专利名称：显示器装置和校正电子射束沉陷图案的方法
技术领域：
本发明涉及一个能产生高质量图象的显示器装置，特别涉及一个校正显示器装置的彩色阴极射线管中的电子射束沉陷图案的方法。
背景技术：
在用于显示器，例如是计算机显示器彩色阴极射线管中，在荧光屏中荧光物质层的位置和电子束撞击荧光屏的位置之间存在一个差。这个差叫做“射束沉陷位置差”。通常，通过使某些因素最佳化，射束沉陷位置差可以减小到充许范围内，这些因素是光学设计，例如是透镜形状，形成荧光屏的荧光屏照射过程中光源的位置等。另一方面，射束沉陷位置差可以通过其它适当的方法校正，例如用一个小磁铁附件进行校正。然而，射束沉陷位置差是由各种因素引起的，例如当一个彩色阻极射线管被制造的时候，色彩选择机构组装过程中的精确性，由于热过程金属组件变形，由于抽真空过程造成的玻璃变形，偏转线圈的设计等等。
再者，当阴极射线管工作的时候，阴极射线管内外温度改变会使色彩选择机构等产生热变形，从而电子射束沉陷被改变。还有，由于地磁方向的影响，电子束偏移，从而电子射束沉陷可能被改变。由于热影响电子射束沉陷的变化称做“温度漂移”。由于地磁影响电子射束沉陷的变化称为“地磁漂移”。
至此，由于温度漂移，地磁漂移等等产生的射束沉陷位置差已经通过电子射束沉陷校正线圈校正，它是在阴极射线管制成以后安排在CRT(阴极射线管的外壳止的)。
根据上述校正装置，例如，电子射束沉陷校正线圈或磁铁，将被校正的位置是有限的，从而设定对应于每个荧光屏上的坐标的校正量就是困难的。
发明内容
鉴于上述情况，本发明的目的是提供一种显示器装置，其中电子射束沉陷位置差在整个屏幕上被详细校正，并提供一种校正电子射束沉陷图案的方法。
在本发明的显示装置中，电子射束沉陷图案校正线圈是安排在阴极射线管的偏转线圈的后侧，响应于电子射束沉淀图案的校正电流被提供到这个电子射束沉淀图案校正线圈上。校正电流是作为一组选择地组合波形电流分量构成的校正电流而被提供的，该电流分量可以分别校正一组基本电子射束沉陷图案。因此，关于所制造的显示器装置的射束沉陷位置差可在整个屏幕上详细地被校正。
在本发明的另一个显示器装置中，电子射束沉陷图案校正线圈安排在，包括一组电子枪的多颈型阴极射线管上的各偏转线圈的后面，对应于来自一组电子枪的电子射束沉陷图案的校正电流，被提供到电子射束沉陷图案校正线圈上。校正电流由一组选择组合波形电流分量组成，所述电流分量可以分别校正一组基本电子射束沉陷图案，来自一组电子枪的各个电子射束沉陷图案可以被独立地校正。因此能够调节电子射束沉陷，通过在屏幕上重叠部分或类似部分上的一组电子束使荧光物质被照亮。
在本发明的校正电子射束沉陷图案的方法中，校正电流由一组选择组合波形电流分量组成，该电流分量可以分别校正一组基本电子射束沉陷图案，校正电流被提供到一个电子射束沉陷图案校正线圈上，校正线圈安排在阴极射线管上的偏转线圈的后面，与一个电子射束沉陷图案对应。因此，射束沉陷位置差在整个屏幕上可以被详细地校正。
图1A表示本发明彩色阴极射线管装置。
图1B是一个透视图，它大略地表示本发明的电子射束沉陷图案校正线圈；图2A和2B是沿图1A的线A-A分别截取的横截面视图，它解释通过磁场施加到电子束的力。
图3是屏幕的平面视图，它解释测量数值数据的测量点。
图4A-4F是表示加到电子射束沉陷图案校正线圈的电流特性曲线和在图3中各测量点上电子射束沉陷中的变化。
图5A-5F是表示加到电子射束沉陷图案校正线圈的电流特性曲线和在图3中各测量点上电子射束沉陷中的变化。
图6A是流过电子射束沉陷图案校正线圈的纯度校正的电流波形图。
图6B解释电子射束沉陷图案响应图6A所示电流而变化的方式。
图7A是流过电子射束沉陷图案校正线圈的旋转校正的电流波形图；图7B解释电子射束沉陷图案响应图7A所示电流而变化的方式；图8A是流过电子射束沉陷图案的校正线圈V形校正的电流波形图；图8B是解释电子射束沉陷图案响应图8A所示电流而变化的方式。
图9A是流过电子射束沉陷图案校正线圈的Dy(偏转线圈)位置校正的电流的波形图；图9B解释电子射束沉陷图案响应于图9A中电流而变化的方式。
图10A是流过电子射束沉陷图案校正线圈的斜线校正的电流的波形；图10B解释电子射束沉陷图案响应图10A所示电流而变化的方式。
图11A是流过电子射束沉陷图案校正线圈的桶形校正的电流的波形图；图11B解释电子射束沉陷图案响应图11A中电流而变化的方式；图12A是流过电子射束沉陷图案校正线圈的轴端偏移校正的电流的波形图；图12B是解释电子射束沉陷图案响应图12A所示电流而变化的方式；图13A是流过电子射束沉陷图案校正线圈的扭曲校正的电流的波形图；图13B解释电子射束沉陷图案响应图13A中电流而变化的方式；图14A是流过电子射束沉陷图案校正线圈的角偏移校正的电流波形图；图14B解释电子射束沉陷图案响应图14A中电流而变化的方式；图15A是流过电子射束沉陷图案校正线圈的S形校正的电流波形图；图15B是解释电子射束沉陷图案响应图15A中电流而变化的方式；图16是根据本发明的一个实施例的校正电流波形发生器的原理方块图；图17是根据本发明的另一个实施例的校正电流波形发生器的原理方块图；图18是根据本发明的另一个实施例的校正电流波形发生器的原理方块图；图19是根据本发明一个实施例的一个多颈型彩色阴极射线管。
图20是阴极射线管的面板部分的平面示意图，参照它将对本发明作出解释。
具体实施例方式
下面参照附图对本发明最佳实施例进行描述。
第一实施例在本发明的一个实施例的彩色阴极射线管1中，彩色荧光屏4包括一组彩色荧光物质层，在本实施例中它们是红(R)、绿(G)和兰(B)色荧光层，形成在图1A所示CRT的机壳2的底板3的内表面上。一个色彩选择机构5紧密安排在这个彩色荧光屏4的对面。一个电子枪7被安排在颈部6的内部，偏转线圈(DY)8安排在CRT的机壳2的外面。
特别是，在本实施例中，一个电子射束沉陷图案校正线圈(所谓电磁线圈)11被安排在偏转线圈8的后面。产生校正电流(所谓波形电流)的校正电流发生器12与电子射束沉陷图案校正线圈11相连接，校正电流的周期与使电子束被偏转的偏转线圈8的电流周期同步。
电子束行方向中偏转周期的信号波形和电子束场方向中偏转周期的信号波形被加到偏转线圈8和校正电流发生器12。电子射束沉陷图案校正线圈11的形状可以没有限制，只要这个线圈能够在颈部6的中心轴线附近产生一个磁场就行，磁场的方向近似与电子射束沉淀图案在屏幕上将被改变的方向垂直。在这个实施例中，如图1B所示，一对电磁线圈11A和11B彼此相对地安装在颈部6上，形成电子束沉陷图案校正线圈11。
响应于电子射束沉陷图案，一个校正电流从校正电流发生器12被加到电子射束沉陷图案校正线圈11，其中，校正电流包括一组选择组合波形电流分量，它能够校正一组基本电子射束沉陷图案。
在本实施例中，显示器，例如是一个计算机显示器，一个电视接收机显示器或类似的显示器，是通过上述作为一个元件被组装的彩色阴极射线管1构成的。
当一个电流被加到上述电子射束沉陷图案校正线圈11(包括11A，11B)的时候，如图2A和2B所示，线圈11产生磁场13。图2A和2B中磁场13的方向是相对的，因为电流方向不同。磁场13的强度按流过校正线圈11(包括11A，11B)的电流强度的比例确定。磁场13的强度在颈部6的中心轴线周围近似均匀，沿轴线通过的电子束14接收与磁场13的强度成比例的力，从而电子束14的路径被偏移。电子束14偏移的度数与上述力F成正比。因此，电子束路径被偏移就与流过校正线圈11的电流强度成正比地偏移。
图4A-4F和图5A-5F是解释测量数值数据，其中，当一个任意强度的电流被加到本发明实施例的阴极射线管1的电子射束沉陷图案校正线圈11中时，电子射束沉陷的变化量被显示。在本实施例中，36英寸阴极射线管被使用，屏幕16上第二象限中的12个点P1到P12被用作测量点。图4A-4F和图5A-5F中测量数值数据进一步证实，在所有从P1到P12的测量点中，在电流强度和电子射束沉陷中的变化量之间的特性曲线中存在极强的线性关系。在图4A-4F和图5A-5F中字母R2表示关系系数，它的值最好尽可能接近于“1”。
在本实施例中，当计算在无电子射束沉淀图案校正作用的屏幕上任意点的电子射束沉陷的值时候，电子射束沉陷，可根据图4A-4F和图5A-5F中所示关系曲线，通过提供一个适当强度的电流到线圈，而可以在屏幕上所有点被调节。特别是，在屏幕上所有点上的电子射束沉陷可以通过提供一个适当强度的电流给电子射束沉陷图案校正线圈11而被调节，这个电流对应于任意点，而一个电子束显示屏幕上的任意点。
通常，校正在任意点上电子射束沉陷的任意量的电流产生装置是贵的并具有复杂电路。不过，实际上，在阴极射线管中被校正的电子射束沉淀通常属于一定图案。在这种情况下，由于所需校正电流应是一定图案，这种校正电流产生器就制造得比较容易。
根据本实施例的校正电流产生装置12，产生一个DC电流(相对于时间轴是零阶)，它与电子束的行方向和场方向中的偏移同步，一个锯齿波(相对于时间轴是一阶)，一个抛物线形波(相对于时间轴是二阶)和一个正弦波，并输出一个上述各波形的合成波。根据本实施例，电子射束沉陷的一定图案可以通过提供一个输出电流而被校正，这个输出电流来自校正电流产生装置12而进入电子射束沉陷图案校正线圈11。
我们现在规定行方向是“电子束扫描一行的方向”，场方向是“扫描电子束作为一个场进行扫描，即垂直于行方向的方向”，因此，在图1A和1B所示阴极射线管情况下，行方向表示屏幕上水平方向(H)，场方向表示屏幕上垂直方向。在以后描述的多颈型阴极射线管21的情况中，因为电子束扫描在屏幕的垂直方向，然后在屏幕的水平方向扫描，所以行方向表示屏幕上的垂直方向，场方向表示屏幕上的水平方向。
图6A，6B到图15A，15B是当与偏转周期同步的一定的电流图案被加到电子射束沉陷图案校正线圈11上的时候，电子射束沉陷图案在整个屏幕上变化的方式。在本实施例中，10套图案被设想是基本校正图案分量。当图1A和1B中的阴极射线管1被应用的时候，图6B至图15B中的校正图案就被获得了。贯穿图6A，6B到15A，15B，字母H都表示屏幕上的水平方向，字母V表示屏幕上垂直方向。
图6A和6B，是当校正线圈11上的电流波形在水平方向(H零阶)和在垂直方向(V零阶(DC)(见图6A)都处于零阶的时候，校正线圈(见图6B)的磁场引起的电子射束沉陷图案中的变化。在这种情况下，如图6B中所示，电子射束沉陷图案从屏幕上实线位置移到虚线位置，以执行所谓“纯校正”。
图7A和7B是当校正线圈11上的波形电流在水平方向是零阶(H零阶)，在垂直方向是一阶(V一阶)(见图7A)的时候，校正线圈的磁场引起的电子射束沉陷图案中的变化(见图7B)。在这种情况下，如图7B所示，电子射束沉陷图案从屏蔽的实线位置移动到虚线位置去执行所谓“旋转校正”。
图8A和8B是当校正线圈11上的波形电流在水平方向(H0次)是零阶，在垂直方向是二阶(V二阶)(见图8A)的时候，校正线圈的磁场引起的电子射束沉陷图案的变化(见图8B)。在这种情况下，如图8B所示，电子射束沉陷图案就从屏幕的实线部分位置移动到虚线位置，以执行所谓“V形校正”。
图9A和9B是当校正线圈11上的电流波形，在水平方向是一阶(H一阶)，在垂直方向是零阶(V零阶)(见图9A)的时候，校正线圈磁场引起的电子射束沉陷图案的变化(见图9B)。在这种情况下，如图9B所示，电子射束沉陷图案从屏幕实线位置移动到虚线位置，去执行所谓“Dy位置校正”。
图10A和10B是当校正线圈11上的电流波形在水平方向上是一阶(H一阶)，在垂直方向上是一阶(V一阶)(见图10A)的时候，校正线圈的磁场引起的电子射束沉陷图案的变化(见图10B)。在这种情况下，如图10B所示，电子射束沉陷图案从屏幕的实线位置移动到虚线位置去执行所谓“斜线校正”。
图11A和11B是当校正线圈11上的电流波形在水平方向是一阶(H一阶)，在垂直方向是二阶(V二阶)(见图11A)的时候，校正线圈的磁场引起的电子射束沉陷图案的变化(见图11B)。在这种情况下，如图11B所示，电子射束沉陷图案由屏幕上实线位置移动到虚线位置以执行所谓“桶形校正”。
图12A和12B是当校正线圈11上的电流波形在屏幕水平方向是二阶(H二阶)，在屏幕垂直方向上是零阶(V零阶)(见图12A)，的时候，校正线圈的磁场引起的电子射束沉陷图案的变化。在这种情况下，如图12B所示，电子射束沉陷图案从屏幕上的实线位置移动到虚线位置去执行所谓“轴端移动校正”。
图13A和13B是当校正线圈上的电流波形在水平方向上是二阶(H二阶)，在垂直方向上是一阶(V一阶)(见图13A)的时候，校正线圈的磁场引起的电子射束沉淀图案的变化(见图13B)。在这种情况下，如图13B所示，电子射束沉陷图案从屏幕上的实线位置移动到虚线位置去执行所谓“扭曲校正”。
图14A和14B是当校正线圈11上的电流波形在水平方向是二阶(H二阶)，在垂直方向是二阶(V二阶)(见图14A)的时候，校正线圈的磁场引起的电子射束沉陷图案的变化(见图14B)。在这种情况下，如图14B所示，电子射束沉陷图案从屏幕上的实线位置移动到虚线位置以执行所谓“角移动校正”。
图15A和15B是当校正线圈11上的电流波形在水平方向上是正弦波(H正弦波)，在垂直方向上是零阶和二阶(V零阶和二阶)(见图15A)的时候，校正线圈的磁场引起的电子射束沉陷图案的变化。在这种情况下，如图15B所示，电子射束沉陷图案从屏幕的实线位置移动到虚线位置去执行所谓“S形校正”。
按照本实施例，某一射束沉陷图案被认为是图6B至15B中所示射束沉陷图案的组合成分，图6A至15A中所示组合波形电流成分被加到电子射束沉陷图案校正线圈11，由此校正各种电子射束沉陷图案。由于校正线圈11上的电流强度可以被调整，电子射束沉陷的绝对值就可以被自由确定。
本实施例也用于校正由于热，即温度漂移引起的电子射束沉淀的变化。在这种情况下，屏幕上任意点上的温度漂移事先都查检过，在阴极射线管工作的时候，阴极电流的积分值被观察。根据本实施例，电子射束沉陷图案校正线圈11的校正电流，响应于操作时间和阴极电流的积分值而适当变化，由此合适的校正电流值就保持在整个屏幕上。在多数情况下，温度漂移包含图6B，7B，10B，11B，13B所示纯度校正，旋转校正，斜线校正，桶形校正和扭曲校正的各个分量。因此，通过把一个校正电流加到电子射束沉陷图案校正线圈11上，可以校正温度漂移，其中，校正电流选择性地组合波形电流分量以校正这些分量。
本实施例也应用于，地磁，即地磁漂移引起的电子射束沉陷的变化。在这种情况下，在屏幕的任意点上的地磁漂移事先被检查，阴极射线管的方位通过合适的装置，例如地磁检测器，被检测。根据本发明的实施例，电子射束沉陷图案校正线圈11的校正电流响应于阴极射线管的方位而适当改变，由此校正电流的适当的值保持在整个屏幕上。在多数情况下，地磁漂移包含图6B和7B所示的纯度校正和旋转校正分量。因此，地磁漂移可以通过提供一个校正电流到电子射束沉陷图案校正线圈11上而被校正，校正电流选择性地组合波形电流分量以校正这些分量。
注意，根据本实施例，电子束显示的位置是变化的(所谓图象失真被改变)，并且电子束沉陷图案被校正。因此，图象失真需要在本发明阴极射线管工作条件下进行调整。再者，加到电子射束沉陷图案校正线圈11上的电流，需要事先考虑显示器位置移动而确定。
下面，根据本发明的一个实施例的校正电流产生装置12将被描述。
图16是一个电路装置的原理方块图，其中4个基本校正波形分量(称为波形电流图案)被产生，在执行相当简单的和基本的校正的情况下，提供一个校正电流。
如图16所示，本实施例的一个校正电流产生装置121，包括一个波形产生电路41，它产生与偏转频率同步的基本校正波形分量，一个比例调整电路42，用于调整各个校正波形分量的比例，一个调幅器43，一个加法器44和一个功率放大器45。波形产生电路41包括一个场周期波形产生电路46(垂直(V)周期波形产生电路，如图1所示)和一个行周期波形产生电路47(水平(H)周期波形产生电路，如图1所示)。
垂直驱动信号VD被输入到垂直周期波形产生电路46，以产生一个垂直周期锯齿波(V.SAW)和一个垂直周期抛物线形波(V.PARA)，它们是基本波形分量。水平驱动信号HD被输入到水平周期波形产生电路47以产生一个水平周期锯齿波(H.SAW)，它作为一个基本波形分量。
比例调节电路42是由4个可变电阻VR(VR-1，VR-2，VR-6和VR-9)组成。第一个可变电阻VR-1的一端连到一个DC电源DC，第二个可变电阻VR-2的一端连到垂直周期锯齿波的输出端(V.SAW)，第三个可变电阻VR-6的一端连到垂直周期抛物线形波(V.PARA)的输出端，第4个可变电阻VR-9的一端被连到水平周期锯齿波(H.SAW)的输出端。
再者，第一个可变电阻VR-1的另一端，第二个可变电阻VR-2的另一端，第4个可变电阻VR-9的另一端和调幅器43的输出端都被连到加法器44的输入部分。加法器44的输出端通过功率放大器45而加到电子射束沉陷图案校正线圈11。
在校正电流波形产生装置121中，校正一个纯度分量的电流波形是作为一个DC电流从DC电源DC(1)获得的。校正一个旋转分量的电流波形是作为一个垂直周期波形(V.SAW)(2)获得的。校正一个Dy位置分量的电流波形是作为一个垂直周期抛物线形波(V.PARA)获得的。校正一个桶形分量的电流波形是作为一个，通过垂直周期抛物线形波(V.PARA)(6)调幅的水平周期锯齿波(H.SAW)的波形，而被获得的。
根据本实施例，电流波形响应于阴极射线管1中产生的预定的电子射束沉陷图案而被分解成上述各个基本校正波形分量(电流波形分量)(1)，(2)，(4)，(6)。各个校正分量是通过在各个可变电阻VR(VR-1，VR-2，VR-6，VR-9)中调节各个基本校正波形分量的电流而获得，它们被可选择地在加法器44中组合，由此，对应于上述预定电子射束沉陷图案的校正电流波形被获得。这个校正电流波形通过功率放大器45被功率放大后供给电子射束沉陷图案校正线圈11，由此电子射束沉陷图案被动态校正。特别是，电子射束沉陷图案可以做得适合屏幕上的所有坐标。至于功率放大器45，可以使用一个线性放大器系统的功率放大器或一个开关放大器系统的功率放大器。
图17是本发明的校正电流波形产生装置的另一实施例的原理方块图。在图17中，基本校正波形分量增加到10种类型。
如图17所示，本实施例的校正电流波形产生装置122，包括波形产生电路41，它用于产生与偏转频率同步的基本校正波形，比例调节电路42，用于调节各个校正波形分量的比例，一组调幅器，在本实施例中是5个调幅器43(431，432，433，434，435)，一个加法器44和一个功率放大器45。波形产生电路41包括场周期波形产生电路46(垂直(V)周期波形产生电路，如图1所示)，和行周期波形产生电路47(水平(H)周期波形产生电路，如图1所示)。
垂直驱动信号VD被输入到垂直周期波形产生电路46中以产生垂直周期锯齿波(V.SAW)，垂直周期抛物线波(V.PARA)。和垂直周期正弦波(V.SIN)，它们是基本校正波形分量。水平驱动信号HD被输入到水平周期波形产生电路47，以产生水平周期锯齿波(H.SAW)，水平周期抛物线形波(H.PARA)，和水平周期正弦波(H.SIN)，它们是基本校正波形分量。
比例调节电路42包括10个可变电阻VR(VR-1，VR-2，VR-3，VR-4，VR-5，VR-6，VR-7，VR-8，VR-9，VR-10)。
第三可变电阻VR-3的另一端和水平周期锯齿波的输出端(H.SAW)被连到第一调幅器43的输入端。第六可变电阻VR-6的另一端和水平周期锯齿波(H.SAW)的输出端被连到第二调幅器432的输入端。第4可变电阻VR-4的另一端和水平周期抛物线形波的输出端(H.PARA)被连到第三调幅器433的输入端。第七可变电阻VR-7的另一端和水平周期抛物线形波的输出端(H.PARA)被连到第4调幅器434的输入端。第八可变电阻VR-8的另一端和水平周期正弦波(H.SIN)的输出端被连到第5调幅器435的输入端。
再者，第一可变电阻VR-1的另一端，第二可变电阻VR-2的另一端，第55可变电阻VR-5的另一端，第九可变电阻VR-9的另一端和第一，第2，第3，第4和第5调幅器431，432，433，434和435的各个输出端被连到加法器44的输入端。来自加法器44的输出通过功率放大器45被功率放大，然后加给电子射束沉陷图案校正线圈11。
在这个校正电流波形产生装置122中，校正纯分量的电流波形是作为DC电流从DC电源DC中获得的。校正旋转分量的电流波形是作为垂直周期锯齿波(V.SAW)而获得的。校正V形分量的电流波形是作为垂直周期抛物线形波(V.PARA)获得的。校正DY位置分量的电流波形是作为水平锯齿波(H.SAW)获得的。校正斜线形分量的电流波形是作为水平周期锯齿波(H.SAW)获得的，它通过垂直周期锯齿波(V.SAW)调幅。校正桶形分量的电流波形是作为通过垂直周期抛物线形波(V.PARA)调幅的水平周期锯齿波(H.SAW)获得的。校正轴端偏移分量的电流波形是作为水平周期抛物线形波(H.PARA)获得的。校正扭曲分量的电流波形是作为通过垂直周期锯齿波(V.SAW)调幅的水平周期抛物线形波(H.PARA)获得的。一个校正角偏移分量的电流波形是作为通过垂直周期抛物线形波(V.PARA)调幅的水平周期抛物线形波(H.PARA)获得的。一个校正S形分量的电流波形是作为通过垂直周期正弦波(V.SIN)调幅的水平周期正弦波(H.SIN)获得的。
按照本发明，电流波形响应阴极射线管中产生的预定的电子射束沉陷图案，被分解成上述各个基本校正波形分量(电流波形分量)(1)-(10)。各个校正分量，通过在各个可变电阻VR(VR-1至VR-10)中调节各个基本校正波形分量的电流比例而获得，它们在加法器44中被选择地组合，由此，对应于上述予定的电子射束沉陷图案的校正电流波形被获得。这个校正电流波形通过功率放大器45进行功率放大，再提供给电子射束沉陷图案校正线圈11，由此电子射束沉陷图案被动态地校正。特别是，可以使电子射束沉陷图案适合屏幕上的所有坐标。
由于在图16和17的实施例中，可变电阻的阻值不是自动调整的，电子射束沉陷将由于环境条件的变化而变坏(即，阴极射线管的方向和阴极射线管的内外温度)，在这种情况下，该校正电流产生装置被用于显示器设备，例如电视接收机，计算机显示器等等而无调整。
图18是另一个实施例的原理方块图，其中上述的缺点被改正了。这个校正电流波形产生装置可以称做数字控制式校正电流波形产生装置。
如图18所示，本实施例的校正电流波形产生装置123，除包括图17所示校正电流波形产生装置122以外，还包括一个地磁检测器51，一个阴极电流(IK)检测电路52和一个微型电子计算机。地磁检测器51包括在显示器设备中，虽然没有示出。阴极射线管的方位可以通过地磁检测器容易地检测出来。阴极射线管的温度漂移可以从阴极电流检测电路52检测阴极电流(IK)以后得到的积分值估计出来。
地磁检测器51检测到的信息和阴极电流检测电路52检测到的信息被输入到微型电子计算机53中。微型电子计算机能够检测环境条件，能够计算校正量，能够调整各可变电阻VR的阻值。在比例调节电路42中各可变电阻VR的可变量，可根据来自微型电子计算机53的可变电阻VR的可变量控制信号(VR控制信号)，得到控制。
根据本实施例的包括校正电流波形产生装置123的显示器装置，信息和环境条件被输入到微型电子计算机中去计算校正量，由此，各可变电阻VR的电阻值可被自动调整，再者，在显示器工作期间，电子射束沉陷可通过重复这些操作，不断校正而达到最佳状态。
如上所述，根据本发明的实施例，包括阴极射线管1的显示器装置中产生的某个射束沉陷图案中的差，关于屏幕上所有坐标，可通过一个希望的量进行合适地校正。
根据荧光屏制造时所要求的光学设计，在显示器装置已经制造好以后，显示器的电子射束沉陷不能被校正。不过，根据本实施例，在显示器装置已被制造好以后，电子射束沉陷可以被校正。进而，因为校正量在阴极射线管制造好以后，可根据每个阴极射线管进行调节，这就能够调整阴极射线管制造过程中的分散现象。
通过使用本实施例的电子射束沉陷图案校正方法，荧光屏制造时所要求的光学设计可以被简化。特别是，因为曝光透镜的曲率可以被简化，曝光装置所需要的透镜数目可以被减少，曝光透镜的精度可以被提高。进而，偏转线圈的设计可以被简化。
第二实施例图19是用于本发明另一实施例的显示器装置的彩色阴极射线管的原理图。在本实施例中，本发明被用于所谓多颈型彩色阴极射线管。
本实施例的彩色阴极射线管21包括一组颈部，在本实施例中是两个颈部24(241，242)，它们分别包括两个电子枪26(261，262)。特别是，这里提供了一个CRT机体25，它包括一个形成大屏幕面积的面板部分，一个与这个面板部分22连接的漏斗形部分23，和与这漏斗部分23连接的两个颈部24(241，242)。电子枪261和262分别安排在两个颈部241和242中。在这个连接中，色彩光择机构28，例如是一个小孔栅格和一个荫罩，被对着彩色荧光屏27安排，荧光屏形成在面板部分22的内表面。阴极射线管21适合显示大图象面积上的整个图象，这个大图象面积是由多个小图象面积组合形成的，在本实施例中是两个图象面积。偏转线圈30(301，302)被安排在CRT25机体的外边周围，在从两个颈部241，242到漏斗部分33的范围内。
如图20所示，面板部分22是整体模制成长方形，其中屏幕的水平方向呈现较长的轴，屏幕的垂直方向呈现较短的轴。在面板部分22的内表面上，有多个，由电子枪26发射的电子束扫描的小的图象面积31，小图象面积31的数目与电子枪26的数目对应。在本实施例中，有两个小的图象面积311，312，大的图象面积32是由两个小的图象面积311和312合成的。在本实施例中，来自两个电子枪261，262的电子束291，292，扫描小图象面积311，312。这两个面积彼此相邻且部分重叠，即，扫描是在两个小图象面积311和312之间的边界附近进行。色彩选择机构28是为面板部分22的大图象面积32而工作。
在这个双颈型彩色阴极射线管21中，分别来自电子枪261，262的电子束291，292被发射，从而显示屏幕上图象的一半。电子束291，292以行扫描方式扫描屏幕的垂直方向，并且从屏幕的一端到屏幕的中心(或从屏幕的中心到屏幕的一端)以场扫描方式扫描屏幕的水平方向，部分面积就在屏幕中心周围重叠。在阴极射线管21中，电子束291，292的垂直偏转对应于所谓行偏转，水平偏移对应于所谓场偏移。
在双颈型彩色阴极射线管21中，两个电子束291，292需要撞击大图象面积32的中心面积上的同一个荧光物质层。为此，两个电子束应该独立被控制去校正电子束沉陷图案。
在本实施例中，如图19所示，彩色阴极射线管21包括，电子射束沉陷校正线圈(所谓电磁线圈)111，112，它们被安排在各颈部241，242的外边上的偏转线圈301，302的背面，包括校正电流产生装置121，122，它们提供校正电流到电子射束沉陷图案校正线圈111，112上去，校正电流具有和偏转线圈301，302产生的偏转电子束同步的周期。
在行方向中的偏转周期的信号波形和电子束中场方向中偏转周期的信号波形被加到偏转线圈30(301，302)和校正电流产生装置12(121，122)上。安装在各颈部24(241，242)上的电子射束沉陷图案校正线圈11(111，112)是由一对电磁铁线圈11A，11B组成的，它们在屏幕的水平方向上彼此相对地跨接在各自的颈部24(241，242)上。图16，17或18中的校正电流产生装置121，122或123，分别应用于校正电流产生装置121，122。上述多颈型彩色阴极射线管21被组装构成显示器装置，例如计算机显示器，电视接收机等等。
按照本发明实施例的包括多颈型彩色阴极射线管21的显示器装置，每个来自电子枪261，262的电子束291，292的电子射束沉陷图案可以独立被进行校正。因此，电子射束沉陷图案可以以这样的方式进行校正，即各电子束291，292可以撞击大图象面积32中心部分上的同一荧光物质层。进而，根据本实施例，可以获得类似于显示器装置的效果的其它效果，该显示器包括彩色阴极射线管。
根据本发明，电子射束沉陷位置差可以通过调整对应于屏幕上各坐标的校正量而被详细校正。进而，电子束沉陷可以在显示器设备制造好以后进行校正。再进一步，温度漂移和地磁漂移也可以被校正。
根据本发明，当阴极射线管的荧光屏被制造的时候，曝光透镜的弯曲部分可以被简化，透镜的数量可以被减少，透镜的精度可以被改善，光学设计可以简化，进而偏转线圈的设计可以被简化。
本发明适合应用于，包括多个电子枪的多颈型彩色阴极射线管的显示器装置。特别是，它能以这样的方式校正电子射束沉陷，即，当来自各电子枪的电子束撞击屏幕中心位置上荧光物质层的同一位置时，各电子束可以沉陷在荧光屏的相同的荧光物质层上。因此，本发明的显示装置，可以显示高质量的图象。
已经参考附图对本发明的最佳实施例进行了描述，可以理解，本发明不限于这些实际的实施例，熟悉本技术的人可以做出各种变化和修改而不脱离所附权利要求规定的本发明的精神和范围。
权利要求
1.一种显示器装置，包括电子射束沉陷图案校正线圈，它被安排在阴极射线管上偏转线圈的后面；和校正电流产生装置，它产生对应于电子射束沉陷图案的校正电流并提供该电流给上述电子射束沉陷图案校正线圈；其中上述校正电流是通过选择性地组合一组波形电流分量而产生的，这些电流分量分别校正一组基本电子射束沉陷图案。
2.一种如权利要求1的显示器装置，其中，上述校正电流被提供给上述电子射束沉陷图案校正线圈而与电子束的行方向和场方向的偏转周期同步。
3.一种显示器装置，包括电子射束沉陷图案校正线圈，它被安排在包括一组电子枪的多颈型阴极射线管上的偏转线圈的背后；和校正电流产生装置，它对应于来自一组电子枪的电子射束沉陷图案而产生校正电流并提供电流给上述电子射束沉陷图案校正线圈，其中上述校正电流是通过有选择地组合一组波形电流分量而产生的，电流分量可以分别校正一组基本电子射束沉陷图案，上述来自一组电子枪的电子射束的电子射束沉陷图案可以被独立校正。
4.一种如权利要求3的显示器装置，其中上述校正电流被提供给上述电子射束沉陷图案校正线圈，而且与电子束的行方向和场方向的偏转周期同步。
5.一种校正电子射束沉陷图案的方法，包括步骤对应于一个电子射束沉陷图案，提供一个选择性组合一组波形电流分量的校正电流到在阴极射线管上偏转线圈背后放置的电子射束沉陷图案校正线圈上，其中，该组电流分量可以分别校正一组基本电子射束沉陷图案。
6.如权利要求5的校正电子射束沉陷图案的方法，其中上述校正电流被加到上述电子射束沉陷图案校正线圈上而且与电子束的行方向和场方向的偏转周期同步。
全文摘要
按照本发明的显示器装置包括一个电子射束沉陷图案校正线圈，它安排在阴极射线管的偏转线圈的后面，一个校正电流产生装置，它对应于电子射束沉陷图案产生一个校正电流并提供该电流给这个电子射束沉陷图案校正线圈。这个校正电流通过有选择地组合一组波形电流分量而获得(即，DC电流分量，锯齿波分量，抛物线形波分量，正弦波分量等等)，这些电流分量响应于射束沉陷位置差而分别校正一组基本电子射束沉陷图案。因此，在显示器装置制造好以后，所制造的显示器装置的射束沉陷位置差可以在整个屏幕上被详细地校正。
文档编号H04N9/16GK1404096SQ0213189
公开日2003年3月19日 申请日期2002年7月31日 优先权日2001年7月31日
发明者田中正长, 细川弘 申请人:索尼公司