专利名称：无线接收—发射装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及到一种象TDMA(时分多址存取)通信信装置这样的无线接收-发射装置，该装置装有象SPDT(单极双通)开关这样的信号转换开关，这种开关被用来在装置和天线之间选择地转换输入和输出信号。
在TDMA通信装置中，利用SPDT开关来有选择地把射频信号输出给天线或从天线输入这样的信号。
图1是例举的SPDT开关的理论上的电路图。如科所示，该SPDT开关由四个场效应三极管FET单元组成，并且具有一信号输入端IN，一信号输出端OUT和一信号输入-输出端I0。
第一FET单元5的一端连接到信号输入端IN2，而其另一端连接到信号输入-输出端I01。第二FET单元6的一端连接到信号输入端IN2，而其另一端接地。第三FET单元9的一端连接到信号输出端OUT3，而其另一端连接到信号输入-输出端I01。第四FET单元8的一端连接到信号输出端OUT3，而其另一端接地。这些FET单元相互等同的场效应三极管组成。在该说明书中，每个FET单元意味着由一级或多级的场效应三极管构成的配置。信号输入端IN2连接到该通信装置的发射机上，信号输出端OUT3连接到该通信装置的接收机上，而信号输入-输出端I01连接到天线上。
当SPDT开关处于发送模式，用来把射频信号从该通信装置的发射机输出到天线时，SPDT开关上的第一FET单元5和第四FET单元8导通，而第2FET单元6和第三FET单元9截止。因此在信号输入端IN2上收到的射频信号经第一FET单元5传递到信号输入-输出端IO1。同时，当SPDT处于接收模式，用来把从天线来的射频信号输入到该通信装置的接收机时，SPDT开关上的第三FET单元9和第二FET单元6导通，而第四FET单元8和第一FET单元5截止，所以在信号输入-输出端IO1上接收到的射频信号经第三FET9传递到信号输出端OUT3。
在DC信号情况下，如果SPDT开关仅由第一FET单元5和第三FET单元9组成可达到令人满意的隔离。即在SPDT开关处于发送模式时，在处于截止状态的第三FET单元9上不导致漏电流。同样当SPDT开关处于接收模式时，在也是处于截止状态的第一FET单元5上不导致漏电流。但是，因为每只场效应三极管具有一个容性成份，如果SPDT开关是如上述构成的话，对于发送或接收一个AC信号的情况则会引起问题。即正是在第一FET单元5或第三FET单元g处于截止状态时，AC信号从第一FET单元5或第三FET单元9泄漏出，因此在获得完全隔离方面招致失败。从而，在AC信号的发送或接收中，必须通过结合第二FET单元6和第四FET单元8，如上所述构成SPDT开关，导致AC信号的对地泄漏。
一般，场效应三极管的栅极偏压决定于输入AC信号的电压幅值而变化。当AC信号在这种条件下流在该场效应三极管的源区和漏区之间的沟道中时，上述条件是DC栅极电压VgDC被加到三极管的栅极上，栅极偏压Vg被加在三极管的栅极和沟道之间，上述栅极偏压由DC栅极电压VgDC和迭加在上的最大电压幅值VRF。因此，施加到栅极的栅极偏压Vg由相对栅极电压VgDc的±△Vg的最大值在与AC信号同一频率上变化。在上述讨论中，△Vg表示栅极电压变化，该变化由AC信号的最大电压幅值VRF来确定，并大约等于KXVRF(在此K是比1小的常数)。常数K单一地从时间常数中算出，该时间常数由场效应三极管的栅极和沟道之间的电容以及AC信号的频率来确定。
在信号发送的这种时候，即第一FET单元5和第四FET单元8处于导通状态，而第二FET单元6和第二FET单元9处于截止状态时，大功率的射频信号正常地在SPDT开关中流动。在这种情况中，第一FET单元5上的场效应三极管的栅极偏压由于受流在第一FET单元5中的射频信号的影响变以成Vg(＝VON-△Vg)。VON代表的是施加给导通状态下的场效应三极管栅极的DC栅极电压。结果，该场效应三极管的源极-漏极饱和电流Idss被减小。如果在第一FET单元5中流过的射频信号电流超过源极-漏极饱和电流Idss的话，第一FET单元5不能使信号的全部电流在其上流动，由此产生射频信号上的失真，该信号是从SPDT开关向天线输出的，或在SPDT开关上导致接入损耗。这种现象以图形表示在图2上。在该图上，VBI代表内建电压，VBR代表击穿电压。
在信号发送时，如果具有最大电压幅值VRF的高电压施加到处于截止状态的第二FET单元6和第三FET单元9的源-漏区的话，在第二FET单元6和第三FET单元9上的场效应管的栅极偏压Vg(＝VOFF+△Vg)超过夹断电压Vps，使第二FET单元6或第三FET单元9导通，所以产生射频信号上的失真，该射频信号是从SPDT开关输出到天线上的，或导致SPDT开关隔离特性上的某些恶化。这种现象以图示形式也表示在图2上。由VOFF代表的是施加给处于截止状态的场效应三极管栅极上的DC栅极电压。
在信号接收时，即第三FET单元9和第二FET单元6处于导通状态，而第4FET单元8和第一FET单元5处于截止状态时，如果大功率的射频信号在SPDT流动时，类似于信号发送期间第一FET单元5的现象，相应在第三FET单元9中的场效应三极管上出现。因此，第三FET单元9不能使信号的完整电流流过，借此，在射频信号上产生失真，该射频信号是从SPDT开关输出到该通信装置上的，或在SPDT开关上引起接入损耗。
在信号接收时，如果具有最大幅值VRF的高压被加到处于截止状态上的第四FET单元8和第一FET单元5的源-漏区，则出现类似于信号传输期间第二FET单元6或第三FET单元9的现象。结果，在射频信号上产生失真，该射频信号是从SPDT开关向通信装置输出的，或在SPDT开关的隔离特性上导致某些恶化。
在已公知的普通SPDT开关上，第一、第二、第三和第四FET单元由相互等同的如图一所示的场效应管组成。在SPDT开关的发送段(第一FET单元5和第二FET单元6)和其接收段(第三FET单元9和第四FET单元8)在结构上相互一致。根本未准备足够的措施来防止在传输大的率射频信号时导致的上述故障，使得在SPDT开上易发生某些缺陷，这些缺陷包括射频信号的失真、接入损耗的产生(功率损耗)和隔离特性的恶化。
一种改进的SPDT由M.J.Schindler等人揭示在第一篇参考文献中，即“大功率2-18 GHZT/R开关”，IEEE MTT-S摘要，1990，第453～456页。在这篇引证文献中，描述一些改进，这些改进包括考虑发送功率和接收功率之间级差来优化每个场效应三极管的栅极宽度(即，对于通过大功率射频信号的每只三极管栅极宽度被加宽，从而防止射频信号的失真或接入损耗的增加)，而且为了增强截止状态下的耐压特性和隔离特性使用双栅极场效应三极管。
但是，在上述引证参考文献中所获得的改进未包括有关这种情况的设计方案，即在发送时较大功率被输入到该SPDT的情况，特别尤其是，存在这样的问题，在第二FET单元6上隔离特性易被恶化。此外，双栅极FET的耐压至多为单栅极FET的两倍，这种双栅极FET处理任何较大功率的射频信号是不可能的。除了上述问题，在隔离特性上获得的改进至多两倍左右。此外，必须准备具有不同栅极宽度的各种场效应三极管。
如上所述，普通SPDT开关或在引证参考文献中，揭示的那种不能令人满意地处理大功率射频信号，不适应实现有关隔离和接入损耗的所要求的特性。另外的问题仍然存在，即由于所要求场效应三极管的种类的增加，有关在设计和生产上的复杂及繁琐化。
本发明的目的是提供一种装有信号转换开关的接收-发射装置，它能处理大功率的射频信号，并实现令人满意的性能，该性能具有所要求的接入损耗(功率损耗)和优异的隔离特性，而不增加所需场效应三极管的种类。
为达到上述目的，根据本发明的信号转换开关具有一种信号输入端，一信号输出端和一信号输入-输出端，并且由4个场效应三极管单元组成。第一FET单元的一端连接到信号输入端，而其另一端连接到信号输入-输出端。第二FET单元的一端连接到信号输入端，而其另一端接地。第二FET单元的一端连接到信号输出端，而其另一端连接到信号输入-输出端，第四FET单元的一端连接到信号输出端，而其另一端接地，构成第一FET单元的每只三极管具有这样的栅极宽度，使得源极-漏极性和电流大于馈给到信号输入端的信号的最大电流幅值。第二FET单元由一个或多个三极管极构成，在数量上等于对这样的数值整数化的结果，这个数值是用构成第二FET单元的三极管的耐压除从信号输入端馈给的信号的最大电压幅值获得的。第三FET单元由一个或多个三极管级构成，在数量上等于对这样的数值整数化的结果，这个数值是用构成第三FET单元的三极管耐压除从信号输入端馈给的信号的最大的电压幅值获得的。
在本发明的信号转换开关中，最佳的是，在第一FET单元上的三极管级数这样确定，以使在第一FET单元上的接入损耗和隔离值最小，在第二和第三FET单元上的每只三极管的栅极宽度这样确定，使得在第二FET单元和第三FET单元上的接入损耗和隔离值最小。
也是最佳的是，在第四FET单元上的三极管级的数取决于所收信号的功率而定，在第四FET单元上的每只三极管的栅极宽度这样确定，使在第四FET单元上的接入损耗和隔离值最小。
在本发明的信号转换开关中，构成第一FET单元的每只三极管有这样的栅极宽度，使得源极-漏极饱和电流大于从信号输入端馈给的输入信号的最大电流幅值，借此来防止输出信号中失真的发生，或接入损耗的增加，甚至在发射大功率射频信号时把大功率射频信号输入到第一FET单元的时候。
如果加宽第一FET单元上每只三极管的栅极宽度，则出现这样的情况，即恶化了三极管的隔离特性，因此不能获得所要求值，在这一情况下，第一FET单元可由多级三极管构成。在第一FET单元上的三极管级数这样被确定，使得在第一FET单元上的接入损耗和隔离值最小，借此，该三极管的容性成份被减少到级数的分倍数上，从而最终防止隔离特性的恶化。
第二FET单元由一或多级三级管构成，在数量上等于对这样的数值整数化的结果，该数值用构成第二FET单元的三极管耐压除输入信号的最大电压幅值来获得，该信号由信号输入端馈给。第三FET单元由一或多级三极管构成，在数量上等于对这样的数值整数化的结果，该数值用构成第三FET单元的三极管耐压除输入信号的最大电压幅值来获得，该信号由信号输入端馈给。因此，在第二FET单元和第三FET单元上的每只三极管的容性成份被减少到级数的分倍数，处于截止状态的场效应三极管上引起的栅极偏压Vg的变化被减小，从而防止甚至有关大功率射频信号的隔离特性的恶化。
如果增加在第二FET和第三FET单元上的三极管级数，则会出现不利的情况，在此导致接入损耗比所要求的值大。在这种情况下，在第二和第三FET单元上的每只三极管的栅极宽度可以这样确定，使得在第二和第三FET单元上的接入损耗和隔离值最小。
本发明的上述和其他特征及优点将通过下列描述加以阐明，该说明将参照所描绘的相应附图给出。
图1示意地表示了一种根据相关技术的普通SPDT转换器的示例结构;
图2以图形表示一个场效应三极管中的栅极偏压Vg和源极-漏极饱和电流Ides之间的关系，该场效应的三极管用于信号转换开关;
图3是代表本发明信号转换开关第一实施例的初步设计图;
图4是在传输模式中本发明信号转换开关的等效电路图;
图5表示代表本发明信号转换开关的第二实施例;
图6表示在本发明的信号转换开关以及相关技术的普通SPDT开关上的模拟接入损耗和隔离特性的结果。
以下将参照应附图中所示的本发明的最佳实施例来详细描述本发明。
在一般TDMA通信系统中，可认为所发送的功率大于所接收的功率。所以，对于信号转换开关发送模式中的功率必须设法适当调节，但在开关的接收模式中，没有必要作出有关于功率的任何特殊考虑。并且在接收模式中，没有信号从转换开关的信号输入端馈给。因此，本发明的信号转换开关适用于在这样一种通信系统中的使用。
图3是代表本发明信号转换开关的第一实施例的初步设计图，该转换开关特别是一种SPDT开关。与至此已公知的普通SPDT开关类似，在该图中所示的开关具有一信号输入端IN12，一信号输出端OUT14和一个信号输入-输出端IO11，并且由4个场效应三极管单元组成。
第一FET单元15的一端连接到信号输入端IN12，而其另一端连接到信号输入-输出端IO11。第二FET单元11的一端连接到信号输入端IN12，而其另一端连接到地13。第三FET单元约的一端连接到信号输出端OUT14，而其另一端连接到信号输入-输出端IO11。第4FET单元17的一端连接到信号输出端OUT14，而其另一端接地13。在该开关中，每个FET单元表示由一或多级场效应三级管组成的结构。信号输入端IN12连接到通信装置的发射机上，信号输出端OUT14连接到通信装置的接收机上，信号输入-输出端IO11连接到天线上。
当信号转换开关为从该通信装置的发射机向天线输出射频信号而处于发送模式时，第一FET单元15和第四FET单元17在开关中导通，而第二FET单元16和第三FET单元18截止。因此，射频信号从信号输入端IN12馈给，经第一FET单元15该射频信号传给信号输入-输出端IO11。
当信号转换开关为从天线向该通信装置的接收机输入射频信号而片于接收模式时，开关中第三FET单元18和第二FET单元16导通，而第四FET单元17和第一FET单元15截止。因此，从信号输入-输出端IO11馈给射频信号，并经第三FET单元18传给信号输出OUT14。
在该信号转换开关中要求有关功率的适当调节是在发送模式中。图3表示了一种在发送模式中的信号转换开关的等效电路。在这种模式中，第一FET单元15和第四FET单元17处于低阻抗状态，相反第二FET单元16和第三FET单元18处于高阻抗状态。因为实质上没有功率加到图3中的第四FET单元17，所以在图4的图中省去了该FET单元17。如从该图中显而易见的，在第一FET单元15上要求适当的有关电流的调节，在第二FET单元16和第三FET单元18上要求适当的有关电压的调节。
第一FET单元15、第二FET单元16和第三FET单元18的结构以下述方式确定。
首先，构成第一FET单元15的每个场效应三极管的栅极宽度基于射频信号的最大电流幅值来确定，该射频信号是在发送模式中馈给信号转换开关的信号输入端IN12的。更特殊的是，栅极宽度这样确定，以致于使得每个三极管的源极-漏极饱和电流Idss大于在发送模式中从信号输入端IN12馈给的信号的最大电流幅值。
第二FET单元由一或多个三极管级组成，在数量上等于对这样的一个数值整数化的结果，该数值通过用构成第二FET单元16的三极管的耐压除输入信号的最大电压幅值来获得的，该信号是在发送模式中从信号输入端IN12馈给的。同样，第三FET单元18由一或多个三极管级构成，在数量上等于对这样的一个数值整数化的结果，该数值通过用构成第三FET单元18的三极管的耐压除输入信号的最大电压幅值来获得的，该信号是在发送模式中从信号输入端IN12馈给的。
可以相对于电流和电压适当地设计该信号转换开关，以致于在信号转换开关处于发送模式时如果输入给第一FET单元15一个高功率的射频信号的话，可以防止从开关输出的信号中失真的发生以及开关中接入损耗的出现。并进一步可以减少处于截止状态的第二FET单元16和第三FET单元18的每个三极管上的栅极偏压Vg的变化，因此甚至当输入射频信号为高功率时防止信号转换开关隔离特性的恶化。
在第一FET单元15中的再个三极管的栅极宽度加宽情况下，可能出现不到的情况，即截止状态下的泄漏电流增加，因此导致三极管隔离特性的恶化，所以使要求的隔离特性在信号接收模式中不能达到，在该模式中信号转换开关被置于接收状态。在这样一种情况下，第一FET单元15可由多级场效应三极管组成。在第一FET单元15中的级数这样确定，以致于使第一FET单元15中的接入损耗和隔离值最小，由于这样的构造，每个场效应三极管的容性成分被减少到级数的次倍数，借此来防止隔离特性的恶化。
在第二FET单元16和第三FET单元18中的三极管级增加的情况下，可能出现不利的情况，即导致接入损耗比预期值大，一般，存在这样的关系，即根据接入损耗的减少，隔离特性更加恶化。鉴于这种观点，将构成第二FET单元16和第三FET单元18的每个三极管的栅极宽度利用在第二FET单元16和第三FET单元18上的接入损耗和隔离值尽可能最小的方式来优化。
此外，第四FET单元17中的三极管级数取决于所接收信号的功率来确定，从而防止在接收模式中第四FET单元17的隔离特性恶化。构成第4FET单元17的每个三极管的栅极宽度这样确定，以致于尽可能地使第四FET单元17上的接入损耗和隔离值最小，借此能使第四FET单元17上的接入损耗最小。
图5表示了该信号转换开关的第二实施例，它能适当地处理具有1W左右高功率的射频输入信号。以下是从发送模式中的信号输入端接收的输入信号和构成各个FET单元的那些场效应三极管的详情。在设计通信装置的时候，预设输入信号的最大电压幅值和最大电流幅值，该开关被用于上述通信装置。输入信号传输线用50欧姆匹配系统来连接。
输入信号的最大电压幅值10V输入信号的最大电流幅值0.2A第一FET单元15栅极宽度2mm级数2第二FET单元16栅极宽度0.5mm耐压7V级数2第三FET单元18
栅极宽度0.5mm耐压7V级数2第四FET单元17栅极宽度0.5mm耐压7V级数1由于这样的构造，即在第一FET单元15中的每个场效应三极管的栅极宽度被置为2mm，所以在导通状态下每个三极管上的源极-漏极饱和电流Idss大约为0.3A，该值充分大于发送模式中输入信号的最大电流幅值。构成第一FET单元15的场效应三极管的级数根据所考虑的隔离特性有选择地确定为2。但是当第一FET单元15仅由单只三极管级组成时，不能得到令人满意的隔离特性。
构成第二FET单元16和第三FET单元18的场效应三极管的耐压被设定为7V。(输入信号的最大电压幅值)/(场效应三极管的耐压)＝10/7。因此，根据上述计算，确定场效应三极管的级数为2。由于这样的结构，即构成第三FET18的每个三极管有0.5mm的栅极宽度，则在导通状态下的源极-漏极饱和电流Idss为0.1A左右，该值充分在大于输入信号的最大电流幅值，该输入信号是从处于开关的接收模式中的信号输入-输出端IO11馈给的。关于第二FET单元16，相对于电流的调节是不必要的，而仅必须考虑的仅是接入损耗。对此，在第二FET单元16中的每个三极管的栅极宽度被设定为0.5mm。
第四FET单元17中的三极管耐压为7V，该值充分高于输入信号的最大电压幅值(设计值＝0.1V)，该输入信号是从接收模式中的输入-输出端IO11馈给的。因此，构成第四FET单元17的三极管的级数被确定为1。出于尽可能地使接入损耗和隔离值最小，在第四FET单元17中的每个三极管的栅极宽度被设定为0.5mm。
图1表示了根据相关技术的一种普通SPDT开关的示范结构。在这种开关中，每个FET单元由一级场效应管组成，每个三极管有1mm的栅极宽度，在图1中的普通SPDT开关中，在开关的传输模式中不作有关电流或电压的适当调节。
和图1所示的相关技术的普通SPDT开关相比，图5中所示的代表本发明信号转换开关的第二实施例有一些不同之处，这包括在本发明的开关中的第一FET单元15上，每个三极管的栅极宽度是普通开关上的栅极宽度的两倍，以致于在本发明中所允许流过的电流被变成两倍。此外，第一FET单元25、第二FET单元26和第三FET单元的每一个由二极场效应三极管构成，借此，耐压被提高两倍，随之确保进一步提高的隔离特性。
图6以图形表示了模拟图5中本发明的信号转换开关和图1中相关技术的普通SPDT开关的接入和隔离特性的结果。图6中图形代表的线表示以下特性。接入损耗由S参数(S21)来表达，该参数意味着射频功率通过的程度。
实线(A)在发送模式中的本发明信号转换开关上信号输入-输出端IO21和信号输入端IN22之间的接入损耗。
实线(B)在发送模式中的本发明信号转换开关上信号输入-输出端IO21和信号输出端OUT24之间的接入损耗。
虚线(C)在接收模式中的本发明信号转换开关上信号输入-输出端IO21和信号输出端OUT24之间的接入损耗。
虚线(D)在接收模式中的本发明信号转换开关上信号输入-输出端IO21和信号输入端IN22之间的接入损耗。
点划线(E)在发送模式(或接收模式)中的相关技术的普通SPDT开关上信号输入-输出端IO1和信号输入端IN2(或信号输出端OUT3)之间的接入损耗。
点划线(F)在发送模式(或接收模式)中的相关技术的普通SPDT开关上信号输入-输出端IO1和信号输出端OUT3(或信号输入端IN2)之间的接入损耗。
在普通SPDT开关的公知构造中，第一和第二FET单元25、26，以及第三和第四FET单元28、27在结构上是一样的，因此在传输和接收模式上具有相同的特性。如从图6中显而易见的在本发明的信号转换开关上的接入损耗和隔离特性在接收模式上略差一些。但是在发送模式上，本发明开关上所达到的接入损耗和隔离特性比在相关技术上的那些明显占有优势。
上面给出的说明仅关系举例的情况，在此本发明的信号转换开关被设置在通信装置和天线之间，用来转换该通信装置的发送和接收模式。但是在理解本发明不仅仅限于这样的实施例。例如，可以借助本发明的信号转换开关相互连接三个装置(如，装置1、装置2和装置3)，借助本发明的开关，一个信号可在这样的装置之间(如，在装置1和2之间，或装置1和3之间)转换。在这种情况下，上述的信号发送和接收模式的概念用这些装置之间的信号传送方式的概念来代替。同样，信号输入端和信号输出端分别由第一信号输入-输出端和第二输入-输出端代替。此外，从信号输入端获得的最大电流幅值和最大电压幅值由构成FET单元场效应三极管中流过的信号最大值来代替。
以上仅仅描绘了与该实施例相关描述的场效应三极管的各种数值和级数，并且根据信号转换开关的要求特性可以修改来优化这些数值和级数。在该开关上的所用的场效应三极管可以是MESFET，JFET等等中的任一种。例如，JFET的内建电压VBI大约为1.2V，它高于MESFET的内建电压VBI(约0.4V)。因此可获得较大的源极-漏极饱和电流Idss，所以优先采用JFET。
因此，根据本发明，在信号转换开关上的场效应三极管的栅极宽度和级数考虑在发送模式中射频信号的功率来有选择地确定。从而，设计一优良的开关成为可能，在此合理地作为有关电流和电压的适当调节。本发明的开关被用于处理大功率的射频信号，并确保优异的性能，该性能包括最小的接入损耗和增强的隔离特性。除上述内容之外，对该开关的制造，没有必要预备种种场效应三极管，因此在设计效率和生产率上可获得显著的优点。
权利要求
1.一种无线接收-发射装置，包括一个用于发射或接收射频信号的天线装置；一个与所述天线装置连接的开关装置，它至少包括一个FET单元，在此多个场效应三极管相互串接，用于借助一控制装置来有选择地转换输入和输出信号，每个FET单元由一个或多个场效应三极管构成；一个接收放大器，所述开关装置的输出端与接收放大器连接；和一个发射放大器，该发射放大器连接到所述开关装置的输出端。
2.根据权利要求1的无线接收-发射装置，其中所述装置是一个TDMA通信装置。
3.根据权利要求1的无线接收-发射装置，其中每个所述场效应三极管是GaAs FET。
4.根据权利要求1的无线接收-发射装置，其中构成所述开关装置的场效应三极管相互串联连接。
5.一种信号转换开关，它具有一信号输入端，一信号输出端和一信号输入-输出端，并包括场效应三极管的第一、第二、第三和第四单元;其中所述第一FET单元的一端连接到信号输入端，而其另一端连接到信号输入-输出端;第二FET单元的一端连接到信号输入端，而其另一端连接到地;第三FET单元的一端连接到信号输出端，而其另一端连接到信号输入-输出端;第四FET单元的一端连接到信号输出端，而其另一端接地;构成所述第一FET单元的每只三极管有这样确定的栅极宽度，使得源极一漏极饱和电流大于从信号输入端馈给的输入信号的最大电流幅值;所述的第二FET单元由一或多个三极管级构成，在数量上等于对这样的数值整数化的结果，该数值通过用在所述第二FET单元中的三极管耐压除从信号输入端馈给的输入信号的最大电压幅值来获得;以及所述第三FET单元由一或多个三极管级构成，在数量上等于这样的数值整数化的结果，该数值通过用在第三FET单元中的三极管的耐压除从信号输入端馈给的输入信号的最大电压幅值来获得。
6.根据权利要求5的开关，其中在所述第一FET单元中的三极管级数这样确定，使得在所述第一FET单元上接入损耗和隔离值最小;以及构成所述第二和第三FET单元的每只三极管的栅极宽度这样确定，便得在所述第二FET单元和第三FET单元上接入损耗和隔离值最小。
7.根据权利要求6的开关，其中在所述第四FET单元中的三极管级数这样确定，即决定于所收信号的功率，构成所述第四FET单元的每只三极管的栅极宽度这样确定，使得在所述第四FET单元上接入损耗和隔离值最小。
全文摘要
一种装有信号转换开关的无线接收—发射装置，它能适当地处理大功率射频信号并确保要求的接入损耗和优异的隔离特性。该开关具有一信号输入端，一信号输出端和一信号输入—输出端，并且包括连接到该输入端和该输入—输出端的第一FET单元，连接到该输入端并接地的第二FET单元，连接到该输出端和输入—输出端的第三FET单元，和连接到该输出端并接地的第四FET单元。
文档编号H04B1/44GK1097910SQ94106968
公开日1995年1月25日 申请日期1994年5月21日 优先权日1993年5月21日
发明者小滨一正 申请人:索尼公司