Ripple)，而使得共振特性低下，发生插入损失。
[0005]【先行技术文献】
[0006]【专利文献】
[0007](专利文献1)韩国公开专利公报10-1996-0016119
[0008]发明的内容
[0009]本发明要解决的问题
[0010]本发明的目的为通过控制SAW过滤器的横模(Transverse mode)而改善共振特性。
[0011]本发明的目的为通过控制SAW过滤器的横模(Transverse mode)而改善共振特性的纹波(Ripple)。[〇〇12] 本发明的目的为减少SAW过滤器的插入损失(Insert1n loss) 〇
[0013]本发明的目的为改善SAW过滤器特性并减少工艺步骤。
[0014]解决问题的技术方案
[0015]根据本发明的一实施例的SAW过滤器，包括:基板;上部母线，配置于所述基板上； 下部母线，在所述基板上与所述上部母线相对地配置;第1叉指IDT，一端与所述上部母线连接而配置;第2叉指IDT，一端与所述下部母线连接而配置;钝化部，形成于所述第1叉指IDT 及第2叉指IDT上;第1金属部，形成于所述钝化部上，包括全部所述上部母线区域，并且，包括所述第1叉指IDT的一部分区域;第2金属部，形成于所述钝化部上，包括全部所述下部母线区域，并且，包括所述第2叉指IDT的一部分区域。
[0016]所述第1金属部及所述第2金属部由铜(Cu)形成。[〇〇17]所述第1金属部包括全部所述上部母线区域，并且，相比所述上部母线区域更宽地形成;所述第2金属部包括所述下部母线区域，并且，相比所述下部母线区域较宽地形成。
[0018]根据本发明的另一实施例的SAW过滤器，包括:基板；上部母线，配置于所述基板上；下部母线，在所述基板上与所述上部母线相对地配置;第1叉指IDT，一端与所述上部母线连接而配置;第2叉指IDT，一端与所述下部母线连接而配置;钝化部，形成于所述第1叉指 IDT及第2叉指IDT上；第1金属部，形成于所述钝化部上，包括所述上部母线区域的一部分； 第2金属部，形成于所述钝化部上，包括从所述第1叉指IDT的与所述上部母线区域连接的一端开始至所述第1叉指IDT—部分区域，并且，包括所述第2叉指IDT的一部分区域;第3金属部，形成于所述钝化部上，包括所述下部母线区域的一部分;第4金属部，形成于所述钝化部上，包括从所述第2叉指IDT的与所述下部母线区域连接的一端开始至所述第2叉指IDT的一部分区域，并且，包括所述第1叉指IDT的一部分区域。
[0019]所述第1金属部，包所述上部母线的一部分区域，并且，由未连接于所述第1叉指 IDT的所述上部母线方向包括所述上部母线区域以上而形成。
[0020]所述第3金属部，包括所述下部母线的一部分区域，并且，由未连接于所述第2叉指 IDT的所述下部母线方向包括所述下部母线区域以上而形成。
[0021]所述第1金属部、所述第2金属部、所述第3金属部及所述第4金属部由铜(Cu)形成。
[0022]根据本发明的另一实施例的SAW过滤器，包括:基板；上部母线，配置于所述基板上；下部母线，在所述基板上与所述上部母线相对地配置;第1叉指IDT，一端与所述上部母线连接而配置;第2叉指IDT，一端与所述下部母线连接而配置;钝化部，形成于所述第1叉指 IDT及第2叉指IDT上；第1金属部，形成于所述钝化部上，包括所述上部母线区域的一部分； 第2金属部，形成于所述钝化部上，包括从所述第2叉指IDT的另一端开始至所述第2叉指IDT 的一部分区域，并且，包括所述第1叉指IDT的一部分区域;第3金属部，形成于所述钝化部上，包括所述下部母线的一部分区域;第4金属部，形成于所述钝化部上，包括从所述第1叉指IDT的另一端开始至所述第1叉指IDT的一部分区域，并且，包括所述第2叉指IDT的一部分区域。
[0023]所述第1金属部包括所述上部母线的一部分区域，并且，由未连接于所述第1叉指 IDT的所述上部母线方向包括所述上部母线区域以上。
[0024]所述第3金属部包括所述下部母线的一部分区域，并且，由未连接于所述第2叉指 IDT的所述下部母线方向包括所述下部母线区域以上。
[0025]所述第1金属部、所述第2金属部、所述第3金属部及所述第4金属部由铜(Cu)形成。
[0026]发明的效果
[0027]本发明具有如下效果:通过控制SAW过滤器的横模(Transverse mode)而改善共振特性。
[0028]本发明具有如下效果:通过控制SAW过滤器的横模(Transverse mode)而改善共振特性的纹波(Ripple)。[0〇29] 本发明具有如下效果:减少SAW过滤器的插入损失(Insert1n loss) 〇
[0030]本发明具有如下效果:改善SAW过滤器特性并减少工艺步骤。【附图说明】[0031 ]图1为根据本发明的一实施例的SAW过滤器的平面图；
[0032]图2为根据本发明的一实施例的SAW过滤器的截面图；
[0033]图3为根据发明的另一实施例的SAW过滤器的平面图；
[0034]图4为根据发明的另一实施例的SAW过滤器的截面图；
[0035]图5为根据本发明的又另一实施例的SAW过滤器的平面图；
[0036]图6为根据本发明的又另一实施例的SAW过滤器的截面图。[〇〇37]附图符号说明
[0038]110,210,310:基板
[0039]121,221,321:上部母线
[0040]122,222,322:下部母线[0041 ]131,231,331:第 1叉指 IDT
[0042]132,232,332:第 2叉指 IDT
[0043]140,240,340:钝化部
[0044]151，251，351:第1金属部
[0045]152,252,352:第 2金属部[〇〇46]253,353:第 3金属部[〇〇47]254,354:第 4金属部【具体实施方式】[〇〇48]在此说明的实施例是为了使得本发明领域的普通技术人员容易地理解本发明的技术思想而提供，本发明并非限定于此。并且，参附的附图中表现的事项是为了容易地说明本发明的实施例而图示化的附图，因此，可与实际体现的的形态相异。
[0049]实施例中各层(膜)、区域、图案或结构物形成于基板、各层(膜)、区域、板或图案的〃上/上面(on) 〃或〃下/下面(under) 〃的记载包括直接或介入其他层而形成。各层的上/上面或下/下面的基准以附图为基准进行说明。并且，某一个部分与其他部分"连接"不仅包括’直接地连接’的情况，而且，还包括在其中间介入其他部件而’间接地连接’的情况。并且，某一个部分〃包括〃某构成要素是指只要无特别相反的记载并非排除其他构成要素，而是还可形成有其他构成要素。为了说明的明确性及便利，附图中的各层(膜)、区域、图案或结构物的厚度和大小可变形，并非全部反应实际大小。
[0050]并且，’包括’某构成要素是’开放型'的表现，单纯地指存在相应的构成要素，不能理解为排出附加性的构成要素。
[0051]图1为根据本发明的一实施例的SAW过滤器的平面图；图2为根据本发明的一实施例的SAW过滤器的截面图。参照图1及图2，根据本发明的一实施例的SAW过滤器，包括:基板 110;上部母线121，在基板110上配置；下部母线122,与上部母线121相对地在基板110上配置；IDT电极部，包括一端与上部母线121连接而配置的第1叉指IDT131及一端与下部母线 122连接而配置的第2叉指IDT132。并且，包括:钝化部140,在IDT电极部上形成;第1金属部 151，包括全部上部母线121区域，并包括第1叉指IDT131的部分区域而在钝化部140上形成； 第2金属部152,包括全部下部母线122区域，包括第2叉指IDT132的部分区域而在钝化部140 上形成。[〇〇52]根据本发明的一实施例的SAW过滤器是为了在包括上部母线121、下部母线122、第 1叉指101'131、第2叉指101'132的通常的101'电极上部形成金属部151，152而控制341过滤器的寄生效应。与通常的IDT电极部相同地，根据本发明的一实施例的SAW过滤器，包括:上部母线121、下部母线122,第1叉指IDT131、第2叉指IDT132。第1叉指IDT131的一端连接于上部母线121，另一端与下部母线122相隔一定距离地配置。第2叉指IDT132的一端连接于下部母线122,另一端与上部母线121相隔一定距离地配置。第1叉指IDT131可配置多个，第2叉指 IDT132也可配置多个。配置多个时，第2叉指IDT132配置于各个第1叉指IDT131之间。[〇〇53] 在基板110上配置IDT电极部时，在IDT电极部上部形成有钝化部140。钝化部140是为了保护IDT电极部而形成。在钝化部140上部形成有第1金属部151及第2金属部152。参照图1，第1金属部151是包括全部上部母线121区域和第1叉指IDT131部分区域和第2叉指 IDT132部分区域而形成。第1金属部151是包括从连接于上部母线121的第1叉指IDT131的一端至第1叉指IDT131的部分区域而形成。与此同时，第1金属部151包括从未连接于上部母线 121的第2叉指IDT132的另一端至第2叉指IDT132的部分区域而形成。[〇〇54] 并且，第1金属部151包括全部上部母线121区域，相比上部母线121区域更宽地形成，第2金属部152包括全部下部母线122区域，相比下部母线122区域更宽地形成。如果第1 金属部151相比上部母线121区域更宽地形成，第2金属部152相比下部母线122区域更宽地形成，经过不复杂的工艺步骤，也能够改善共振特性。
[0055]图3为根据发明的另一实施例的SAW过滤器的平面图；图4为根据发明的另一实施例的SAW过滤器的截面图。如图3及图4所示，根据发明的另一实施例的SAW过滤器，包括:基板210;上部母线221，配置于基板21上;下部母线222,与上部母线221相对地配置于基板210 上；IDT电极部，包括一端连接于上部母线221而配置的第1叉指IDT231和一端连接于下部母线222而配置的第2叉指IDT232。并且，包括:在IDT电极部上形成的钝化部240、包括上部母线221区域的一部分而在钝化部240上形成的第1金属部251、从第1叉指IDT231的与上部母线221区域连接的一端至第1叉指IDT231的一部分区域。并且，包括:包括第2叉指IDT232的一部分区域而在钝化部240上形成的第2金属部252;包括下部母线222区域的一部分而在钝化部240上形成的第3金属部253;包括从第2叉指IDT232的连接于下部母线222区域的一端至第2叉指IDT232的一部分区域，并且，包括第1叉指IDT231的一部分区域，在钝化部240形成的第4金属部254。[〇〇56]根据本发明的另一实施例的SAW过滤器在钝化部240上形成有4个金属部251，252， 253，254。第1金属部251包括上部母线221的部分区域而形成。第1金属部251不包括第1叉指 IDT231或第2叉指IDT232,并包括上部母线221的一部分区域，并且，向未连接于第1叉指 IDT231的上部母线221方向，包括上部母线221之外区域的一部分而形成。第1金属部251包括除IDT电极部之外的区域的一部分，具有一定面积地形成。[〇〇57] 第2金属部252不包括上部母线221区域，而包括第1叉指IDT231的一部分区域及第 2叉指IDT232的一部分区域而形成。第2金属部252包括从第1叉指IDT231的与上部母线221 区域连接的一端开始至第1叉指IDT231—部分区域而形成。此类第2金属部252也包括第2叉指IDT232的一部分区域，包括从第2叉指IDT232的未与上部母线221区域连接的另一端开始的第2叉指IDT232—部分区域而形成。此类第2金属部252不仅包括第1叉指IDT231—部分区域及第2叉指IDT232的一部分区域，而且包括IDT电极部之外区域的一部分而具有一定面积地形成。[〇〇58] 第3金属部253不包括第1叉指IDT231或第2叉指IDT232,而包括下部母线222的一部分区域，由未与第2叉指IDT232连接的下部母线222方向包括除下部母线222之外区域的一部分而形成。第3金属部253包括下部母线222的一部分区域和除IDT电极部之外的部分区域，具有一定面积地形成。[〇〇59] 第4金属部254不包括下部母线222区域，而包括第1叉指IDT231的一部分区域及第 2叉指IDT232的一部分区域而形成。第4金属部254包括从第2叉指IDT232的与下部母线222 区域连接的一端开始的第2叉指IDT232的一部分区域而形成。此类第4金属部254也包括第1 叉指IDT231的部分区域，是包括从第1叉指IDT231的未与下部母线222区域连接的另一端开始的第1叉指IDT231—部分区域而形成。此类第4金属部244不仅包括第1叉指IDT231的一部分区域及第2叉指IDT232的一部分区域，也包括除IDT电极部之外区域的部分，具有一定面积地形成。
[0060]此时，第1金属部251、第2金属部252、第3金属部253及第4金属部254由铜(Cu)形成。
[0061]图5为根据本发明的又另一实施例的SAW过滤器的平面图，图6为根据本发明的又另一实施例的SAW过滤器的截面图。参照图5及图6,根据本发明的又另一实施例的SAW过滤器，包括:基板310;上部母线321，配置于基板310上；下部母线322，与上部母线321相对地配置于基板310上；IDT电极部，包括一端与上部母线321连接而配置的第1叉指IDT331和一端与下部母线322连接而配置的第2叉指IDT332。并且，包括在IDT电极部上形成的钝化部340、 包括上部母线321区域的一部分而在钝化部340上形成的第1金属部351。并且，包括第2金属部352,所述第2金属部352包括由上部母线321方向的第2叉指IDT332的另一端开始的第2叉指IDT332部分区域，并包括第1叉指IDT331的一部分区域而在钝化部340上形成。并且，包括第3金属部353，其包括下部母线322区域的一部分，并在钝化部340上形成。并且，包括第4金属部354,所述第4金属部354包括由下部母线322方向的第1叉指IDT331的另一端开始的第1 叉指IDT331部分区域，并包括第2叉指IDT332部分区域而在钝化部340上形成。[〇〇62]根据本发明的又另一实施例的SAW过滤器，在钝化部340上形成有4个金属部351， 352，353,354。第1金属部351包括上部母线321的部分区域而形成。第1金属部351不包括第1 叉指IDT331及第2叉指IDT332,而包括上部母线321的部分区域，并且，包括从未与第1叉指 IDT331连接的上部母线321方向的除上部母线321之外区域的部分而形成。第1金属部351包括IDT电极部之外的一部分区域，具有一定面积地形成。[〇〇63]第2金属部352不包括上部母线321区域，而包括第1叉指IDT331的一部分区域及第 2叉指IDT332的一部分区域而形成。第2金属部352包括从第2叉指IDT332的与下部母线322 区域连接的另一端开始的第2叉指IDT332的一部分区域而形成。第2金属部352不仅包括第2 叉指IDT332的一部分区域，而且，包括第1叉指IDT331部分区域及除IDT电极部之外的区域的部分，具有一定面积地形成。[〇〇64] 第3金属部353不包括第1叉指IDT331及第2叉指IDT332,而包括下部母线322的一部分区域，由未与第2叉指IDT332连接的下部母线322方向包括下部母线322之外区域的部分而形成。第3金属部353包括下部母线322的一部分区域和IDT电极部之外的部分，具有一定面积地形成。[〇〇65] 第4金属部354不包括下部母线322区域，而包括第2叉指IDT332的一部分区域及第 1叉指IDT331的一部分区域而形成。第4金属部354包括从第1叉指IDT331的未与上部母线321区域连接的另一端开始的第1叉指IDT331部分区域而形成。第4金属部354不仅包括第1 叉指IDT331部分区域，而且，还包括第2叉指IDT332—部分区域及除IDT电极部之外的区域的一部分，具有一定面积地形成。[〇〇66] 此时，第1金属部351、第2金属部352、第3金属部353及第4金属部354由铜(Cu)形成。
[0067]如上述地，本发明的技术领域的普通技术人员应当理解，在不变更本发明的技术思想或必要性特征的前提下，可以其他的详细的形态实施本发明。因此，应当理解如上记述的实施例在所有方面只是示例性的，而非限定性的。本发明的范围通过权利要求范围表现， 而非通过上述的详细的说明，并且，权利要求范围的意义及范围和从其等价概念导出的所有变更或变形形态均属于本发明的范围。
【主权项】
1.一种SAW过滤器，其特征在于，包括:基板；上部母线，配置于所述基板上；下部母线，在所述基板上与所述上部母线相对地配置；第1叉指IDT，一端与所述上部母线连接而配置；第2叉指IDT，一端与所述下部母线连接而配置；钝化部，形成于所述第1叉指IDT及第2叉指IDT上；第1金属部，形成于所述钝化部上，包括全部所述上部母线区域，并且，包括所述第1叉 指IDT的一部分区域；第2金属部，形成于所述钝化部上，包括全部所述下部母线区域，并且，包括所述第2叉 指IDT的一部分区域。2.根据权利要求1所述的SAW过滤器，其特征在于，所述第1金属部及所述第2金属部由铜形成。3.根据权利要求1所述的SAW过滤器，其特征在于，所述第1金属部包括全部所述上部母线区域，并且，相比所述上部母线区域更宽地形 成；所述第2金属部包括所述下部母线区域，并且，相比所述下部母线区域较宽地形成。4.一种SAW过滤器，其特征在于，包括:基板；上部母线，配置于所述基板上；下部母线，在所述基板上与所述上部母线相对地配置；第1叉指IDT，一端与所述上部母线连接而配置；第2叉指IDT，一端与所述下部母线连接而配置；钝化部，形成于所述第1叉指IDT及第2叉指IDT上；第1金属部，形成于所述钝化部上，包括所述上部母线区域的一部分；第2金属部，形成于所述钝化部上，包括从所述第1叉指IDT的与所述上部母线区域连接 的一端开始至所述第1叉指IDT—部分区域，并且，包括所述第2叉指IDT的一部分区域；第3金属部，形成于所述钝化部上，包括所述下部母线区域的一部分；第4金属部，形成于所述钝化部上，包括从所述第2叉指IDT的与所述下部母线区域连接 的一端开始至所述第2叉指IDT的一部分区域，并且，包括所述第1叉指IDT的一部分区域。5.根据权利要求4所述的SAW过滤器，其特征在于，所述第1金属部，包所述上部母线的一部分区域，并且，由未连接于所述第1叉指IDT的 所述上部母线方向包括所述上部母线之外区域的一部分而形成。6.根据权利要求4所述的SAW过滤器，其特征在于，所述第3金属部，包括所述下部母线的一部分区域，并且，由未连接于所述第2叉指IDT 的所述下部母线方向包括所述下部母线之外区域的一部分而形成。7.根据权利要求4所述的SAW过滤器，其特征在于，所述第1金属部、所述第2金属部、所述第3金属部及所述第4金属部由铜形成。8.—种SAW过滤器，其特征在于，包括:基板；上部母线，配置于所述基板上；下部母线，在所述基板上与所述上部母线相对地配置；第1叉指IDT，一端与所述上部母线连接而配置；第2叉指IDT，一端与所述下部母线连接而配置；钝化部，形成于所述第1叉指IDT及第2叉指IDT上；第1金属部，形成于所述钝化部上，包括所述上部母线区域的一部分；第2金属部，形成于所述钝化部上，包括从所述第2叉指IDT的另一端开始至所述第2叉 指IDT的一部分区域，并且，包括所述第1叉指IDT的一部分区域；第3金属部，形成于所述钝化部上，包括所述下部母线的一部分区域；第4金属部，形成于所述钝化部上，包括从所述第1叉指IDT的另一端开始至所述第1叉 指IDT的一部分区域，并且，包括所述第2叉指IDT的一部分区域。9.根据权利要求8所述的SAW过滤器，其特征在于，所述第1金属部包括所述上部母线的一部分区域，并且，由未连接于所述第1叉指IDT的 所述上部母线方向包括所述上部母线区域以上。10.根据权利要求8所述的SAW过滤器，其特征在于，所述第3金属部包括所述下部母线的一部分区域，并且，由未连接于所述第2叉指IDT的 所述下部母线方向包括所述下部母线区域以上。11.根据权利要求8所述的SAW过滤器，其特征在于，所述第1金属部、所述第2金属部、所述第3金属部及所述第4金属部由铜形成。
【文档编号】H03H9/64GK106026967SQ201610202203
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月31日
【发明人】俞东浚
【申请人】Wisol株式会社