低噪声放大器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种放大器，特别是涉及一种低噪声放大器。
【背景技术】
[0002]物联网目前正在高速膨胀发展，具有非常大的应用市场和丰富的应用场景，比如智能家电、智能灯控、火灾检测等，特别是有些不太容易布线，对人体有危害的地方，或者需要检测的目标物有厚墙阻隔等场景。这些地方并不需要太高的数据速率，往往只是些简单的控制信号的传输和其他的比如温度湿度等数据的传输。但是对检测模块的信号传输距离、穿透性和功耗等有比较高的要求。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种低噪声放大器，其电路具有复杂度相对较低等特点，正好可以满足传输距离、低功耗以及穿透性高的要求。
[0004]本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:一种低噪声放大器，其特征在于，其包括第一交流隔直器件、第二交流隔直器件、第三交流隔直器件、第四交流隔直器件、第一 MOS器件、第二 MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件、第一电阻、第二电阻、第五MOS器件、第六MOS器件、第七MOS器件、第八MOS器件、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻，第五电阻、第三交流隔直器件、第一交流隔直器件、第三电阻依次串联，第一电阻、第三MOS器件、第一 MOS器件依次串联，第五电阻、第三交流隔直器件都与第三MOS器件连接，第一交流隔直器件、第三电阻都与第一 MOS器件连接，第二电阻、第四MOS器件、第二 MOS器件依次串联，第六电阻、第四交流隔直器件、第二交流隔直器件、第四电阻依次串联，第五MOS器件和第七MOS器件串联，第六MOS器件和第八MOS器件串联，第三MOS器件、第一电阻都与第五MOS器件连接。
[0005]优选地，所述第一交流隔直器件、第二交流隔直器件、第三交流隔直器件、第四交流隔直器件都为电容。
[0006]优选地，所述第一 MOS器件、第二 MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件、第五MOS器件、第六MOS器件、第七MOS器件、第八MOS器件都为绝缘栅场效应管。
[0007]本实用新型的积极进步效果在于:本实用新型的电路具有复杂度相对较低等特点，正好可以满足传输距离、低功耗以及穿透性高的要求。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型低噪声放大器在射频接收芯片运用的工作原理图。
[0009]图2为本实用新型低噪声放大器的电路图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图给出本实用新型较佳实施例，以详细说明本实用新型的技术方案。
[0011]如图1所示，第一下变频混频器102、第二下变频混频器103都与低噪声放大器101连接，第一下变频混频器102、第二下变频混频器103还都与合成器104连接。
[0012]如图2所示，本实用新型低噪声放大器包括第一交流隔直器件201、第二交流隔直器件202、第三交流隔直器件203、第四交流隔直器件204、第一 MOS器件205、第二 MOS器件206、第三MOS器件207、第四MOS器件208、第一电阻209、第二电阻210、第五MOS器件211、第六MOS器件212、第七MOS器件213、第八MOS器件214、第三电阻215、第四电阻216、第五电阻217、第六电阻218，第五电阻217、第三交流隔直器件203、第一交流隔直器件201、第三电阻215依次串联，第一电阻209、第三MOS器件207、第一 MOS器件205依次串联，第五电阻217、第三交流隔直器件203都与第三MOS器件207 (具体是第三MOS器件207的栅极)连接，第一交流隔直器件201、第三电阻215都与第一 MOS器件205连接，第二电阻210、第四MOS器件208、第二 MOS器件206依次串联，第六电阻218、第四交流隔直器件204、第二交流隔直器件202、第四电阻216依次串联，第五MOS器件211和第七MOS器件213串联，第六MOS器件212和第八MOS器件214串联，第三MOS器件207、第一电阻209都与第五MOS器件211连接。
[0013]第一交流隔直器件201、第二交流隔直器件202、第三交流隔直器件203、第四交流隔直器件204可以都为电容。第一 MOS器件205、第二 MOS器件206、第三MOS器件207、第四MOS器件208、第五MOS器件211、第六MOS器件212、第七MOS器件213、第八MOS器件214都可以为绝缘栅场效应管。
[0014]第五MOS器件211、第六MOS器件212、第七MOS器件213、第八MOS器件214负责驱动后级负载。电路输入级为一个电阻负载的共栅放大器，差分输入电压信号通过电路的两个输入端口(RFINP和RFINN)分别加到第三MOS器件207的源极、第四MOS器件208的源极转换为电流信号并放大，同时通过第三交流隔直器件203、第四交流隔直器件204分别加到第三MOS器件207的栅极、第四MOS器件208的栅极转换成电流信号并放大。通过栅极放大的电流信号与通过源极放大的电流信号叠加，提高了输入级的放大倍数，同等功耗的情况下，起到增加输入级等效跨导的作用，可有效节约电路功耗。对于噪声信号同样也会产生两个放大的噪声电流，但是由于相位相反，会起到抵消作用，因此可以获得相对较低的噪声系数，可有效提高接收机灵敏度，对于整个收发系统来说可有效提高传输距离，在同等发射功率的情况下可以获得更好的穿透性。此外输入级的输入导纳约等于两倍第三MOS器件207的跨导，可以在相对较宽的频带上获得良好的匹配特性，免去芯片外部增加额外的匹配器件，有效降低芯片实现的复杂度的同时也降低了整体解决方案的成本。
[0015]本实用新型主要用于射频集成芯片接收机前端第一级放大，把空中射频信号通过射频天线接收到芯片内部并把信号放大到足够强度以便接收机后级模块进行降频解调等处理，属于射频芯片关键模块，对接收机的灵敏度，能接收的信号范围起着非常关键的作用。本实用新型适用于射频单片集成电路领域，具有增益高，功耗小，面积低等特点。本实用新型的电路工作频段在300MHz-l.5GHz，可覆盖315MHz、868MHz、900MHz等开放免授权频段，此频段射频信号具有相对较高的穿透性。
[0016]以上所述的具体实施例，对本实用新型的解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种低噪声放大器，其特征在于，其包括第一交流隔直器件、第二交流隔直器件、第三交流隔直器件、第四交流隔直器件、第一 MOS器件、第二 MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件、第一电阻、第二电阻、第五MOS器件、第六MOS器件、第七MOS器件、第八MOS器件、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻，第五电阻、第三交流隔直器件、第一交流隔直器件、第三电阻依次串联，第一电阻、第三MOS器件、第一 MOS器件依次串联，第五电阻、第三交流隔直器件都与第三MOS器件连接，第一交流隔直器件、第三电阻都与第一 MOS器件连接，第二电阻、第四MOS器件、第二 MOS器件依次串联，第六电阻、第四交流隔直器件、第二交流隔直器件、第四电阻依次串联，第五MOS器件和第七MOS器件串联，第六MOS器件和第八MOS器件串联，第三MOS器件、第一电阻都与第五MOS器件连接。
2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一交流隔直器件、第二交流隔直器件、第三交流隔直器件、第四交流隔直器件都为电容。
3.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一MOS器件、第二 MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件、第五MOS器件、第六MOS器件、第七MOS器件、第八MOS器件都为绝缘栅场效应管。
【专利摘要】本实用新型公开了一种低噪声放大器，其包括第一交流隔直器件等元件、第六电阻，第五电阻、第三交流隔直器件、第一交流隔直器件、第三电阻依次串联，第一电阻、第三MOS器件、第一MOS器件依次串联，第五电阻、第三交流隔直器件都与第三MOS器件连接，第一交流隔直器件、第三电阻都与第一MOS器件连接，第二电阻、第四MOS器件、第二MOS器件依次串联，第六电阻、第四交流隔直器件、第二交流隔直器件、第四电阻依次串联，第五MOS器件和第七MOS器件串联，第六MOS器件和第八MOS器件串联。本实用新型的电路具有复杂度相对较低等特点，正好可以满足传输距离、低功耗以及穿透性高的要求。
【IPC分类】H03F1-26
【公开号】CN204465465
【申请号】CN201520138397
【发明人】孙响, 姬晓鹏, 缑刚, 孙志军, 王芳芳, 邢旭祥, 梁嘉伟, 赵洪金, 周少松, 但建华, 王明辉, 周利杰, 黄发前, 吴翔, 张韬
【申请人】上海蜂电网络科技有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年3月12日