专利名称：一种基站集成装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及移动通讯领域，特别涉及一种微基站或者超微基站的集成装置。
背景技术：
目前，在移动通讯领域中，现有的基站产品主要包括宏基站、RRU、微基站，他们分 别主要解决了大区域、小区域的繁荣覆盖，但是针对像电梯，地铁等更小的区域的覆盖，上 述基站由于体积大、成本高、设计复杂、安装困难等等原因不能很好的满足上述更小的区域 的繁荣覆盖。
实用新型内容本实用新型要解决的主要技术问题是，提供一种基站集成装置，使其适用于像电 梯、地铁等类似狭小空间的繁荣覆盖。为解决上述技术问题，本实用新型提供一种基站集成装置，包括基站主体和外壳， 所述基站主体安装于所述外壳内，所述基站主体包括多层混合集成电路。在本实用新型的一种实施例中，所述混合集成电路包括射频通道混合集成电路、 电源混合集成电路、基带混合集成电路、接口混合集成电路以及控制混合集成电路。在本实用新型的一种实施例中，所述基站主体包括6层混合集成电路，分别为射 频通道混合集成电路、电源混合集成电路、接口混合集成电路、控制混合集成电路以及两层 基带混合集成电路。在本实用新型的一种实施例中，所述基站主体包括7层混合集成电路，分别为射 频通道混合集成电路、电源混合集成电路、基带混合集成电路、接口混合集成电路、控制混 合集成电路、功放板混合集成电路以及两层基带混合集成电路。在本实用新型的一种实施例中，所述射频通道混合集成电路位于所述多层混合集 成电路的顶层。在本实用新型的一种实施例中，所述基站主体上还设置有散热片，所述散热片与 所述外壳连接。在本实用新型的一种实施例中，所述基带混合集成电路为可编程门阵列混合集成 电路或者数字信号处理混合集成电路，所述散热片位于所述基站主体上的一端紧贴所述现 场可编程门阵列混合集成电路里的现场可编程门阵列或者数字信号处理混合集成电路里 的数字信号处理电路。在本实用新型的一种实施例中，所述现场可编程门阵列混合集成电路或者数字信 号处理混合集成电路位于所述多层混合集成电路的除顶层之外的任意一层。在本实用新型的一种实施例中，所述外壳上还安装有功放板，在所述功放板的安 装位置安装有屏蔽罩，将所述功放板屏蔽。在本实用新型的一种实施例中，所述散热片为铜片。在本实用新型的一种实施例中，所述散热片与所述外壳相连接的部分还设置有导热管。本实用新型的有益效果是本实用新型提供的基站集成装置，通过将基站的各种 电路制成为多个混合集成电路，并将上述集成电路通过混压形成基站主体，由于混合集成 电路具有组装密度大、可靠性高、电性能好、设计灵活、工艺简单方便等特点，使本实用新型 的基站集成装置的体积相对于现有的微基站的体积大大的减小，且本实用新型提供的基站 集成装置成本低，设计简单灵活、安装方便，极大的满足了像电梯、地铁等类似场合的安装、 及繁荣覆盖的要求。
图1为本实用新型一种实施例的基站主体结构图；图2为本实用新型一种实施例的带散热片的混合集成电路结构图；图3为本实用新型一种实施例的外壳结构图；图4为本实用新型另一种实施例的外壳结构图。
具体实施方式
在移动通讯领域中，现有的基站产品由于体积大、成本高、设计复杂、安装困难等 等原因不能很好的满足像电梯、地铁这样的小区域的繁荣覆盖。因此，要解决上述问题，需 体积小、成本低、设计简单、安装方便的基站集成装置。本实用新型则提供了一种体积小、成 本低、设计简单、安装方便的微基站，但其体积比现有的微基站小很多，因此也可称之为微 微基站或超微基站，以下我们称之为超微基站。本实用新型提供了一种基站集成装置，包括基站主体和外壳，基站主体安装在外 壳里面，外壳同时起到保护基站主体和散热的作用；基站主体包括至少两层混合集成电路， 第一层即基站主体的顶层为射频通道电路的混合集成电路，其他层可为电源电路、基带电 路、控制电路以及功放板的混合集成电路，当然，上述电路中的几个电路可集成在一层混合 集成电路上，其中，基带混合集成电路可通过现场可编程门阵列FPGA(Field-Programmable Gate Array)混合集成电路或者数字信号处理DSP (Digital Signal Processing)混合集 成电路实现，可位于基站主体上的除顶层之外的任意一层上，为了保证其很好的散热，可在 FPGA或者DSP电路的上方紧贴一个散热片，根据实际的散热功率，可选择合适大小面积散 热片，散热片的一端紧贴于FPGA或者DSP电路的上方，另一端与外壳连接，即与外壳的预设 位置紧贴，用于将散热片上的热量散到外壳上，从而使热量尽快的散去。下面通过具体实施方式
结合附图对本实用新型作进一步详细说明。为了更好的理解本实用新型，下面对混合集成电路做一个较详细的说明混合集成电路是由半导体集成工艺与薄(厚)膜工艺结合而制成的集成电路。是 在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯 片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成。与分立元件电路相比，混合集成 电路具有组装密度大、可靠性高、电性能好等特点。相对于单片集成电路，它设计灵活，工艺 方便，便于多品种小批量生产；并且元件参数范围宽、精度高、稳定性好，可以承受较高电压 和较大功率。混合集成电路是将一个电路中所有元件的功能部分集中在一个基片上，能基本上消除电子元件中的辅助部分和各元件间的装配空隙和焊点，因而能提高电子设备的装配密 度和可靠性。基于该结构特点，混合集成电路可当作分布参数网络，具有分立元件网路难以 达到的电性能。混合集成电路的另一个特点是改变导体、半导体和介质三种膜的序列、厚 度、面积、形状和性质以及它们的引出位置，可得到具有不同性能的无源网路。制造混合集成电路常用的成膜技术有两种网印烧结和真空制膜。用前一种技术 制造的膜称为厚膜，其厚度一般在15微米以上，用后一种技术制造的膜称为薄膜，厚度从 几百到几千埃。基于可加工度和可生产性，兼顾产品的性能和成本，本实施例可采用厚膜技 术，在微带加工技术精度更高、成本更低的将来，本方案也应即时进行更新，通过采用分布 参数电路来进一步提升产品竞争力。混合集成电路的制造采用标准化的绝缘基片，最常用 的是矩形玻璃和陶瓷基片，可将一个或几个功能电路制作在一块基片上。下面，结合附图对本实用新型做进一步的说明在本实施例中，基站主体可选为包括6层的混合集成电路，请见图1，其中顶层1 可为射频通道电路的混合集成电路，由于射频通道电路的特殊要求，我们采用高介质10的 射频板材做射频通道混合集成电路，其只实现射频通道电路，如功放前级电路，以及接收的 射频通道电路；基站主体的第二至六层可分别为控制电路、电源电路、接口电路及两层基带 电路，当然，当上述电路的几个电路集成在一个混合集成电路上时，相应的可以减少基站主 体的层数，控制电路、电源电路、基带电路、接口电路及控制电路的混合集成电路可选择由 陶瓷基片或者矩形玻璃基片制成。然后将上述各电路的混合集成电路混压，形成本实施例 的基站主体。另外可将运放板也集成到基站主体上，即加上第七层为运放板混合集成电路， 在这种情况下，运放板的功率一般不超过3W，或者在超过3W时，可在运放板的正上方紧贴 一个散热片，散热片的另一端可紧贴外壳，以达到对运放板的有效散热。我们也可采取将运 放板安装在如图4中的外壳上，具体可安装在外壳的上盖2的第一方框3的位置，第一方框 3的位置可根据具体需要选择，这样可将运放板直接与外壳紧贴，运放板所产生的热量可以 立即传输到外壳上，以尽快的散去。为了防止运放板对基带电路、射频通道电路、控制电路、 电源电路的干扰，可在运放板的外围安装一个屏蔽罩，以保证上述电路的正常工作。请参考图2，该图为带散热片的混合集成电路结构图；该混合集成电路可为FPGA 或者DSP电路的混合集成电路，即本实施例中的基带混合电路可通过FPGA或者DSP实现， 该混合集成电路可为图1所示的基站主体的第二至五层的任意一层，其中该混合集成电路 的散热片4可为一切能散热的金属片，本实施例优选为铜片，因为其散热性能较好。在本实 施例中，可将散热片4的一端埋在混合集成电路里，且紧贴于混合集成电路里的FPGA或者 DSP电路的正上方，这样FPGA或者DSP电路的热量首先会传给散热片4，由于散热片4的另 外一端紧贴于如图3所示的外壳的第二方框5处，散热片4最终将热量传递给外壳散掉。第 二方框5的位置可设置于如图3所述的外壳的四个侧面上，且根据实际需要可以灵活的改 变散热片4即第二方框5的面积的大小。当基站功率较大时，比如达到几十瓦以上，为了保 证更好的散热，外壳可采用铝制或者铜制的外壳。但考虑到成本，本实施例可选取采用铝制 的外壳，在外壳的第二方框5的位置处，即与散热片4紧贴外壳的位置，还可在外壳的里面 设置导热管，以加快散热片散热的速度，进一步保证热量在短时间内尽快的散去。根据实际 的基站功率情况，比如其功率小于5w时，外壳可不必全用金属制成，可在基站主体的发热 电路的部分集中用铝或者铜等金属制成，以尽快散热。在其他位置的外壳则可采用塑料制
5成，以节约成本，减少基站集成装置的重量，便于安装。本实用新型提供的基站集成装置，通过利用混合集成电路将电源电路、基带电路 等通过相应的基板制成混合集成电路，并将其通过混压形成本实施例的基站主体，由于混 合集成电路具有组装密度大、可靠性高、电性能好、设计灵活、工艺简单方便等特点，使本实 施例的基站集成装置的体积跟一只烟盒的体积差不多大小，相对于现有的微基站的体积减 小很多，且本实施例提供的基站集成装置成本低，设计简单灵活、安装方便，通过散热片的 适当布局，并与外壳紧贴，有很好的散热效果，能将各个电路产生的热量及时的散去，极大 的满足了像电梯、地铁等类似场合对微基站的易于安装、散热性好、体积小、成本低等各个 方面的要求。以上内容是结合具体的实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定 本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员 来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属 于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种基站集成装置，包括基站主体和外壳，所述基站主体安装于所述外壳内，其特征 在于，所述基站主体包括多层混合集成电路。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述混合集成电路包括射频通道混合集成 电路、电源混合集成电路、基带混合集成电路、接口混合集成电路以及控制混合集成电路。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基站主体包括6层混合集成电路，分别 为射频通道混合集成电路、电源混合集成电路、接口混合集成电路、控制混合集成电路以 及两层基带混合集成电路。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基站主体包括7层混合集成电路，分别 为射频通道混合集成电路、电源混合集成电路、接口混合集成电路、控制混合集成电路、功 放板混合集成电路、以及两层基带混合集成电路。
5.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述射频通道混合集成电路位于所述多层 混合集成电路的顶层。
6.如权利要求1-5任一所述的装置，其特征在于，所述基站主体上还设置有散热片，所 述散热片与所述外壳连接。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述基带混合集成电路为可编程门阵列混 合集成电路或者数字信号处理混合集成电路，所述散热片位于所述基站主体上的一端紧贴 所述现场可编程门阵列混合集成电路里的现场可编程门阵列或者数字信号处理混合集成 电路里的数字信号处理电路。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述现场可编程门阵列混合集成电路或者 数字信号处理混合集成电路位于所述多层混合集成电路的除顶层之外的任意一层。
9.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述外壳上还安装有功放板，在所述功 放板的安装位置安装有屏蔽罩，将所述功放板屏蔽。
10.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述散热片为铜片。
11.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述散热片与所述外壳相连接的部分还设 置有导热管。
专利摘要本实用新型公开了一种微基站的集成装置，包括基站主体和外壳，所述基站主体安装于所述外壳内，所述基站主体包括至少两层混合集成电路，本实用新型提供的基站集成装置，通过将基站的各种电路制成为多个混合集成电路，并将上述集成电路通过混压形成基站主体，由于混合集成电路具有组装密度大、可靠性高、电性能好、设计灵活、工艺简单方便等特点，使本实用新型的基站集成装置的体积相对于现有的微基站的体积大大的减小，且本实用新型提供的基站集成装置成本低，设计简单灵活、安装方便，极大的满足了像电梯、地铁等类似场合的安装、及信号的繁荣覆盖等要求。
文档编号H04W88/08GK201898629SQ20102062025
公开日2011年7月13日 申请日期2010年11月23日 优先权日2010年11月23日
发明者刘新琼, 李俊虎, 杨云博 申请人:中兴通讯股份有限公司