一种基于容性负载维持可控硅正常工作的控制电路的制作方法

文档序号:8757133阅读:2338来源:国知局
一种基于容性负载维持可控硅正常工作的控制电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及基于容性负载维持可控硅正常工作的控制电路。
【背景技术】
[0002]目前市场上的可控硅控制器都只能给纯电阻性负载供电,如白炽灯、卤素灯等,其产生的波形图如图1所示,由于纯电阻性负载的功率较大,因此,不容易出现电压与电流相位偏差的现象,因此,在利用可控硅控制器对纯电阻性负载进行调光时,不容易出现频闪的现象。
[0003]如果现有的可控硅控制器直接给如开关电源等容性负载供电,势必会导致可控硅误导通现象,原因是开关电源不是纯电阻性负载,而是偏向容性负载。当开关电源正常工作时,由于开关电源的功率因素小于1,导致输入电压和电流存在相位角,如图2所示。带PFC校正电路的开关电源在满负载输出时功率因素接近1,不带PFC校正电路的开关电源在满负载输出时功率因素小于0.65,而且输出功率越小,功率因素越低。特别是在接近输入交流电压的过零点处时,不管是否带PFC的开关电源,都会在输入电压低于工作电压时瞬间截断电流,此时的瞬间PFC值最小,电压和电流相位角最大。
[0004]利用可控硅控制器控制容性负载时,会存在如下两个问题:
[0005](I)当双向可控硅晶闸管从关断状态转为导通状态时,需要一个门极触发电流IGT,门极触发后需要一个最小维持电流IH,一旦负载电流小于最小维持电流IH,可控硅晶闸管输出会瞬间关断,就容易出现如图3所示的波形,其中阴影部分为不正常的波形。(2)由于负载输入电压电流相位偏移原因,负载输入电压在临近过零点时出现大电流,而开关电源在低于工作电压时会瞬间切断电流,此时可控硅输出端串接的感性扼流线圈瞬间产生很大的反向电动势,当反向电动势瞬间提升值超出dV/dt值(断态电压临界上升率)时,可控硅晶闸管就不能反向截止,同时进入反向导通状态,此时会出现完整的直通正弦波形,改变切波电压波形,图4为其中一种情况的波形图,其中阴影部分为不正常的波形。
[0006]为解决上述问题(1),在申请号为201210106123.4申请日为2012.4.12公开日为2012.9.12的专利文献中公开了一种适用于可控硅调光器的LED线性驱动电路及控制方法,并具体公开了利用电压采样电路、吸收控制电路和电流吸收电路来提供一最小维持电流,这样,当负载的电流小于双向可控硅晶闸管的最小维持电流时,双向可控硅晶闸管也不会断开,使双向可控硅晶闸管能正常工作。
[0007]当然,在上述公开的技术方案中,一旦主电路停止供电,在电压采样电路、吸收控制电路和电流吸收电路中可能会存在残余电流,如果不能释放,也会影响电路的正常工作。

【发明内容】

[0008]为了避免在可控硅输出端串接的感性扼流线圈瞬间产生很大的反向电动势,降低晶闸管的断态电压临界上升率,防止双向可控硅晶闸管反向导通,本实用新型提供了一种基于容性负载维持可控硅正常工作的控制电路。
[0009]为达到上述目的,一种基于容性负载维持可控硅正常工作的控制电路,包括可控硅控制器及连接在可控硅控制器上的容性负载;在可控硅控制电路与容性负载之间并联有控制电路;所述的控制电路包括整流桥、电压检测电路、同相脉冲电流控制电路、电流输出电路,整流桥的输入端连接在可控硅控制电路与容性负载之间,整流桥的输出端并联有电压检测电路和电流输出电路,同相脉冲电流控制电路连接在电压检测电路和电流输出电路之间;在电流输出电路上并联有寄生电释放电路。
[0010]进一步的,所述的寄生电释放电路为寄生电释放电阻。
[0011]进一步的,所述的电压检测电路包括分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻&和稳压二极管D1,分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R4依次串联,分压电阻R i的输入端连接在整流桥的其中一输出端,分压电阻1?4的输出端连接在整流桥的另一输出端;稳压二极管D工的一端连接在分压电阻R1和分压电阻R2之间,稳压二极管另一端连接在整流桥的另一输出端。
[0012]进一步的,同相脉冲电流控制电路包括限流电阻R5、同相电容CjP电压比较三极管Q2或比较器COMPARE ;限流电阻&的一端连接在分压电阻R2和分压电阻R4之间,限流电阻R5的另一端连接在电压比较三极管Q2或比较器COMPARE ;同相电容C ^勺一端连接在分压电阻R2和分压电阻R 4之间,同相电容C i的另一端连接在整流桥的另一输出端。
[0013]进一步的,电流输出电路包括电阻R7、纯电阻负载R8、MOS管Q3、稳压二极管仏和电容C4;电阻R 7的一端连接在整流桥的其中一输出端,电阻R 7的另一端连接在MOS管的栅极,同时连接稳压二极管D2和电容C4;纯电阻负载R8连接在整流桥的其中一输出端与MOS管的漏极之间;稳压二极管D2和电容C4的另一端和源极连接在整流桥的另一输出端。
[0014]本实用新型的有益效果是:由于设置了寄生电释放电路,一旦主电路停止供电,在控制电路中可能存在的残余电流,会通过寄生电释放电路。该电路在工作时,当负载输入电压在临近过零点出现大电流,即使开关电源在低于工作电压时瞬间切断电流,由于设置了控制电路,该控制电路能产生较大的同相脉冲电流和最小维持电流,此时可控硅输出端串接的感性扼流线圈就不会产生很大的反向电动势,防止双向可控硅晶闸管反向导通,此时会让可控硅控制器切波正常。
【附图说明】
[0015]图1为电网输入可控硅控制器控制纯电阻性负载时输出的电压与电流相位波形图。
[0016]图2为电网输入可控硅控制器控制容性负载时输出的电压与电流相位波形图。
[0017]图3为当容性负载电流小于维持电流IH时,可控硅控制器输出的电压与电流受到干扰的切波波形图。
[0018]图4为当电网输入可控硅控制器控制容性负载时出现可控硅控制器误导通时输出的交流电压波形图。
[0019]图5为本实用新型的控制电路工作时给予同步窄脉冲电流的波形图。
[0020]图6为本实用新型的方框图。
[0021]图7为本实用新型实施例1的电路图。
[0022]图8为本实用新型实施例2的电路图。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进行进一步详细说明。
[0024]如图6所示,一种基于容性负载维持可控硅正常工作的控制电路包括可控硅控制器I及连接在可控硅控制器I上的容性负载,可控硅控制器I由电网供电,在本实施方式中,容性负载为开关电源2,开关电源2连接LED 3。在可控硅控制电路I与容性负载之间并联有控制电路4。
[0025]实施例1。
[0026]如图7所示,所述的控制电路4包括整流桥41、电压检测电路42、同相脉冲电流控制电路43、电流输出电路44和寄生电释放电路45。
[0027]整流桥41的输入端连接在可控硅控制电路与容性负载之间,整流桥的输出端并联所述的电压检测电路42、电流输出电路44和寄生电释放电路45。
[0028]所述的电压检测电路42包括分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R4、和稳压二极管D1,分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R4依次串联,分压电阻R i的输入端连接在整流桥的其中一输出端,分压电阻1?4的输出端连接在整流桥的另一输出端;稳压二极管D工的一端连接在分压电阻R1和分压电阻R2之间,稳压二极管D1的另一端连接在整流桥的另一输出端。
[0029]同相脉冲电流控制电路43包括限流电阻R5、同相电容C1和电压比较三极管Q2。限流电阻&的一端连接在分压电阻R 2和分压电阻R 4之间,限流电阻R 5的另一端连接在电压比较三极管Q2的基极上;同相电容C1的一端连接在分压电阻R2和分压电阻R4之间,同相电容C1的另一端连接在整流桥的另一输出端。
[0030]电流输出电路44包括电阻R7、纯电阻负载R8、M0S管Q3、稳压二极管D2和电容C 4;电阻R7的一端连
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