一种mems麦克风元件及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种麦克风，尤其涉及一种差分电容式MEMS麦克风元件及其制造方法。
【背景技术】
[0002]MEMS麦克风是一种用微机械加工技术制作出来的声电换能器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、薄型化发展，MEMS麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。
[0003]目前MEMS麦克风产品中包含一个基于电容检测的MEMS芯片和一个ASIC芯片，MEMS芯片的电容会随着输入声音信号的不同产生相应的变化，再利用ASIC芯片对变化的电容信号进行处理和输出从而实现对声音的拾取。MEMS芯片通常包括具有背腔的基底、在基底上方设置的由背极板和振膜构成的平行板电容器，振膜接收外界的声音信号并发生振动，从而使平行板电容器产生一个变化的电信号，实现声-电转换功能。
[0004]上述技术方案的问题在于，单个电容检测对外界的干扰信号无法滤除，影响输出信号的噪声水平，降低信噪比。
[0005]如果要将MEMS麦克风设计成传统的差分式电容检测，采用三层膜的结构，上下两层膜作为背极板，中间层作为振膜，振膜分别与上下层的背极板形成电容，这两个电容组成差分电容。在有声波作用在中间位置上的振膜时，振膜上下振动，进而差分电容中的一个增加，另一个减小，从而实现声波的差分检测。但这种方案的问题在于，工艺比较复杂，且很难控制上下背极板到振膜的间距相同，所以差分电容的静态电容和灵敏度都很难一致，削弱了差分的效果，与最初的目的相背离。
【发明内容】
[0006]本发明的目的是提供一种性能良好的差分电容式MEMS麦克风元件。
[0007]根据本发明的第一方面，提供了一种MEMS麦克风元件，包括:基底，所述基底上设置有上下贯通的第一开孔和第二开孔；并列设置于所述基底上方的第一电容和第二电容，所述第一电容设置在所述第一开孔之上，所述第二电容设置在所述第二开孔之上；所述第一电容包括位于下方的第一背极板以及位于上方的与第一背极板相对的第一振膜，所述第二电容包括位于上方的第二背极板以及位于下方的与第二背极板相对的第二振膜；所述第一电容和第二电容共同构成差分电容。
[0008]优选的，所述第一振膜和第二背极板的材质相同，所述第一背极板和第二振膜的材质相同。
[0009]优选的，所述第一振膜和第二振膜电连接在一起作为所述差分电容的公共可动极板。
[0010]优选的，所述第一背极板以及第二背极板的感应部分分别设置有多个通孔，所述第一振膜以及第二振膜的中心位置分别设置有通孔。
[0011]优选的，所述第一背极板、第一振膜、第二背极板以及第二振膜由下列材料任意之一形成:多晶硅、氮化硅上附加多晶硅层、氮化硅上附加金属层。
[0012]优选的，所述MEMS麦克风元件适用于声音信号从MEMS麦克风元件上方或者下方进入的两种产品结构。
[0013]根据本发明的第二方面，提供了一种制造MEMS麦克风元件的方法，包括如下步骤:s1、提供衬底；S2、在所述衬底上生长第一隔离层；S3、在第一隔离层生长第一极板材料层；对第一极板材料层进行构图和刻蚀以形成第一电容的背极板、第二电容的可动极板，以及隔离第一电容的背极板和第二电容的可动极板的第一隔离槽；S4、在第一极板材料层上沉积第二隔离层；在第二电容的可动极板上方的第二隔离层上开设连接窗口，用以连接第一电容的可动极板和第二电容的可动极板；S5、在第二隔离层生长第二极板材料层；对第二极板材料层进行构图和刻蚀以形成第一电容的可动极板、第二电容的背极板、以及隔离第一电容的可动极板和第二电容的背极板的隔离槽；S6、刻蚀衬底和第一隔离层以在第一电容的下方形成贯通的第一开孔以及在第二电容下方形成贯通的第二开孔；以及刻蚀第二隔离层以在第一、第二电容、各自的背极板和可动极板之间形成间隙。
[0014]优选的，在步骤S3中，在第一电容的背极板上开设多个通孔以及在第二电容的可动极板的中心位置开设通孔；在步骤S5中，在第二电容的背极板上开设多个通孔以及第一电容的可动极板的中心位置开设通孔。
[0015]优选的，第一电容的背极板的厚度大于其可动极板的厚度，第二电容的背极板的厚度大于其可动极板的厚度。
[0016]优选的，所述MEMS麦克风元件适用于声音信号从MEMS麦克风元件上方或者下方进入的两种产品结构。
[0017]本发明的差分电容式MEMS麦克风，将一对差分电容并排设计，通过两层膜来实现差分检测，本发明具有以下有益效果:
[0018]1.实现差分电容式MEMS麦克风，有利于滤除外界电磁和噪声干扰，提高输出信号的信噪比和收音质量。
[0019]2.由于差分电容的背极板和可动极板之间的间隙是在同一步骤完成的，差分电容的间距可以做到完全一致，提高了差分的效果。
[0020]3.制造工艺流程简单并且容易控制。工艺流程与目前的单电容式MEMS麦克风的工艺完全兼容，不需要做出工艺的变动。
[0021]本发明的发明人发现，在现有技术中，还没有双层膜结构的单芯片差分电容式MEMS麦克风，因此本发明是一种新的技术方案。
[0022]通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
【附图说明】
[0023]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
[0024]图1-2是本发明MEMS麦克风实施例的结构示意图。
[0025]图3-4是本发明MEMS麦克风的差分检测的原理示意图。
[0026]图5-14是本发明MEMS麦克风的制造过程的各个阶段的结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
[0028]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
[0029]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
[0030]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0031]应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0032]针对以上提出的问题，本专利提出一种新型的差分电容式MEMS麦克风。将一对差分电容并排设计，通过两层膜来实现，降低了工艺难度。
[0033]参考图1-2所示为本发明的基本结构，包括:基底I，基底I包括衬底100和位于衬底100上方的第一隔离层200。基底I上设置有上下贯通的第一开孔101和上下贯通的第二开孔102。并列设置于基底I上方的第一电容Cl和第二电容C2，第一电容Cl设置在第一开孔101之上，第二电容C2设置在第二开孔102之上。第一电容Cl包括位于下方的第一背极板12、以及位于上方的与第一背极板12相对的第一振膜11，第二电容C2包括位于上方的第二背极板22以及位于下方的与第二背极板22相对的第二振膜21。第一背极板12和第一振膜11之间、第二背极板22和第二振膜21之间分别设置有第二隔离层400，以在第一背极板12和第一振膜11之间、第二背极板22和第二振膜21之间形成间隙109。
[0034]第一背极板12和第二背极板22为固定极板，第一振膜11和第二振膜21为可动极板。
[0035]第一电容Cl和第二电容C2构成一对差分电容，第一振膜11和第二振膜21电连接在一起作为差分电容的公共可动极板，第一背极板12和第二振膜21之间通过绝缘层106隔离开，第一振膜11和第二背极板22之间通过隔离槽108隔离开。
[0036]其中，第一背极板12以及第二背极板22的感应部分分别设置有多个通孔104，第一振膜11以及第二振膜21的中心位置分别设置有通孔103，通孔103和104共同起到传导声音及平衡声压的作用。
[0037]其中，第一振膜11和第二背极板22的材质相同，第一背极板12和第二振膜21的材质相同。其中，第一电容Cl的背极板12的厚度可以等于或者大于可动极板11的厚度，第二电容C2的背极板22的厚度可以等于或者大于可动极板21的厚度。
[0038]其中，第一背极板12、第一振膜11、第二背极板22以及第二振膜21由下列材料任意之一形成:多晶硅、氮化硅上附加多晶硅层、氮化硅上附加金属层。第一隔离层200的材质例如为氧化硅。第二隔离层400例如可以为氧化物层，绝缘层106可以是第2隔离层400的一部分。
[0039]从图1中可以看出，MEMS麦克风元件适用于声音信号从MEMS麦克风元件上方进入的TOP产品结构，也适用于声音信号下方进入的BOTTOM产品结构。
[0040]从图1-2中可以看出，本发明在单个芯片内设置有两个MEMS结构。第一电容Cl的振膜11在上，背极板12在下；第二电容C2的振膜21在下，背极板22在上。第一电容Cl的背极板12和第二电容C2的振膜21是同时制作的，为同样材质，例如都为多晶娃，或者都为氮化硅附加金属层的材质；第一电容Cl的振膜11和第二电容C2的背极板22是同时制作的，也为同样材质，例如都为多晶硅。第一电容Cl的背极板12和第二电容C2的振膜21是由第一极板材料层300形成的，第一电容Cl的振膜11和第二电容C2的背极板22是