一种常压辉光等离子体装置的制造方法_2

文档序号:10249861阅读:来源:国知局
电子与离子,而且质量轻,速度更快因此它会很容易穿过中频地电极4从而进入到下面的射频等离子体腔室。
[0022]进一步,根据本实用新型所提供的等离子体装置,射频等离子体腔室2包括射频电源(未图示)、射频电极21和射频多孔地电极(未图示);其中,射频电极21设置于中频等离子体腔室2内部,射频电源与射频电极21电气连接,并且射频多孔地电极设置于射频等离子体腔室2的一端(如后附说明书附图I,在本实施例中,为射频等离子体腔室2的上端)。具有这样的结构,当中频等离子体腔室I产生丝状放电后,射频等离子体腔室2的射频电源开启,由于中频等离子体腔中有大量的电子通过中频多孔地电极和射频多孔地电极进入该腔室,因此为该射频等离子体腔室2中的等离子体产生提供了更多的种子电子,而且这些电子仍然具有足够高的能量,因此该腔室2中只需要很低的射频功率(〈5W)便可以产生等离子体。由于该腔室中功率低,因此击穿电压也很高,这就有效避免了放电由阿尔法模式向伽马模式的转变,从而能够产生稳定的辉光放电。
[0023]相比单独的RF放电,本实用新型所提供的等离子体装置能够利用两种频率电源的方式来激励,从而产生等离子的放电电压更低,因此它有更大范围来产生均匀的辉光放电。
[0024]更进一步,根据本实用新型实施例所提供的等离子体装置,中频多孔地电极与射频多孔地电极为同一个多孔地电极(未图示),该一个多孔地电极固定设置于中频等离子体腔室I与射频等离子体腔室2之间,并且中频等离子体腔室I与射频等离子体腔室2共用一个多孔地电极。
[0025]在本实用新型的实施例中,由于中频多孔地电极与射频多孔地电极为同一个地电极,并且该地电极为多孔结构,从而地电极同时起到电隔离与电子穿透的作用。具有这样的结构,不仅省去了在每个等离子体腔室中设置电极的复杂结构,改善了整个等离子装置的可维护性,降低了成本。
[0026]更进一步,根据本实用新型实施例所提供的等离子体装置,中频等离子体腔室I与射频等离子体腔室2为外径相同的圆筒状结构,并且两者利用螺栓构件(未图示)彼此紧固在一起。由于两者具有相同的外径,从而能够通过螺栓等构件将两者方便地彼此固定到一起。
[0027]进一步,如后附说明书附图I和2所示,根据本实用新型实施例所提供的等离子体装置,进气系统3包括设置于中频等离子体腔室I的一端的端面上的两个进气口31,以及从每个进气口31延伸进入中频等离子体腔室的进气管路32;其中,两个进气口32以相对于中频等离子体腔室I的一端的端面的中心对称的方式布置。
[0028]具有这样的构造,能够使得通过进气系统3进入中频等离子体腔室I中的气体在该腔室中均匀分布,从而保证了使用中频电源激励在中频等离子体腔室I中产生的等离子体在中频等离子体腔室I中也均匀分布,从而方便接下来产生均匀辉光放电。
[0029]根据本实用新型所提供的常压辉光等离子体装置,相比于现有技术,能够在很低的功率下产生大面积辉光放电,从而为它的应用提供了广阔的前景。本实用新型的实用新型人经过实验发现,相对独立的射频放电,通常需要30W以上才能放电,而且当放电功率增加到100W时便会由均匀辉光放电转变为丝状放电。而通过采用本实用新型所提供的等离子体装置,射频电源只需要3W便会产生均匀辉光放电。
[0030]以上描述了根据本实用新型的实施例的常压辉光等离子体装置的构造。但是,上述实施例仅仅是用于举例说明本实用新型的,而并非用于限制本实用新型。
[0031]例如,在本实用新型的上述实施例中,中频等离子体腔室I与射频等离子体腔室2为外径相同的圆筒状结构。但是,本实用新型并不仅限于此,本领域技术人员可以根据实际设计和使用需要任意选择中频等离子体腔室I与射频等离子体腔室2结构形式,只要使得通过中频等离子体腔室I的气流能够顺利流入射频等离子体腔室2中即可。此外,在本发明的上述实施例中,中频等离子体腔室I与射频等离子体腔室2为外径相同的圆筒状结构,并且两者利用螺栓构件(未图示)紧固在一起。但是,本发明并不仅限于此,本领域技术人员可以根据实际设计和使用需要任意选择中频等离子体腔室I与射频等离子体腔室2彼此连接的方式,例如,可以利用焊接、粘结等各种方式。
[0032]此外,在本实用新型的上述实施例中,进气系统3包括设置于中频等离子体腔室I的一端的端面上的两个进气口 31,以及从每个进气口 31延伸进入中频等离子体腔室的进气管路32。但是,本实用新型并不仅限于此,本领域技术人员可以根据实际设计和使用需要任意选择进气系统3的结构形式,只要能够使得通过该进气系统3进入中频等离子体腔室I的气体能够在该腔室内均匀分布即可。
[0033]本实用新型并不限于上述实施例。在不脱离如所附的权利要求书中本实用新型的范围的情况下,可以对上述实施例做出各种变化和修改。
【主权项】
1.一种常压辉光等离子体装置,其特征在于,包括: 进气系统、中频等离子体腔室、射频等离子体腔室和排气系统;其中 所述进气系统设置于所述中频等离子体腔室的一端,并且所述进气系统被构造为以预定速度将气体排入所述中频等离子体腔室; 所述射频等离子体腔室的一端与所述中频等离子体腔室的另一端固定联接,并且所述排气系统设置于所述射频等离子体腔室的另一端;其中 通过所述进气系统排入的所述气体经由所述中频等离子体腔室进入所述射频等离子体腔室,并最终经由所述排气系统排出。2.如权利要求I所述的等离子体装置,其特征在于,所述中频等离子体腔室包括中频电源、中频电极、中频介质板和中频多孔地电极;其中, 所述中频电极设置于所述中频等离子体腔室内部,所述中频电源与所述中频电极电气连接,并且所述中频多孔地电极设置于所述中频等离子体腔室的所述另一端。3.如权利要求2所述的等离子体装置,其特征在于,所述射频等离子体腔室包括射频电源、射频电极、射频介质板和射频多孔地电极;其中, 所述射频电极设置于所述中频等离子体腔室内部,所述射频电源与所述射频电极电气连接,并且所述射频多孔地电极设置于所述射频等离子体腔室的所述一端。4.如权利要求3所述的等离子体装置,其特征在于,所述中频多孔地电极与所述射频多孔地电极为同一个多孔地电极,所述一个多孔地电极固定于所述中频等离子体腔室与所述射频等离子体腔室之间,并且所述中频等离子体腔室与所述射频等离子体腔室共用所述一个多孔地电极。5.如权利要求4所述的等离子体装置,其特征在于,所述中频等离子体腔室与所述射频等离子体腔室为外径相同的圆筒状结构。6.如权利要求5所述的等离子体装置,其特征在于,所述进气系统包括设置于所述中频等离子体腔室的一端的端面上的两个进气口,以及从每个进气口延伸进入所述中频等离子体腔室的进气管路;其中,所述两个进气口以相对于所述中频等离子体腔室的一端的所述端面的中心对称的方式布置。
【专利摘要】本实用新型提供一种常压辉光等离子体装置,包括:进气系统、中频等离子体腔室、射频等离子体腔室和排气系统;进气系统设置于中频等离子体腔室的一端;射频等离子体腔室的一端与中频等离子体腔室的另一端固定联接,并且排气系统设置于射频等离子体腔室的另一端;通过进气系统排入的气体经由中频等离子体腔室进入射频等离子体腔室,并最终经由排气系统排出。具有这样的结构,当气体通过进行系统进入装置后,在该装置中首先使用中频电源激励在中频等离子体腔室中产生等离子体,该等离子体会继续传播至射频等离子体腔室,从而降低RF电源的击穿电压,进而顺利地产生汤生放电,最终在大面积内产生均匀辉光放电。
【IPC分类】H05H1/46
【公开号】CN205160898
【申请号】CN201521010831
【发明人】陈晓, 吴海华, 洪梦华
【申请人】上海至纯洁净系统科技股份有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月8日
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