扬声器的制作方法

本实用新型涉及电声
技术领域：
，特别涉及一种扬声器。
背景技术：
：目前，随着扬声器行业，特别是适用于移动通讯设备行业的微型扬声器产品的迅速发展，现在对于微型扬声器性能的要求也越来越高，而微型扬声器振动系统的最大振幅是限制其性能进一步提升的一个关键因素。然而，目前常见的微型扬声器的音圈通常采用悬空引线方式，在该方式中，音圈包括音圈本体和从音圈本体的两个角悬空引出的两根音圈引线，该音圈引线绕过弧顶位置后，顺线轨迹沿着边磁体的上方通过，最后音圈引线的尾部被固定住并与扬声器的电连接装置电连接，故当音圈振动，音圈引线上邻近其尾部的区域振动幅度有限，而音圈引线上远离其尾部的区域则振动幅度较大，特别是当音圈大振幅振动时，该区域就极易与边磁体的远离音圈引线尾部的上端角处发生碰撞而引起断线等问题。技术实现要素：本实用新型的主要目的是提供一种扬声器，旨在减少因音圈引线与边磁部碰撞而引起的断线问题。为实现上述目的，本实用新型提出的扬声器包括中心磁部、边磁部以及音圈；边磁部间隔设于所述中心磁部的外围，以在所述中心磁部与所述边磁部之间限制出磁间隙；音圈包括音圈本体及自所述音圈本体引出的音圈引线，所述音圈本体至少部分伸入所述磁间隙，所述音圈引线包括固定在所述边磁部上方的第一引线段、及连接所述第一引线段和所述音圈本体且悬置的第二引线段，所述第一引线段具有邻近所述第二引线段的下振区域；所述边磁部上形成有避让所述下振区域的避让空间。可选地，所述边磁部呈矩形设置，所述避让空间成形于所述边磁部的角落位置。可选地，所述边磁部包括两块相对设置的边磁体，且该两块边磁体包括对应设置在所述第一引线段下方的第一边磁体，所述避让空间包括设置在所述第一边磁体的邻近所述下振区域的上端角处的第一倒角让位部。可选地，所述第一倒角让位部呈倒直角状设置。可选地，所述第一倒角让位部具有让位斜面，所述让位斜面相对于所述第一边磁体的顶面向下倾斜的角度范围为20°～80°。可选地，所述第一倒角让位部呈倒圆角状设置。可选地，在上下方向上，所述第一倒角让位部的高度为H1，所述第一边磁体的高度为H2，H1≤1/2H2。可选地，所述边磁部还包括叠设于所述第一边磁体上的第一边导磁板，所述避让空间还包括设置在所述第一边导磁板的邻近所述下振区域的上端角处的第二倒角让位部。可选地，在所述边磁部邻近所述第二引线段的一侧，所述第一边磁体相对凸出于所述第一边导磁板设置，且所述第一边导磁板未覆盖所述第一倒角让位部。可选地，所述音圈的两个音圈引线分设于所述中心磁部的相对两侧。本实用新型的技术方案中，通过在边磁部上形成有避让下振区域的避让空间，当音圈引线特别是下振区域向下振动时，该避让空间就为下振区域的活动提供了一个自由空间，如此，就可以有效解决第一引线段的下振区域与边磁部之间易发生干涉而导致断线的问题，从而为扬声器在大振幅条件下的振动状态提供了有效保障，且音效提升效果明显。附图说明为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本实用新型扬声器一实施例的爆炸图；图2为图1中音圈与中心磁部和边磁部处于装配状态时的结构示意图；图3为图2中沿S1-S1方向的剖面结构示意图；图4为图3中A处的放大示意图；图5为本实用新型扬声器另一实施例的音圈与中心磁部和边磁部处于装配状态时的结构示意图；图6为图5中沿S2-S2方向的剖面结构示意图；图7为图6中B处的放大示意图。附图标号说明：标号名称标号名称1中心磁部11中心磁体2边磁部12中心导磁板211第一倒角让位部211a让位斜面22第一边磁体3导磁轭4音圈41音圈本体42音圈引线421第一引线段422a拐角422第二引线段421a下振区域5外壳6振膜61振膜主体62补强部23第一边导磁板231第二倒角让位部本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。本实用新型提出一种扬声器。参照图1至图3，在本实用新型一实施例中，该扬声器包括中心磁部1、边磁部2以及音圈4；边磁部2间隔设于中心磁部1的外围，以在中心磁部1与边磁部2之间限制出磁间隙(未标示)；音圈4包括音圈本体41及自音圈本体41引出的音圈引线42，音圈本体41至少部分伸入磁间隙，音圈引线42包括固定在边磁部2上方的第一引线段421、及连接第一引线段421和音圈本体41且悬置的第二引线段422，第一引线段421具有邻近第二引线段422的下振区域421a；边磁部2上形成有避让下振区域421a的避让空间。在此需说明的是，在本实施例中，该扬声器具体为一个呈矩形的微型扬声器，可适用于手机、平板电脑等电子产品中。当然，于其他实施例中，该扬声器还可以是圆形等其他形状。参照图1所示，本微型扬声器通常包括磁路系统、振动系统以及支撑系统。其中，支撑系统包括用以收容固定磁路系统与振动系统的外壳5。磁路系统通常包括中心磁部1和边磁部2，两者之间间隔形成磁间隙，此外，磁路系统还包括用于固定中心磁部1并修正磁力线的导磁轭3。振动系统包括振膜6和音圈4，振膜6与音圈4远离磁路系统的一侧连接，音圈4的另一侧则悬设于磁隙内；振膜6通常包括振膜主体61和用以调节声学性能的补强部62。具体地，音圈4包括音圈本体41，音圈本体41上绕制有导线，该导线的始线和末线从音圈本体41上引出而形成音圈引线42。音圈4可通过音圈引线42与扬声器的电连接装置电连接，其中，音圈引线42的第一引线段421远离第二引线段422的一端可通过焊接及/或涂胶等方式而被固定。在本实施例中，当扬声器工作时，音圈4在通入声音信号后能够在中心磁部1和边磁部2之间形成的磁间隙中振动，进而带动振膜6发生振动以产生声音。由于固定在边磁部2上方的第一引线段421远离第二引线段422的一端被固定住，而第一引线段421的下振区域421a和第二引线段422则呈悬空设置，故当音圈4振动，特别是大振幅振动时，该第一引线段421的下振区域421a就极易与边磁部2发生碰撞干涉，从而易导致音圈引线42损坏断裂。然而，在本实用新型的技术方案中，通过在边磁部2上形成有避让下振区域421a的避让空间，当音圈引线42特别是下振区域421a向下振动时，该避让空间就为下振区域421a的活动提供了一个自由空间，如此，就可以有效解决第一引线段421的下振区域421a与边磁部2之间易发生干涉而导致断线的问题，从而对扬声器在大振幅条件下的振动状态提供了有效保障，且音效提升效果明显。参照图1至图4，在本实施例中，边磁部2具体呈矩形设置，避让空间成形于边磁部2的角落位置。进一步地，中心磁部1包括呈矩形设置的一块中心磁体11，边磁部2包括四个边磁体，四块边磁体依次环绕分布在中心磁部1周围，即四块边磁体组合构成呈环形围合状的边磁部2。第二引线段422自其中两相邻边磁体之间的间隙朝上倾斜延伸，且该四块边磁体中包括两块相对设置的边磁体，而这两块边磁体中包括对应设置在第一引线段421下方的第一边磁体22，避让空间包括设置在第一边磁体22的邻近下振区域421a的上端角处的第一倒角让位部211。如此，当音圈4带动音圈引线42振动时，由于第一倒角让位部211的存在，音圈引线42上振动幅度最大的下振区域421a就不会与第一边磁体22发生干涉，从而避免了音圈引线42损坏断裂。需特别说明的是，在本实用新型的技术方案中，并不限制中心磁部1和边磁部2的具体形成方式，除了如本实施例所示的一块中心磁体11加四块边磁体的方式之外，还可以但不限于是在一块中心磁体11的相对两侧各设有一块边磁体等情况。进一步地，参照图1和图2，在本实施例中，两音圈引线42分设于中心磁部1的相对两侧，即两音圈引线42分别悬空设置于位于中心磁部1的相对两侧的两个边磁体上，其中一边磁体即为第一边磁体22，在该第一边磁体22上设有第一倒角让位部211，另一与之相对的边磁体则与该第一边磁体22形状相同，也同样设有倒角让位部，这样，当两根音圈引线42振动时，均不会与对应侧的边磁体发生干涉。可以理解，此设置可使整个音圈4结构更加对称平衡，从而振动时更加平稳，有利于减少偏振现象以及提高扬声器音效。具体地，该微型扬声器的音圈引线42从音圈本体41的两矩形转角处引出，然后绕过弧顶位置后，顺线轨迹沿着边磁体的上方通过，最后与焊盘位置点焊连接；在第二引线段422与第一引线段421的连接处设有拐角422a，该拐角422a可增加有效线长，并具有对力缓冲更均匀的效果。具体地，参照图2和图3，在本实施例中，第一倒角让位部211呈倒直角状设置。进一步地，该第一倒角让位部211具有让位斜面211a，让位斜面211a相对于第一边磁体22的顶面向下倾斜的角度范围可优选为20°～80°。可以理解，在让位斜面211a的面积一定的情况下，其角度越大，则在上下方向上的避让程度就越大，而在第一边磁体22长度方向上的避让程度就越小，当让位斜面211a的倾斜角度在前述优选范围时，可获得较好的避让效果。然本设计不限于此，在如图5至图7所示的另一实施例中，其与图1至图3所示的实施例的主要区别在于，该第一倒角让位部211呈倒圆角状设置。在本实施例中，如图3和图4所示，在上下方向上，第一倒角让位部211的高度为H1，第一边磁体22的高度为H2，H1的优选范围为H1≤1/2H2。可以理解，虽然第一倒角让位部211的高度H1越大，其避让空间越大，但过大的倒角设置可能会对整个第一边磁体22的磁通量造成一定影响，故H1优选设置范围为H1≤1/2H2。同理，于其他实施例中，在第一边磁体22的沿长度方向的邻近第二引线段422的一端，即对应下振区域421a处必然设有让位倒角部之外，第一边磁体22沿长度方向的另一端也可以设置倒角让位部，但此设置可能会对第一边磁体22的磁通量造成一定影响。需特别说明的是，如图3和图4所示，边磁部2通常还包括叠设于第一边磁体22上的第一边导磁板23，当然其他边磁体上也叠设有对应的边导磁板，中心磁体11上叠设有中心导磁板12。由于第一边导磁板23上固定有音圈引线42的第一引线段421，故在形成避让空间时，第一边导磁板23的邻近下振区域421a的上端角处也会去掉一定的体积。换言之，避让空间包括第一倒角让位部211以及设置在第一边导磁板23的邻近下振区域421a的上端角处的第二倒角让位部231，其中，第二倒角让位部231可以是倒直角设置，也可以是倒圆角设置等，且第二倒角让位部231可以和第一倒角让位部211衔接设置。但在本实施例中，进一步地，在边磁部邻近第二引线段422的一侧，第一边磁体22具有相对第一边导磁板23凸出的部分，且第一边导磁板23未覆盖第一倒角让位部211。此时，第一倒角让位部211设于该凸出部分，避让空间包括第一边导磁板23与第一边磁体22之间限定出的下沉台阶空间、第一倒角让位部211、及第二倒角让位部231。以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的发明构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的
技术领域：
均包括在本实用新型的专利保护范围内。当前第1页1 2 3