孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板的制作方法
【专利摘要】本实用新型属于线路板技术领域，尤其涉及一种孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板。它解决了现有技术设计不合理等问题。本孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板包括板体，在板体上设有若干贯穿板体厚度方向的通孔，在每个通孔内分别设有导电层，在板体的背面还设有若干与所述的通孔一一连通的扩孔且扩孔孔径不小于通孔的孔径，所述的通孔与扩孔之间形成台阶，所述的板体包括若干层依次层叠的碳氢化合物陶瓷基板且相邻的两层碳氢化合物陶瓷基板之间通过半固化粘结片连接。本实用新型的优点在于：能满足线路高积成化、高运算速度、高频率的要求，以及能够提高阻抗的匹配精度和电磁性能。
【专利说明】
孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板
技术领域
[0001]本实用新型属于线路板技术领域，尤其涉及一种孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板。
【背景技术】
[0002]随着电子信息技术的快速发展，电子产品的更新换代不断加快，电子产品的功能也越来越多，所以也要求线路板多功能化，如信号接收、传输、发射类射频类线路板，现有大量使用的普通环氧树脂玻璃布线路板由于介电常数和损耗的关系已经不能满足射频类电子设备的制造。
[0003]即，现有的线路板其广品性能不能满足线路尚积成化、尚运算速度、尚频率的要求，以及阻抗的匹配精度较低和较差的电磁性能，实用性较差。
[0004]因此，急需设计一款解决上述技术问题的线路板的背板。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的是针对上述问题，提供一种能满足线路高积成化、高运算速度、高频率的要求，以及能够提高阻抗的匹配精度和电磁性能的孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板。
[0006]为达到上述目的，本实用新型采用了下列技术方案:本孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板包括板体，在板体上设有若干贯穿板体厚度方向的通孔，在每个通孔内分别设有导电层，在板体的背面还设有若干与所述的通孔一一连通的扩孔且扩孔孔径不小于通孔的孔径，所述的通孔与扩孔之间形成台阶，所述的板体包括若干层依次层叠的碳氢化合物陶瓷基板且相邻的两层碳氢化合物陶瓷基板之间通过半固化粘结片连接。
[0007]在上述的孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板中，所述的导电层为铜导电层。
[0008]在上述的孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板中，所述的通孔轴心线与扩孔轴心线重合。
[0009]在上述的孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板中，在最外侧的碳氢化合物陶瓷基板上复合有铜材料层。
[0010]在上述的孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板中，所述的碳氢化合物陶瓷基板数量有至少十层以上。本实施例的碳氢化合物陶瓷基板数量最多为二十层。
[0011 ]在上述的孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板中，各层碳氢化合物陶瓷基板的外缘对齐。
[0012]与现有的技术相比，本孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板的优点在于:1、采用背钻技术；即在孔金属化后，再用比孔径大的钻头采用控深钻的方法将无用之金属化孔部分的孔壁铜去除。采用背钻技术使高频传输性能得到极大的改善，提高了阻抗的匹配精度和良好的电磁性能。2、结构简单且易于制造。3、采用低介电常数的碳氢化合物陶瓷和相配套的半固化粘结材料，DK = 3.48。具有优异的高频性能、耐热性、散热性、尺寸稳定性和可加机械工等特点。能满足线路高积成化、高运算速度、高频率的要求，广泛使用在通讯基站、大型商用计算机、连接器等。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型提供的结构示意图。
[0014]图2是本实用新型提供的放大结构示意图。
[0015]图中，板体1、通孔la、导电层lb、扩孔lc、碳氢化合物陶瓷基板11、半固化粘结片
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【具体实施方式】
[0016]以下是实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步的描述，但本实用新型并不限于这些实施例。
[0017]如图1所示，本孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板包括板体I，在板体I上设有若干贯穿板体I厚度方向的通孔la，在每个通孔Ia内分别设有导电层lb，导电层Ib为铜导电层。
[0018]在板体I的背面还设有若干与所述的通孔Ia—一连通的扩孔Ic且扩孔Ic孔径不小于通孔Ia的孔径，所述的通孔Ia与扩孔Ic之间形成台阶，扩孔Ic的孔壁没有导电层lb，大幅较小了阳抗干扰，通孔Ia轴心线与扩孔Ic轴心线重合。
[0019]具体地，如图2所示，本实施例的板体I包括若干层依次层叠的碳氢化合物陶瓷基板11且相邻的两层碳氢化合物陶瓷基板11之间通过半固化粘结片12连接。
[0020]其次，在最外侧的碳氢化合物陶瓷基板11上复合有铜材料层。碳氢化合物陶瓷基板11数量有至少十层以上。各层碳氢化合物陶瓷基板11的外缘对齐。
[0021]在本实施例中，采用背钻技术;即在孔金属化后，再用比孔径大的钻头采用控深钻的方法将无用之金属化孔部分的孔壁铜去除。采用背钻技术使高频传输性能得到极大的改善，提高了阻抗的匹配精度和良好的电磁性能。
[0022]采用低介电常数的碳氢化合物陶瓷和相配套的半固化粘结材料，DK= 3.48。具有优异的高频性能、耐热性、散热性、尺寸稳定性和可加机械工等特点。能满足线路高积成化、高运算速度、高频率的要求，广泛使用在通讯基站、大型商用计算机、连接器等。
[0023]本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
[0024]尽管本文较多地使用了板体1、通孔la、导电层lb、扩孔lc、碳氢化合物陶瓷基板U、半固化粘结片12等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本实用新型的本质;把它们解释成任何一种附加的限制都是与本实用新型精神相违背的。
【主权项】
1.一种孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板，包括板体(I)，其特征在于，所述的板体(I)上设有若干贯穿板体(I)厚度方向的通孔(Ia)，在每个通孔(Ia)内分别设有导电层(Ib)，在板体(I)的背面还设有若干与所述的通孔(Ia)—一连通的扩孔(Ic)且扩孔(Ic)孔径不小于通孔(Ia)的孔径，所述的通孔(Ia)与扩孔(Ic)之间形成台阶，所述的板体(I)包括若干层依次层叠的碳氢化合物陶瓷基板(11)且相邻的两层碳氢化合物陶瓷基板(11)之间通过半固化粘结片(12)连接。2.根据权利要求1所述的孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板，其特征在于，所述的导电层(Ib)为铜导电层。3.根据权利要求1所述的孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板，其特征在于，所述的通孔(Ia)轴心线与扩孔(Ic)轴心线重合。4.根据权利要求1所述的孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板，其特征在于，在最外侧的碳氢化合物陶瓷基板(11)上复合有铜材料层。5.根据权利要求1所述的孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板，其特征在于，所述的碳氢化合物陶瓷基板(11)数量有至少十层以上。6.根据权利要求5所述的孔金属化碳氢化合物陶瓷高频多层背板，其特征在于，各层碳氢化合物陶瓷基板(11)的外缘对齐。
【文档编号】H05K1/03GK205430783SQ201620280915
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年4月6日
【发明人】徐正保, 王德瑜
【申请人】浙江万正电子科技有限公司