1.一种基于硅基可调偏振旋转器的QKD系统，包括发射端以及接收端，其特征在于，所述发射端包括依次连接的连续光激光器、强度调制器、第一可调偏振旋转器和光衰减器，所述接收端包括第二可调偏振旋转器、3dB耦合器、TE偏振光栅耦合器、TM偏振光栅耦合器、两路单光子探测器，所述第二可调偏振旋转器连接3dB耦合器，所述3dB耦合器的输出端分两路，一路连接TE偏振光栅耦合器，另一路连接TM偏振光栅耦合器，TE偏振光栅耦合器和TM偏振耦合器分别连接一路单光子探测器，所述强度调制器与第一可调偏振旋转器、第二可调偏振旋转器利用硅光子集成技术制作在同一个SOI芯片上。
2.如权利要求1所述的基于硅基可调偏振旋转器的QKD系统，其特征在于，所述强度调制器为硅基光波导型调制器，包括但不限于MZ光调制器、微环光调制器、锗吸收光调制器中的一种。
3.如权利要求2所述的基于硅基可调偏振旋转器的QKD系统，其特征在于，所述强度调制器的掺杂结构包括但不限于pin型掺杂、反向pn型掺杂、MOS结构掺杂中一种。
4.如权利要求1所述的基于硅基可调偏振旋转器的QKD系统，其特征在于，所述光衰减器为硅基光波导型光衰减器。