后，第一 MOS管为列公共电路提供偏置电流，从而实现每个像素电路中的像素公共电路的偏置和每个列处理电路中的列公共电路的偏置相对独立。因此，每个列公共电路和每个像素电路的镜像精度，不会因为像素阵列规模的扩展和电源和地走线的压降而受到影响，从而在像素阵列比较大或者针对极微弱信号的开环放大的应用中，有效减小了电源和地走线压降对像素阵列之间的镜像电流匹配精度造成的影响，保证不同像素信号放大输出获得良好的均匀性，适用于不断扩大的电路阵列。
[0045]参照图5，本发明还公开了一种图像传感器，包括:上述的图像传感器的信号处理电路I和行译码器2。其中，行译码器2分别与图像传感器的信号处理电路I中M个开关模块103相连，行译码器2控制M个开关模块103以分时复用方式进行工作。
[0046]进一步地，在本发明的一个实施例中，参照图5，图像传感器还可以包括列译码器
3、逻辑处理器4和输出缓冲放大器5。其中，列译码器3与图像传感器的信号处理电路I中M个列处理电路Al分别相连，列译码器3控制每个列处理电路Al逐个输出处理后的像素信号。逻辑处理器4与行译码器2和列译码器3分别相连。输出缓冲放大器5与M个列处理电路Al分别相连。
[0047]与相关技术相比，本发明实施例的图像传感器包括以下优点:
[0048]通过图像传感器的信号处理电路，实现每个像素电路中的像素公共电路的偏置和每个列处理电路中的列公共电路的偏置相对独立。从而每个列公共电路和每个像素电路的镜像精度，不会因为像素阵列规模的扩展和电源和地走线的压降而受到影响，尤其在像素阵列比较大或者针对极微弱信号的开环放大的应用中，有效减小了电源和地走线压降对像素阵列之间的镜像电流匹配精度造成的影响以及开环放大器性能的逐渐恶化，保证不同像素信号放大输出获得良好的均匀性，适用于不断扩大的电路阵列。
[0049]对于图像传感器的实施例而言，相关之处参见图像传感器的信号处理电路实施例的部分说明即可。
[0050]本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
[0051]尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
[0052]最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
[0053]以上对本发明所提供的一种图像传感器的信号处理电路和一种图像传感器，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【主权项】
1.一种图像传感器的信号处理电路，其特征在于，包括: M个信号处理模块，每个所述信号处理模块包括一列处理电路和分别与所述列处理电路相连的N个像素电路，M和N为大于零的整数，其中， 所述列处理电路包括: 参考电流源，所述参考电流源与第一公共端相连； 第一 MOS管，所述第一 MOS管的源极与所述第一公共端相连，所述第一 MOS管的栅极和漏极相连； 列公共电路，所述列公共电路与所述第一 MOS管的栅极相连；每个所述像素电路包括:开关模块，所述开关模块的一端与所述参考电流源、所述第一 MOS管的漏极和所述列公共电路分别相连； 第二 MOS管，所述第二 MOS管的漏极和栅极相连，所述第二 MOS管的漏极与所述开关模块的另一端相连，所述第二 MOS管的源极与第二公共端相连； 第三MOS管，所述第三MOS管的漏极与所述开关模块的另一端相连，所述第三MOS管的栅极与所述第二 MOS管的栅极相连，所述第三MOS管的源极与所述第二公共端相连； 像素公共电路，所述像素公共电路与所述第二 MOS管的栅极和所述开关模块的另一端分别相连。2.根据权利要求1所述的信号处理电路，其特征在于，所述开关模块包括: 第一开关，所述第一开关的一端与所述参考电流源相连，所述第一开关的另一端与所述第二 MOS管的漏极相连； 第二开关，所述第二开关的一端与所述第一 MOS管的漏极相连，所述第二开关的另一端与所述第三MOS管的漏极相连； 第三开关和第四开关，所述第三开关的一端和所述第四开关的一端分别与所述列公共电路相连，所述第三开关的另一端和所述第四开关的另一端分别与所述像素公共电路相连。3.根据权利要求1所述的信号处理电路，其特征在于，所述第一MOS管为NMOS管，所述第二 MOS管和所述第三MOS管为PMOS管。4.根据权利要求3所述的信号处理电路，其特征在于，所述第一公共端为地，所述第二公共端为电源提供端。5.根据权利要求1所述的信号处理电路，其特征在于，所述第一MOS管为PMOS管，所述第二 MOS管和所述第三MOS管为NMOS管。6.根据权利要求5所述的信号处理电路，其特征在于，所述第一公共端为电源提供端，所述第二公共端为地。7.根据权利要求1所述的信号处理电路，其特征在于，M个所述开关模块分别与图像传感器的行译码器相连，所述行译码器控制所述M个开关模块以分时复用方式进行工作。8.根据权利要求2所述的信号处理电路，其特征在于，所述列公共电路包括: 第四MOS管，所述第四MOS管的源极与所述第一公共端相连，所述第四MOS管的漏极与所述第三开关的一端相连； 第五MOS管，所述第五MOS管的源极与所述第一公共端相连，所述第五MOS管的漏极与所述第四开关的一端相连，所述第五MOS管的栅极分别与所述第四MOS管的栅极和所述第一 MOS管的栅极相连。9.根据权利要求8所述的信号处理电路，其特征在于，所述像素公共电路包括: 第六MOS管，所述第六MOS管的栅极与所述第二 MOS管的栅极相连，所述第六MOS管的源极与所述第二公共端相连； 第七MOS管，所述第七MOS管的漏极与所述第三开关的另一端相连，所述第七MOS管的源极与所述第六MOS管的漏极相连； 第八MOS管，所述第八MOS管的漏极与所述第四开关的另一端相连，所述第八MOS管的源极与所述第六MOS管的漏极相连。10.一种图像传感器，其特征在于，包括: 根据权利要求1-9中任一项所述的图像传感器的信号处理电路； 分别与所述图像传感器的信号处理电路中M个开关模块相连的行译码器，所述行译码器控制所述M个开关模块以分时复用方式进行工作。
【专利摘要】本发明提供一种图像传感器及其信号处理电路，电路包括：M个信号处理模块，每个模块包括列处理电路和分别与列处理电路相连的N个像素电路，列处理电路包括：参考电流源与第一公共端相连；第一MOS管的源极与第一公共端相连，栅极和漏极相连；列公共电路与第一MOS管的栅极相连；每个像素电路包括：开关模块一端与参考电流源、第一MOS管的漏极和列公共电路分别相连；第二MOS管的漏极和栅极相连，漏极与开关模块另一端相连，源极与第二公共端相连；第三MOS管的漏极与开关模块另一端相连，栅极与第二MOS管的栅极相连，源极与第二公共端相连；像素公共电路与第二MOS管的栅极和开关模块另一端分别相连。本发明均匀性好，串扰小。
【IPC分类】H04N5/369, H04N5/374
【公开号】CN104967795
【申请号】CN201510428776
【发明人】刘晓磊, 罗木昌, 于海魁, 荣磊
【申请人】北京立博信荣科技有限公司, 中国电子科技集团公司第四十四研究所
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年7月20日